·强激光物理与技术·基于小角度V形腔光谱合束的半导体激光器和频*赵宇飞1,2，佟存柱2，魏志鹏1（1.长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春130022；2.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，发光学及应用国家重点实验室，长春130033）摘要：通过小角度V形腔外腔光谱合束将两个808nm半导体激光器合束，提高半导体激光器的输出功率及光束质量。两个合束单元分别工作在795.8nm和800.5nm，将所获光束通过非线性光学方法进行频率转换。外腔光谱合束实现输出功率为6.5W快慢轴光束质量M2=2.2×18.5的光束输出，所获光束慢轴M2因子相较于自由运转单管激光器提高了30%，外腔光谱合束效率为83%。基于所获光源，实现了半导体激光器小角度V形腔外腔光谱合束和频，获得输出功率为18.3mW波长为401.0nm的蓝光输出，和频效率为0.28%。关键词：半导体激光器；外腔光谱合束；高功率；高光束质量；和频中图分类号：TN24文献标志码：Adoi:10.11884/HPLPB202335.230127SumfrequencygenerationofsemiconductorlaserbasedonV-shapedspectralbeamcombiningZhaoYufei1,2，TongCunzhu2，WeiZhipeng1（1.KeyLaboratoryofHighPowerSemiconductorLasers,SchoolofPhysics,ChangchunUniversityofScienceandTechnology,Changchun130022,China;2.StateKeyLaboratoryofLuminescenceandApplications,ChangchunInstituteofOptics,FineMechanicsandPhysics,ChineseAcademyofSciences,Changchun130033,China）Abstract：Two808nmsemiconductorlaserswerecombinedbyV-shapedspectralbeamcombiningandlockedat795.8nmand800.5nmrespectively.Theoutputpowerandbeamqualityintheslowaxiswereimprovedsignificantly.Thesumfrequencyofsemiconductorlaserswasrealizedbasedonthelasersource.Alaserwithanoutputpowerof6.5WandbeamqualityofM2=2.2×18.5wasobtainedbythespectralbeamcombining.TheM2inslowaxiswasimprovedby30%andthecombiningefficiencywas83%.Thesumfrequencylaserwith401.0nmatapowerof18.3mWwasobtainedandtheefficiencyofsumfrequencygenerationwas0.28%.Keywords：diodelaser,externalcavitybeamcombining,highpower,highbeamquality,sumfrequencygeneration半导体激光器具有体积小、质量轻、光电转换效率高等优点，近年来在光存储、医疗、显示和泵浦等领域中取得了重要应用[1-3]。半导体激光器能够产生的激光频率覆盖范围广，但是由于材料以及工艺等方面的...
