电子薄膜用高纯钴靶材 YST 1053-2015.pdf

YS/T 1053-2015表1（续）级别4N55NC10075H1010气体杂质含量/10-%，不大于N3020200155S1010杂质总含量/%，不大于（不包含C、H、N、O、S)0.0050.001注：高纯钴靶的Co含量为100%减去表中杂质实测总和的余量（不含C、H、N、O、S)。表2高纯钴靶晶粒尺寸级别微观结构4N5(99.995%)晶粒平均值100m品粒分布均匀5N(99.999%)未完全再结晶晶粒大小无要求表3高纯钴靶透磁要求级别透磁率/%4N5(99.995%)705N(99.999%)30604.6焊接质量焊接质量应符合表4的规定，需方如有特殊要求时，由供需双方商定。表4高纯钴靶焊接质量要求焊接方式焊接结合率单个未焊合间隙面积/总面积钎焊95%2%非钎焊98%1%4.7几何尺寸高纯钴靶的尺寸、规格及结构方式与需方使用的溅射机台类型有关，一般根据需方提供图纸确定，几何尺寸及允许偏差应由供需双方协商确定并在订货单（或合同）中具体注明。如果客户未提供允许偏差，则高纯钴靶尺寸允许偏差应符合GB/T1804要求。4.8外观质量高纯钴靶表面应清洁光滑，无指痕、油污和锈蚀.应无拉伸润滑痕迹、颗粒附加物和其他沾污应无凹坑、划伤、裂纹、凸起等缺陷。3