模拟电子复习总结（三）：场效应管及其基本放大电路.docx

一、结型场效应管（ JFET ） 1.结构示意图和电路符号 2. 输出特性曲线 （可变电阻区、放大区、截止区、击穿区） 转移特性曲线 UP ----- 截止电压 二、绝缘栅型场效应管（MOSFET） 分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。 结构示意图和电路符号 2. 特性曲线 *N-EMOS的输出特性曲线 * N-EMOS的转移特性曲线 式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。 * N-DMOS的输出特性曲线 注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。 三、场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流IDSS 2.夹断电压Up 3.开启电压UT 4.直流输入电阻RGS 5.低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件) 四、场效应管的小信号等效模型 五、共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析 动态分析 2.分压式偏置放大电路 * 静态分析 * 动态分析 六、共漏极基本放大电路 * 静态分析 点击阅读热文： 场效应管检测方法与经验 功率场效应晶体管(MOSFET)原理 场效应管及其工作原理 增强型、耗尽型MOS场效应管 晶体三极管和场效应管的识别与检测 MOS管和IGBT模块的测试方法 稳压二极管的工作原理及应用电路 二极管其他7种应用电路详解 你不可不知的15个功率二极管知识点 二极管基础知识-分类,应用，特性，原理，参数 肖特基二极管与TVS管 TVS管的应用原理,参数,命名法则以及选型 【分享】如果您觉得本文有用，请点击右上角“…”扩散到朋友圈！ 关注电子工程专辑请搜微信号:“eet-china”或点击本文标题下方“电子工程专辑”字样,进入官方微信“关注”。