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通过
霍尔
效应
测量
磁场
实验2.3.1 通过霍尔效应测量磁场
姓名:金秀儒
学号:pb05206218
实验题目:通过霍尔效应测量磁场
实验目的:
通过用霍尔元件测量磁场,判断霍尔元件载流子类型,计算载流子的浓度和迁移速度,以及了解霍尔效应测试中的各种副效应及消除方法。
实验仪器:
QS-H霍尔效应组合仪,小磁针,测试仪。
实验原理:
1通过霍尔效应测量磁场:
霍尔效应装置如图2.3.1-1和图2.3.1-2所示。将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B的方向沿z轴方向),当沿y方向的电极A、A’上施加电流I时,薄片内定向移动的载流子(设平均速率为u)受到洛伦兹力FB的作用,FB = q u B
无论载流子是负电荷还是正电荷,FB的方向均沿着x方向,在磁力的作用下,载流子发生偏移,产生电荷积累,从而在薄片B、B’两侧产生一个电位差VBB’,形成一个电场E。电场使载流子又受到一个与FB方向相反的电场力FE,FE=q E = q VBB’ / b其中b为薄片宽度,FE随着电荷累积而增大,当达到稳定状态时FE=FB,即q uB = q VBB’ / b这时在B、B’两侧建立的电场称为霍尔电场,相应的电压称为霍尔电压,电极B、B’称为霍尔电极。
另一方面,射载流子浓度为n,薄片厚度为d,则电流强度I与u的关系为:
可得到
R称为霍尔系数,它体现了材料的霍尔效应大小。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。
在应用中,常以如下形式出现:
式中称为霍尔元件灵敏度,I称为控制电流。,若I、KH已知,只要测出霍尔电压VBB’,即可算出磁场B的大小;并且若知载流子类型(n型半导体多数载流子为电子,P型半导体多数载流子为空穴),则由VBB’的正负可测出磁场方向,反之,若已知磁场方向,则可判断载流子类型。由于霍尔效应建立所需时间很短(10-12~10-14s),因此霍尔元件使用交流电或者直流电都可。指示交流电时,得到的霍尔电压也是交变的,I和VBB’应理解为有效值。
2.霍尔效应实验中的副效应
在实际应用中,伴随霍尔效应经常存在其他效应。例如实际中载流子迁移速率u服从统计分布规律,速度小的载流子受到的洛伦兹力小于霍尔电场作用力,向霍尔电场作用力方向偏转,速度大的载流子受到磁场作用力大于霍尔电场作用力,向洛伦兹力方向偏转。这样使得一侧告诉载流子较多,相当于温度较高,而另一侧低速载流子较多,相当于温度较低。这种横向温差就是温差电动势VE,这种现象称为爱延豪森效应。这种效应建立需要一定时间,如果采用直流电测量时会因此而给霍尔电压测量带来误差,如果采用交流电,则由于交流变化快使得爱延豪森效应来不及建立,可以减小测量误差。
此外,在使用霍尔元件时还存在不等位电动势引起的误差,这是因为霍尔电极B、B’不可能绝对对称焊在霍尔片两侧产生的。由于目前生产工艺水平较高,不等位电动势很小,故一般可以忽略,也可以用一个电位器加以平衡(图2.3.1-1中电位器R1)。
我们可以通过改变IS和磁场B的方向消除大多数付效应。具体说在规定电流和磁场正反方向后,分别测量下列四组不同方向的IS和B组合的VBB’,即
+B, +I
VBB’=V1
-B, +I
VBB’=-V2
-B, -I
VBB’=V3
+B, -I
VBB’=-V4
然后得到霍尔电压平均值,这样虽然不能消除所有的付效应,但其引入的误差不大,可以忽略不计。
电导率测量方法:设B’C间距离为L,样品横截面积为S=bd,流经样品电流为IS,在零磁场下,测得B’C间电压为VB’C,根据欧姆定律可以求出材料的电导率。
实验内容:
1.保持IM不变,取IM=0.45A,IS取1.00,1.50……,4.50mA,测绘VH-IS曲线。
2.保持IS不变,取IS=4.50mA,IM取0.100,0.150……,0.450A,测绘VH-IM曲线。
3.在零磁场下,取IS=0.1mA,测VB’C(即V)。
4.确定样品导电类型,并求 n、u、σ 。
数据处理及结论:
Hall元件参数:b=3.0mm;d=0.20mm;L=5.0mm=;线圈参数:5000 GS/A
1. =0.45A,取1.00,1.50……,4.50mA,测绘关系曲线。
Is/mA
|Vh|/mV
1
2
3
4
Average
1
-2.75
2.95
2.91
-2.82
2.8575
1.5
-4.18
4.42
4.31
-4.26
4.2925
2
-5.59
5.86
5.77
-5.7
5.73
2.5
-7.03
7.31
7.18
-7.16
7.17
3
-8.44
8.76
