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05
通过
霍尔
效应
测量
磁场
实验报告:通过霍尔效应测量磁场
张贺 PB07210001
一、实验题目:
通过霍尔效应测量磁场
二、实验目的:
通过用霍尔元件测量磁场,判断霍尔元件载流子的类型,计算载流子的浓度和迁移速率,以及了解霍尔效应测试中的各种负效应及消除的方法。
三、实验仪器:
霍尔元件、电磁铁、数字电压表或直流电位差计、晶体管毫伏表、交直流毫安表、直流稳压电源、低频信号发生器等。
四、实验原理:
1 通过霍尔效应测量磁场
霍尔效应装置如图2.3.1-1和图2.3.1-2所示。将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B的方向沿z轴方向),当沿y方向的电极A、A’上施加电流I时,薄片内定向移动的载流子(设平均速率为u)受到洛伦兹力FB的作用,
FB = q u B (1)
无论载流子是负电荷还是正电荷,FB的方向均沿着x方向,在磁力的作用下,载流子发生偏移,产生电荷积累,从而在薄片B、B’两侧产生一个电位差VBB’,形成一个电场E。电场使载流子又受到一个与FB方向相反的电场力FE,
FE=q E = q VBB’ / b (2)
其中b为薄片宽度,FE随着电荷累积而增大,当达到稳定状态时FE=FB,即
q uB = q VBB’ / b (3)
这时在B、B’两侧建立的电场称为霍尔电场,相应的电压称为霍尔电压,电极B、B’称为霍尔电极。
另一方面,射载流子浓度为n,薄片厚度为d,则电流强度I与u的关系为:
(4)
由(3)和(4)可得到
(5)
令,则
(6)
R称为霍尔系数,它体现了材料的霍尔效应大小。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。
在应用中,(6)常以如下形式出现:
(7)
式中称为霍尔元件灵敏度,I称为控制电流。
由式(7)可见,若I、KH已知,只要测出霍尔电压VBB’,即可算出磁场B的大小;并且若知载流子类型(n型半导体多数载流子为电子,P型半导体多数载流子为空穴),则由VBB’的正负可测出磁场方向,反之,若已知磁场方向,则可判断载流子类型。
由于霍尔效应建立所需时间很短(10-12~10-14s),因此霍尔元件使用交流电或者直流电都可。指示交流电时,得到的霍尔电压也是交变的,(7)中的I和VBB’应理解为有效值。
2 霍尔效应实验中的负效应
在实际应用中,伴随霍尔效应经常存在其他效应。例如实际中载流子迁移速率u服从统计分布规律,速度小的载流子受到的洛伦兹力小于霍尔电场作用力,向霍尔电场作用力方向偏转,速度大的载流子受到磁场作用力大于霍尔电场作用力,向洛伦兹力方向偏转。这样使得一侧告诉载流子较多,相当于温度较高,而另一侧低速载流子较多,相当于温度较低。这种横向温差就是温差电动势VE,这种现象称为爱延豪森效应。这种效应建立需要一定时间,如果采用直流电测量时会因此而给霍尔电压测量带来误差,如果采用交流电,则由于交流变化快使得爱延豪森效应来不及建立,可以减小测量误差。
此外,在使用霍尔元件时还存在不等位电动势引起的误差,这是因为霍尔电极B、B’不可能绝对对称焊在霍尔片两侧产生的。由于目前生产工艺水平较高,不等位电动势很小,故一般可以忽略,也可以用一个电位器加以平衡(图2.3.1-1中电位器R1)。
我们可以通过改变IS和磁场B的方向消除大多数付效应。具体说在规定电流和磁场正反方向后,分别测量下列四组不同方向的IS和B组合的VBB’,即
+B, +I
VBB’=V1
-B, +I
VBB’=-V2
-B, -I
VBB’=V3
+B, -I
VBB’=-V4
然后得到霍尔电压平均值,这样虽然不能消除所有的付效应,但其引入的误差不大,可以忽略不计。
电导率测量方法如下图所示。设B’C间距离为L,样品横截面积为S=bd,流经样品电流为IS,在零磁场下,测得B’C间电压为VB’C,根据欧姆定律可以求出材料的电导率。v
五、实验内容:
测试仪由励磁恒流源IM,样品工作恒流源IS,数字电流表,数字毫伏表等组成。仪器面板如下图:
将测试仪上IM输出,IS输出和VH输入三对接线柱分别与实验台上对应接线柱连接。打开测试仪电源开关,预热数分钟后开始实验。
1 保持IM不变,取IM=0.45A,IS取1.00,1.50……,4.50mA,测绘VH-IS曲线,计算RH。
2 保持IS不变,取IS=4.50mA,IM取0.100,0.150……,0.450A,测绘VH-IM曲线。
3 在零磁场下,取IS=0.1mA,测VB’C(即Vd)。
4 确定样品导电类型,并求 n ,u,s 。
六、数据处理:
1实验数据:
b=4.0mm
d=0.5mm
L=3.0mm
规格:C=4400GS/A
2 数据分析:
(1)
原始数据如下:
0.5
1.86
1.84
1.85
1.85
1.85
1.0
3.73
3.70
3.71
3.71
3.71
1.5
5.58
5.54
5.56
5.57
5.56
2.0
7.43
7.36
7.39
7.40
7.40
2.5
9.28
9.22
9.25
9.26
9.25
3.0
11.16
11.09
11.12
11.14
11.13
3.5
13.03
12.95
12.98
13.00
12.99
4.0
14.86
14.76
14.79
14.83
14.81
4.5
16.73
16.62
16.65
16.69
16.67
Oringin作图如下:
线性拟合得到:
y = a + b*x
Value Standard Error
a Intercept -8.33333E-4 0.00918
b Slope 3.70567 0.00326
因此得到斜率K=3.7057(V/A) 误差ΔK=0.0033(V/A)。
故的最终表达式为:
(2)
原始数据如下:
0.05
1.86
1.71
1.72
1.80
1.77
0.10
3.55
3.47
3.49
3.56
3.52
0.15
5.30
5.24
5.26
5.32
5.28
0.20
7.09
7.05
7.07
7.12
7.08
0.25
8.90
8.83
8.90
8.96
8.90
0.30
10.75
10.75
10.77
10.81
10.77
0.35
12.69
12.67
12.71
12.74
12.70
0.40
14.59
14.60
14.64
14.67
14.63
0.45
16.69
16.63
16.67
16.67
16.67
Oringin作图如下:
(3)在零磁场下,测得:
故
(4)通过实验及分析得,样品导电类型为N型。载流子为电子。
载流子浓度n为:
故n的最终表达式为:
材料的电导率σ:由于只测量了一次,故无需计算不确定度。
载流子迁移率μ:
故载流子迁移率μ的最终表达式为:
七、误差分析:
1 测量仪器在正常使用过程中测量环境和仪器性能随机涨落的影响。
2 由于使用的是数字式仪表,得到的测量值有时末位不稳定,因而造成的误差。
八、注意事项:
1 测试仪开机、关机前将IS, IM旋钮逆时针转到底,防止输出电流过大。
2 IS, IM接线不可颠倒,以防烧坏样品。
九、思考题:
1 若磁场不恰好与霍尔元件片的法线一致,对测量结果会有何影响?如何用实验的方法判断B与元件法线是否一致?
答:
(1) 当磁场不恰好与霍尔元件底片法线一致时,设夹角为 θ,则,即测得的RH偏大
(2) 可以利用小磁针放在电磁铁气隙处,根据方向是否平行于电磁铁来判断。