=================================DOI:10．13290/j．cnki．bdtjs．2023．01．00318半导体技术第48卷第1期2023年1月基金项目:国家自然科学基金面上项目(61874168);江苏省产学研项目(BY2022236);企业横向项目(21ZH626，22ZH003)基于DBＲ结构的蓝光及白光GaNLED的制备及光学性能改善胡涛，朱友华*，钟岱山，王美玉，李毅(南通大学信息科学技术学院，江苏南通226019)摘要:为改善GaN基发光二极管(LED)的光学性能，设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO2/Ti3O5分布式布拉格反射镜(DBＲ)结构的蓝光和白光GaNLED。制备了具有不同周期数的DBＲ结构，其中，17周期DBＲ结构在400～660nm波长内平均反射率超过99.3%，其反射带宽度达到231nm。测试并比较了封装后的基于DBＲ结构的LED芯片的电学与光学特性。通过电流－光输出功率(I-L)特性测试，发现具有17周期DBＲ结构的蓝光LED的光输出功率比5周期的提升了6.7%，而白光LED的光输出功率则提升了9.7%。在约100mA的直流注入电流下，蓝光和白光LED的最大光输出功率分别达到134.9mW和108.4mW。关键词:GaN发光二极管(LED);离子辅助沉积;分布式布拉格反射镜(DBＲ);光输出功率;平均反射率中图分类号:TN364.2文献标识码:A文章编号:1003－353X(2023)01－0018－07PreparationandOpticalPerformanceImprovementofBlueandWhiteGaNLEDsBasedonDBＲStructureHuTao，ZhuYouhua*，ZhongDaishan，WangMeiyu，LiYi(SchoolofInformationScienceandTechnology，NantongUniversity，Nantong226019，China)Abstract:InordertoimprovetheopticalperformanceofGaN-basedlightemittingdiode(LED)，blueandwhiteGaNLEDswithSiO2/Ti3O5distributedBraggreflector(DBＲ)structurewithhighreflec-tivityandwidereflectionwidthweredesignedandfabricated．DBＲstructureswithdifferentcycleswereprepared．Theaveragereflectivityofthe17-cycleDBＲstructureexceeds99.3%inthewavelengthrangeof400－660nm，andthereflectionwidthreaches231nm．TheelectricalandopticalcharacteristicsofthepackagedLEDchipsbasedonDBＲstructureweremeasuredandcompared．Thecurrent-lightoutputpower(I-L)characteristicmeasurementresultsshowthatthelightoutputpoweroftheblueLEDwith17-cycleDBＲstructureincreasesby6.7%thanthatoftheblueLEDwith5-cycleDBＲstructure，andthelightoutputpowerofthewhiteLEDincreasesby9.7%．AttheinjectedDCcurre...
