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2023年模拟电子技术基础课后习题答案.docx
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2023 模拟 电子技术 基础 课后 习题 答案
模拟电子技术根底,课后习题答案 篇一:模拟电子技术根底,课后习题答案 模拟电子技术根底 第一章 1.1 电路如题图1.1所示,ui5sintV,二极管导通电压降UD0.7V。试画出 ui和uo的波形,并标出幅值。 解:通过分析可知: (1) 当ui3.7V时,uo3.7V (2) 当3.7Vui3.7V时,uoui (3) 当ui3.7V时,uo3.7V 总结分析,画出局部波形图如下所示: 1.2 二极管电路如题图1.2所示。〔1〕判断图中的二极管是导通还是截止?〔2〕分别用理想模型和横压降模型计算AO两端的电压UAO。 解:对于〔a〕来说,二极管是导通的。 采用理想模型来说,UAO6V 采用恒压降模型来说,UAO6.7V 对于〔c〕来说,二极管D1是导通的,二极管D2是截止的。 采用理想模型来说,UAO0 采用恒压降模型来说,UAO0.7V 1.3 判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流ID 解:〔b〕先将二极管断开,由KVL定律,二极管左右两端电压可求出: 25 15=1.5V 18225510 U右=15=1V 14010U左=10 故此二极管截止,流过的电流值为ID=0 〔c〕先将二极管断开,由KVL定律,二极管左右两端电压可求出: 52 =2.5V,U左=2.520=0.5V 25518210 U右=15=1V 14010U左1=15 由于U右U左0.5V,故二极管导通。 运用戴维宁定理,电路可简化为 ID 0.5 32.7μA 15.3 1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。 解: T1: 硅管,PNP,11.3V对应b, 12V对应e, 0V对应c T2: 硅管,NPN,3.7V对应b, 3V对应e, 12V对应c T3: 硅管,NPN,12.7V对应b, 12V对应e,15V对应c T4: 锗管,PNP,12V对应b, 12.2V对应e, 0V对应c T5: 锗管,PNP,14.8V对应b, 15V对应e, 12V对应c T6: 锗管,NPN,12V对应b, 11.8V对应e, 15V对应c 模拟电子技术根底 第二章 2.2 当负载电阻RL1k时,电压放大电路输出电压比负载开路〔RL〕时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻ro。 解:由题意知: UOC RL0.8UOC roRL 解得ro0.25kΩ 2.5 电路如题图2.2所示,设BJT的UBE0.6V,ICEO、ICES可忽略不计,试分析当开关 S分别接通A、B、C三位置时,BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流IC。 解:ICS12/43mA,IBS3/800.0375mA (1) 开关打在A上:IB 120.6 0.285mAIBS,故三极管工作在饱和区。 40 ICICS3mA (2) 开关打在B上:IB 120.6 0.0228mAIBS,故三极管工作在放大区。 500 ICIB1.8mA (3) 开关打在C上:发射结和集电结均反偏,故三极管工作在截止区。 IC=0 2.9 题图2.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线,试求: (1)电源电压VCC,静态电流IB、IC和管压降VCE的值; (2)电阻Rb、Rc的值; (3)输出电压的最大不失真幅值; (4)要使该电路不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少? 解:(1)由输出特性图中可以读到: IB20uA,IC1mA,UCE3V, VCC6V。 (2) Rb VCCVUCE 300kΩ,RCCC3kΩ IBIC ' (3) UOMmin(UCEUCEQ,UCEQUCES)min(4.53,30.8)1.5V (4)要使电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值取20uA 2_11、单管放大电路如图题3.4.2所示BJT的电流放大系数β=50。〔1〕估算Q点; 〔2〕画出简化 H参数小信号等效电路;〔3〕估算 BJT的朝人电阻 rbe;〔4〕如 VVO输出端接入 4 kΩ的电阻负载,计算AV及AVSO。 iS 解〔1〕估算Q点 IB VCC 40A ICIB2mA Rb VCEVCCICRC4V 〔2〕简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。 〔3〕求rbe rbc200(1) 26mV26mV 200(150)863 IE2mA 'V(RC||RL)R0L〔4〕A116 VrberbeVi VVVRiRb||rbe00 AVSiAA73 VVRiRsRsRb||rbeVsViVs 2-14.电路如以下图,设耦合电容和旁路电容的容量均足够大,对交流信号可视为短路. (1)求Au=Uo/Ui,ri,ro (2)求Au=Uo/Us (3)如将电阻Rb2逐渐减小,将会出现什么性质的非线形失真画出波形图. (2) us (3) Rb2减小将会产生饱和失真 2.15 电路如题图2.11所示。 (1)画出放大电路的微变等效电路; UCC UBRb1 Rb1Rb2 UBUBE IE1.2mA Re1Re2 (2) 写出电压放大倍数Au1(3)求输入电阻ri; (4)画出当RcRe时的输出电压uo1、uo2的波形〔输入ui为正弦波,时间关系对齐〕 解:〔1〕 26 rberbb12.5k IE Rc Au38 rbe1Re1 riRb1//Rb2//rbe1Re1 roRc6.8k ri AAu34.5 riRs Uo1Ui . . Au2 Uo2Ui . . 的表达式; 篇二:吴友宇主编模拟电子技术根底课后习题答案 第三局部 习题与解答 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的,而少数载流子的浓度那么与 温度 有很大关系。 