硅片电阻率测定扩展电阻探针法 GBT 6617-2009.pdf
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硅片电阻率测定
扩展电阻探针法
GBT
6617-2009
硅片
电阻率
测定
扩展
电阻
探针
6617
2009
GB/T6617-2009前言本标准代替GB/T6617一1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法。本标准与GB/T6617一1995相比，主要有如下变化：引用标准中删去硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法：方法原理中删去单探针和三探针的原理图并增加了扩展电阻原理公式(1)及其三个假定条件；增加了干扰因素：测量仪器和环境增加了自动测量仪器的范围和精度：对原测量程序进行全面修改：一删去测量结果计算。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司。本标准主要起草人：马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等。本标准代替标准的历次版本发布情况为：GB66171986、GB/T6617-1995。GB/T6617-2009压源电流测试仪品图1恒压法电路原理图R.-(2)式中：V外加电压，单位为毫伏(mV);I测得的电流，单位为毫安(mA)。压测试仪电沆源样品图2恒流法电路原理图R=(3)式中：V测得电压，单位为毫伏(mV);I外加的电流，单位为毫安(mA)。Ru电压源对数比较器1Ri8R样品图3对数比较法电路原理图2
