半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GBT 6798-1996.pdf
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半导体集成电路
电压比较器测试方法的基本原理
GBT
6798-1996
半导体
集成电路
电压
比较
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方法
基本原理
6798
1996
目次】主题内容与适用范围12引用标准13总的要求中*小t4*4*n44444】4电特性测试*”24.1输入失调电压V024.2输入失调电压温度系数vo4.3输入失调电流【10*t4.4输入失调电流温度系数ao4.5输入偏置电流1B4.6输入偏置电流温度系数形64.7静态功耗P0ne0004t74.8开环电压增益Ay4.9共模抑制比KMR104.10最大共模输入电压VGM134.11电源电压抑制比Ksv吸4.12最大差模输入电压VDM154.13输出高电平电压V0州4.14输出低电平电压V6164.15高电平输出电流1om174.16低电平输出电流Io184.17开环差模输入电阻Rm4.18开环单端输出电阻Ros194.19低电平选通电流IsrL,204.20高电平选通电流1srm“214.21响应时间级224.22选通延迟时间5T23附录A电参数符号（补充件）25
