太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法 GBT 30869-2014.pdf

GB/T30869-2014规定路径扫描硅片表面，进行厚度测量，自动显示仪显示出总厚度变化，具体扫描路径见图2。2151nm图2扫描式测量的扫描路径图4干扰因素4.1分立点式测量4.1.1由于分立点式测量总厚度变化只基于5点的测量数据，硅片上其他部分的几何变化不能被检测出来。4.12硅片上某一点的局部改变可能产生错误的读数。这种局部的改变可能来源于表面缺陷例如沾污、小丘、坑、线痕、硅晶脱落等。4.1.3接触式测量对于翘曲度大的硅片可能导致测试误差。4.2扫描式测量4.2.1扫描期间，测厚仪平台的不平整可能导致测量误差。4.2.2测厚仪平台与硅片之间的外来颗粒等产生误差。4.2.3扫描过程中，硅片偏离探头导致错误的计数。4.2.4测试样片相对于测量探头轴的振动会产生误差。4.2.5现场若有高频设备，高频电磁场会干扰测量设备正常工作，造成测试结果偏差。4.26本标准的扫描方式为按规定的路径进行扫描，路径偏差可产生测试结果的偏差。4.2.7对于在线扫描式测量，扫描路径不同可产生测试结果差异。5仪器设备5.1接触式厚度测量仪5.1.1接触式厚度测量仪由带指示仪表的探头及支持硅片的夹具或平台组成。5.1.2仪表最小指示量值不大于1m。5.1.3测量时探头与硅片接触面积不应超过2mm。5.2无接触式厚度测量仪5.2.1无接触式厚度测量仪由带有定位标识的测量平台和带数字显示的周定探头装置组成。2GB/T30869-20145.2.2测量平台表面应光洁平整，以保证测试精度并防止硅片背面划伤：外形尺寸可以承载100mm100mm210mm210mm的硅片在平台上进行扫描检测，平台示意图见图3。探头轴线位置1-6川硅片位置标识线图3测量平台示意图5.2.3固定探头装置5.2.3.1固定探头装置由一对同轴的无接触传感探头（探头传感原理可以是电容的、光学的或其他非接触方式的)、探头支架和信号采集系统及数字显示屏组成。5.2.3.2上下探头同轴，与硅片上下表面探测位置相对应。固定探头的公共轴应与测量平台上的平面垂直（在士2之内），传感器可感应各探头的输出信号，并能通过采集、数据处理及运算在显示屏显示当前点的厚度。5.2.3.3周定探头装置应满足以下要求：a)探头传感面直径应在1.57mm20mm范围：b)探测位置垂直方向的度数分辨率优于0.1m;c)基准厚度值附近，每个探头的位移范围至少为50m:d)在满量程的0.5%之内呈线性变化：)在扫描中，对自动数据采样模式的仪器，采集数据的能力每秒钟至少100个数据点：)应选用适当的探头与硅片表面间距。5.2.3.4规定非接触是为防止探头使试样发生形变及对被测试样产生表面损伤。5.2.3.5指示器单元通常可具有：a)计算和存储成对位移测量的和（或）差值，以及识别这些数量最大和最小值的手段：b)存储各探头测量值的选择显示开关等。显示可以是数字的或模拟的（刻度盘），推荐用数字读出，来消除操作者引入的读数误差。6试样硅片表面应清洁、干燥。7测量程序7.1测量环境7.1.1温度：18一28（或根据测量仪器等规定）。7.1.2湿度：65%（或根据测量仪器等规定）。7.1.3测试环境洁净度：8级洁净室。7.1.4工作台振动小于0.5gm。3