8.61
-8.6
8.6025
3.5
-9.89
10.19
10.04
-10.04
10.04
4
-11.29
11.66
11.47
-11.49
11.4775
4.5
-12.71
13.1
12.9
-12.94
12.9125
关系曲线
Linear Regression for Data1_B:
Y = A + B * X
Parameter Value Error
------------------------------------------------------------
A -0.01586 0.00138
B 2.87315 4.62348E-4
------------------------------------------------------------
R SD N P
------------------------------------------------------------
1 0.0015 8 <0.0001
------------------------------------------------------------
2. =4.5mA,取0.100,0.150……,0.450A,测绘关系曲线。
Im/A
|Vh|/mV
1
2
3
4
Average
0.1
-2.65
3.04
2.73
-2.86
2.82
0.15
-4
4.42
4.12
-4.28
4.205
0.2
-5.4
5.83
5.52
-5.67
5.605
0.25
-6.8
7.25
6.93
-7.08
7.015
0.3
-8.2
8.69
8.37
-8.51
8.4425
0.35
-9.68
10.16
9.83
-9.97
9.91
0.4
-11.16
11.64
11.35
-11.45
11.4
0.45
-12.68
13.11
12.89
-12.95
12.9075
关系曲线
Linear Regression for Data1_B:
Y = A + B * X
Parameter Value Error
------------------------------------------------------------
A -0.12991 0.0544
B 28.79286 0.18259
------------------------------------------------------------
R SD N P
------------------------------------------------------------
0.99988 0.05917 8 <0.0001
------------------------------------------------------------
3.零磁场: Is=0.1mA;=-8.14mV;
4.判断载流子类型:
如图所示:
电流方向为A-A’ ,通过小磁针判断磁场方向指向纸外,又上板电势高,下板电势底,
可判断载流子为电子。
Hall元件参数:b=3.0mm;d=0.20mm;L=5.0mm=;
由关系曲线可得,斜率k为2.87315 =2.87315
B=线圈参数×=
其单位由CGSM制转换成SI制()可得,
因此,
Hall系数
载流子浓度
电导率
载流子迁移率
误差分析及讨论:
本实验的误差主要来源有如下述:
(1) Hall元件若预热不充分会产生误差;
(2) 使用Hall元件时存在不等位电势差以及其他不对称因素引起的误差;
(3) 使用Hall元件时存在副效应导致的误差;
由于实验中测试仪读数比较稳定,故读数误差较小,主要是仪器误差;
思考题:
1. 若磁场不恰好与霍尔元件片底法线一致,对测量结果有何影响,如何用实验方法判断B与元件法线是否一致?
答:
若磁场不恰好与霍尔元件片底法线一致,偏离不大时,磁场产生切向分量,导致B偏小,测量结果与实际数值相比偏大。
用实验方法判断B与元件法线是否一致。既然与霍尔元件法线不一致磁场的测量结果与实际数值相比偏小,则实验中大致将Hall元件置于气隙中央后,接通工作电压和输出电压,使测量结果取得最小值,即磁场与Hall元件法线一致处。
上述方法操作较繁,在精度要求不太高的情况下,可以使电流反向,若与相差不大,即可以认为B与元件法线一致。
2. 能否用霍尔元件测量交变磁场?
答:可以。因为霍尔效应建立所需时间很短(大约),因此霍尔元件也可以测量交变磁场。测量交流电时,得到的霍尔电压也是交变的。
物理三班
金秀儒
4+ 田
10.31
实验操作比较熟练。
数据处理正确,但思考题有错误。
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