电子薄膜用高纯铜溅射靶材 YST 819-2012.pdf
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电子薄膜用高纯铜溅射靶材
YST
819-2012
电子
薄膜
高纯
溅射
819
2012
YS/T819-2012表1（续）牌号4N4N55N6NCu含量/%99.9999.99599.99999.9999不小于Co一0.3Cr0.050.02F1-Fe30100.50.2K0.02Mn100.50.1Na-0.02Nb-Ni10o0.50.1D3少0.10.02杂质含量/10-6，Pb1050.05不大于Sh100.10.02Se-30.1Si-0.5一Sn1020.1Te20.1Th一一0.0005U一一一0.0005U+Th-一0.001Zn1010.1一s301510.05c20101气体杂质含量/10610不大于N公)3055杂质总含量（不包含C,H,(),N)/%0.010.0050.0010.0001不大于注1：客户对元素有要求的，由供需双方协商。注2：高纯铜靶的含量为100%减去表中杂质实测总和的余量（不含C()、V、H)。3.3高纯铜靶晶粒度高纯铜靶的品粒度应符合表2规定，并且品粒分布均匀。2
