微电子器件（4-7）.pptVIP免费

4.74.7短沟道效应短沟道效应当MOSFET的沟道长度L↓时，分立器件：集成电路：MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI但是随着L的缩短，将有一系列在普通MOSFET中不明显的现象在短沟道MOSFET中变得严重起来，这一系列的现象统称为“短沟道效应”“短沟道效应”。，集成度功耗,pdt4.7.14.7.1小尺寸效应小尺寸效应11、阈电压的短沟道效应、阈电压的短沟道效应实验发现，当MOSFET的沟道长度L缩短到可与源、漏区的结深xj相比拟时，阈电压VT将随着L的缩短而减小，这就是阈电压的短沟道效应阈电压的短沟道效应。代表沟道下耗尽区的电离杂质电荷面密度。考虑漏源区的影响后，QA应改为平均电荷面密度QAG。12AAdsAFB4QqNxqN原因：漏源区对原因：漏源区对QQAA的的影响影响FBOXAOXOXMST2CQCQVAGAdAdA11222LLLLQqNxLLZqNxQLZLLLLdxPjx12jdAj1121xxQLxTAGjTAAGj,,VQLxLLVQQxL，时，随着当无关与，时，当减小阈电压短沟道效应的措施jdAOXOX()()xxNCT、、OXAGTMSFBOXOX2QQVCC12jdAGAj1121xxQQLx22、阈电压的窄沟道效应、阈电压的窄沟道效应实验发现，当MOSFET的沟道宽度Z很小时，阈电压VT将随Z的减小而增大。这个现象称为阈电压的窄沟阈电压的窄沟道效应道效应。AGAAA21ZQQQQZOXAGTMSFpOXOX()2QQVCC狭当VGS>VT且继续增大时，垂直方向的电场Ex增大，表面散射进一步增大，将随VGS的增大而下降，电场1110式中，TGSVVK电场4.7.24.7.2迁移率调制效应迁移率调制效应11、、VVGSGS对对的影响的影响体内表面体内21110当VGS较小时，000000GST0GSTK11()1VVVVKV电场电场电场式中，0KKV。时，当0KTGS21VVV20K600cm/Vs30VV，N沟道MOSFET中的典型值为22、、VVDSDS对对的影响的影响VDS产生水平方向的电场Ey。当Ey很大时，载流子速度将趋于饱和。简单的近似方法是用二段直线来描述载流子的v~Ey关系，=v=时数，常CKTGS01EEVVVy时，CKTGS01EEEVVVyy时，CmaxEEEvyymaxCyvEE常数，时vmaxvEy0EC已知VVDsatDsat==VVGSGS––VVTT为使沟道夹断的饱和漏源...