芯片制造工艺流程简介.ppt

LED芯片制造工艺流程简介,范青青2011年5月18日,主要内容LED的简单介绍LED芯片制造流程简介,LED是Light Emitting Diode的英文缩写，中文称为发光二极管。发光二极管(LED)是由数层很薄的搀杂半导体材料制成，一层带过量的电子，另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释放出能量，从而辐射出光芒。,LED的简单介绍：,LED芯片的应用：,LED芯片制造流程示意图：,蓝宝石衬底（Al2O3),（衬底厂商提供）,PSS工艺Patterned Sapphire Substrate,图形化蓝宝石衬底,减小反向漏电，提高LED寿命，增强发光亮度,生长外延层（EPI）,芯片前段工艺（wafer）,芯片后段工艺（chip）,封装,晶片投入,台阶光刻前清洗,打印流程卡、标签、分批次防止混片,清洁晶片表面防止台阶光刻后图形不标准,Mesa光刻,用光刻胶做出Mesa图形PR保护P型层，露出N电极位置,Mesa干法刻蚀,无光刻胶保护的地方被刻蚀到N型层露出N电极处的外延层,N电极处,发光区,切割道,CBL沉积,CBL(Current Blocking Layer)电流阻挡层具有扩展表面电流作用,CBL光刻,有光刻胶,无光刻胶,CBL蚀刻,采用湿法蚀刻（氢氟酸）将没有光刻胶保护的地方的SiO2蚀刻掉,SiO2,外延N型层,外延P型层,ITO沉积,ITO（铟锡氧化物），导电性和透光性好作为电流扩展层，有利于芯片的光电性能,SiO2（底层）+ITO（顶层）,ITO,ITO光刻,ITO,将需要ITO的区域（发光区）用光刻胶保护住，为下一步蚀刻做出图形,SiO2（底层）+ITO（顶层）,SiO2（底层）+ITO（中层）+PR,ITO（底层）+PR（顶层）,ITO蚀刻,采用湿法蚀刻，用ITO蚀刻液蚀刻ITO（盐酸和氯化铁等），用HF酸蚀刻SiO2将没有光刻胶保护的地方的ITO和SiO2蚀刻掉,外延P型层,外延N型层,ITO,SiO2（底层）+ITO（顶层）,预退火,进行高温热处理，可降低正向电压、有利于电流扩展层表面接触的形成，提高了出光效率,Metal光刻,用光刻胶形成电极图形,有光刻胶,无光刻胶,灰化（Ashing）酸洗,等离子去胶：利用氧气、氮气等气体清洁芯片表面，使得光刻胶表面更平整，且可去除电极处的负胶提高电极粘附性,Metal蒸镀,沉积Cr.Ni.Au.Ti四种金属,剥离（lift-off）,将电极以外的金属剥离掉,外延P型层,Metal,ITO,SiO2（底层）+Metal（顶层）,钝化层沉积,等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）用SiO2薄膜做钝化层，防止短路，避免杂质原子对芯片表面的吸附，保护芯片（ITO膜），提高发光效率,钝化层光刻,做出钝化层图形,有光刻胶,无光刻胶,钝化层蚀刻,采用干法蚀刻将没有光刻胶保护的地方的SiO2蚀刻掉,外延层+SiO2,外延层+金属层,外延层+ITO+SiO2,外延层+SiO2+ITO+SiO2,快速退火,进行高温热处理，模拟客户使用环境，对不良芯粒做一次筛选,BST,模拟客户打线测试电极粘附性,前段工艺结束,研磨减薄,自动目检,测试,划裂,分选,包装、出货,谢谢！,