第43卷第1期2023年3月光电子技术OPTOELECTRONICTECHNOLOGYVol.43No.1Mar.2023（100）与（111）晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术∗杜佳怡1∗∗，聂君扬4，孙捷1，3，林畅2，吴大磊2，杨天溪2，黄忠航1，严群2（1.福州大学，平板显示技术国家地方联合工程实验室，中国福建光电信息科学与技术创新实验室，福州350100；2.中国福建光电信息科学与技术创新实验室，福州350100；3.瑞典查尔摩斯理工大学，量子器件物理实验室，哥德堡41296；4.西安交通大学，电信学部，西安710049）摘要：采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术，通过热压键合技术将（100）晶面硅与（111）晶面硅高温键合，利用聚二甲基硅氧烷保护（100）晶面硅衬底，再粗化（111）晶面硅衬底加快其刻蚀速率，后通过湿法选择性刻蚀去除（111）晶面硅衬底。此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底，是一种材料混合集成的新技术，有望应用于自对准硅基Micro‐LED微显示器件制程和光电子器件集成领域。关键词：硅基微米级发光二极管；巨量转移；硅基互补金属氧化物半导体；热压键合；选择性刻蚀中图分类号:TN305；O711文献标志码:A文章编号:1005‐488X(2023)01‐0001‐06(100)and(111)SelectiveDe⁃substrateTechnologyafterWhole⁃sheetBondingofSilicon⁃basedMetalsDUJiayi，NIEJunyang，SUNJie，LINChang，WUDalei，YANGTianxi，HUANGZhonghang，YANQun(1.NationalandLocalUnitedEngineeringLaboratoryofFlatPanelDisplayTechnology,FuzhouUniversity,andFujianScienceandTechnologyInnovationLaboratoryforOptoelectronicInforma⁃tionofChina,Fuzhou350100,CHN；2.FujianScienceandTechnologyInnovationLaboratoryforOptoelectronicInformationofChina,Fuzhou350100,CHN；3.QuantumDevicePhysicsLaboratory,ChalmersUniversityofTechnology,Göteborg41296,Sweden；4.FacultyofElectronicandInforma⁃tionEngineering,Xi’anJiaotongUniversity,Xi’an710049,CHN)DOI：10.19453/j.cnki.1005‐488x.2023.01.001收稿日期：2022-09-08∗基金项目：福建省科技厅项目(2021HZ0114,2021J01583,2021L3004)；中国福建光电信息科学与技术创新实验室项目(2021ZZ122)作者简介：杜佳怡（1997—），女，硕士研究生，主要研究方向为晶面键合、化学湿法刻蚀以及氮化镓μLED集成信息显示；(E-mail：13309207233@163.com）聂君扬（1990—），男，博士研究生，研究...
