2014201420142014年北京大学年北京大学年北京大学年北京大学938938938938半导体物理考研试题半导体物理考研试题半导体物理考研试题半导体物理考研试题（（（（回忆版回忆版回忆版回忆版））））一一一一、、、、名词解释名词解释名词解释名词解释（（（（30303030分分分分））））1.半导体载流子2.超晶格3.爱因斯坦关系4.声子散射5.俄歇复合6.施主电离能二二二二、、、、计算题计算题计算题计算题1.一块n型半导体，掺杂浓度在体内是呈线性关系，在x=0处为掺杂浓度为N(0)，载流子浓度分别为n，p，电势为0，距离X处的电势为V。画出该半导体在平衡时的能带图，求出X处的载流子浓度分别为多少。2.一块p-i-n的结，如图，p型半导体与n’型半导体之间隔着一块本征半导体，设掺杂浓度分别为Na，Nd，在突变耗尽的条件下求：P型半导体本证半导体N型半导体-Xp0dXn（1）列出泊松方程。（2）求出最大场强Em（3）验证总的电压降ψm=，Wd=Xp+Xn（4）求出总的耗尽层宽度3.异质结原题（2009年第四题）4.Mos原题（2009年第六题）5.金半接触，金属功函数φm＜n型半导体功函数φs，半导体亲和势X，禁带宽度Eg画出该接触的在正向偏压与反向偏压下的能带图，分析C-V关系6.假设距离导带底部三分之一禁带宽度有一个界面态，界面态密度很大，求此时该样品的接触电流。
