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霍山石斛种苗繁育技术规程
LYT
2449-2015
霍山
石斛
种苗
繁育
技术规程
2449
2015
LY/T2449-20155.2蒴果处理用水充分清洗蒴果表面的灰尘,所用水质执行GB/T5749。晾干表面的水分,用洁净纸进行包裹,在4冰箱中保存1周。处理后的蒴果用75%乙醇浸泡15min20min后,在酒精灯火焰上灼烧1s2s,备用。6种苗培育6.1无菌播种在无菌条件下,用摄子夹住消毒处理过的萌果果柄,用解剖刀切开湖果顶端,将蒴果置于培养瓶内轻轻地抖动,均匀撒播一层种子于MS培养基表面,立即封住瓶口。6.2种子萌发播种的培养瓶置于温度为(25士2)的洁净环境中暗培养1周后,在光照强度为1500molm”s1一2000molm2s1,光照时长为10h/d12h/d的条件下,继续培养30d45d形成原球茎。6.3原球茎增殖选取健康饱满、无污染的原球茎在改良M$产东举上,进行原球茎增殖。光照强度为1500umolm-2s-12000umolm-2s-1,光时长为10h/d12h/d,继代培养55d65d。6,4丛生芽诱导选择健康,无污染的原球茎在立良M$培养基上,诱导丛生芽。光照强度为1500molm-2s-12000molm2s-1,光照时长为10h/d12h/d,培养40d55d。6.5丛生芽增殖选择健康,无污染的从生芽在改良MS培养基上,进行丛生芽增殖。光照强度为1500umolm-2s12000molm-2s1,光照时长为10h/d12h/d,培养50d70d。6.6生根壮苗选择芽体健康,无污染,芽高1.5cm一2.5cm的丛生芽在1/2MS培养基上,生根壮苗。光照强度为1500molm-2s-13000umolm-2s-1,光照时长为10h/d12h/d,培养65d75d。6.7继代次数原球茎和丛生芽继代次数控制在4代以内。7种苗质量7.1炼苗种苗在温度1535、光照2000molm-2s1一20000molm-2s1范围条件下锻炼15d一20d后,种苗叶片变深绿即可出瓶。2