2、当PN结外加正向电压时,扩散电流电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。 3、在N型半导体中,电子为多数载流子,为少数载流子。 二.判断题 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。〔 × 〕 2、在N型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P型半导体。〔 √ 〕 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。〔× 〕 4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。〔 × 〕 5、PN结在无光照无外加电压时,结电流为零。〔 √ 〕 6、温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。〔 × 〕 7、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。〔× 〕 三.简答题 1、PN结的伏安特性有何特点? V 答:根据统计物理理论分析,PN结的伏安特性可用式IDIs(eVT1)表示。 式中,ID为流过PN结的电流;Is为PN结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I的单位一致;V为外加电压; VT=kT/q,为温度的电压当量〔其单位与V的单位一致〕,其中玻尔兹曼常数k1.381023J/K,电子电量 q1.602177311019C(库伦),那么VTT(V),在常温〔T=300K〕下,115.294 V VTVT=25.875mV=26mV。当外加正向电压,即V为正值,且V比VT大几倍时,e 是IIseVVT1,于,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN结为正向导通状 V VT态.外加反向电压,即V为负值,且|V|比VT大几倍时,e1,于是IIs,这时PN结 只流过很小的反向饱和电流,且数值上根本不随外加电压而变,PN结呈反向截止状态。PN结的伏安特性也可用特性曲线表示,如图1.1.1所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图 1.1.1特性曲线〔实线局部〕可见:PN结真有单向导电性和非线性的伏安特性。 图 1.1.1 PN伏安特性 2、什么是PN结的反向击穿?PN结的反向击穿有哪几种类型?各有何特点? 答:“PN〞结的反向击穿特性:当加在“PN〞结上的反向偏压超过其的击穿电压后,PN结发生击穿。 PN结的击穿主要有两类,齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN结,一般反向击穿电压小于4Eg/q〔Eg—PN结量子阱禁带能量,用电子伏特衡量,Eg/q指PN结量子阱外加电压值,单位为伏特〕的PN的击穿模式就是齐纳击穿,击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电,使的少子浓度增加,反向电流上升。 雪崩击穿主要发生在“PN〞结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN〞结,一般反向击穿电压高于6 Eg/q的“PN〞结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快,动能增大,撞击中型原子时把外层电子撞击出来,继而产生连锁反响,导致少数载流子浓度升高,反向电流剧增。 3、PN结电容是怎样形成的?和普通电容相比有什么区别? PN结电容由势垒电容Cb和扩散电容Cd组成。 势垒电容Cb是由空间电荷区引起的。空间电荷区内有不能移动的正负离子,各具有一定的电量。当外加反向电压变大时,空间电荷区变宽,存储的电荷量增加;当外加反向电压变小时,空间电荷区变窄,存储的电荷量减小,这样就形成了电容效应。“垫垒电容〞大小随外加电压改变而变化,是一种非线性电容,而普通电容为线性电容。在实际应用中,常用微变电容作为参数,变容二极管就是势垒电容随外加电压变化比拟显著的二极管。 扩散电容Cd是载流子在扩散过程 中的积累而引起的。PN结加正向电压 时,N区的电子向P区扩散,在P区形 成一定的电子浓度(Np)分布,PN结边缘 处浓度大,离结远的地方浓度小,电子 浓度按指数规律变化。当正向电压增加 时,载流子积累增加了△Q;反之,那么减 图1.3.3 P区中电子浓度的分布曲线及电荷的积累 小,如图1.3.3所示。同理,在N区内 空穴浓度随外加电压变化而变化 的关系与P区电子浓度的变化相同。因此,外加电压增加△V时所出现的正负电荷积累变化△Q,可用扩散电容Cd来模拟。Cd也是一种非线性的分布电容。 综上可知,势垒电容和扩散电容是同时存在的。 PN结正偏时,扩散电容远大于势垒电容;PN结反偏时,扩散电容远小于势垒电容。势垒电容和扩散电容的大小都与PN结面积成正比。与普通电容相比,PN结电容是非线性的分布电容,而普通电容为线性电容。 习题2 客观检测题 一、填空题 1、半导体二极管当正偏时,势垒区漂移电流。 2、 在常温下,硅二极管的门限电压约,导通后在较大电流下的正向压降约 V;锗二极管的门限电压约,导通后在较大电流下的正向压降约V。 3、在常温下,发光二极管的正向导通电压约, 考虑发光二极管的发光亮度和寿命,其工作电流一般控制在 5~10 mA。 4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管,称为 普通〔稳压〕二极管。请写出这种管子四种主要参数,分别是 最大整流电流 、 反向击穿电压 、 反向电流 和 极间电容。 二、判断题 1、二极管加正向电压时,其正向电流是由〔 a 〕。 a. 多数载流子扩散形成 b. 多数载流子漂移形成 c. 少数载流子漂移形成 d. 少数载流子扩散形成 2、PN结反向偏置电压的数值增大,但小于击穿电压,〔 c 〕。 a. 其反向电流增大b. 其反向电流减小 c. 其反向电流根本不变 d. 其正向电流增大 3、稳压二极管是利用PN结的〔 d 〕。 a. 单向导电性b. 反偏截止特性 c. 电容特性 d. 反向击穿特性 4、二极管的反向饱和电流在20℃

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