美日半导体之战启示下半年看好半导体和5G（电子行业2019年下半年投资策略）-20190604-光大证券-44页.pdf

敬请参阅最后一页特别声明-1-证券研究报告 2019 年 6 月 4 日 电子行业 美日半导体之战启示，下半年看好半导体和 5G 电子行业 2019 年下半年投资策略 行业中期报告 贸易摩擦加速大陆电子产业升级，重点看好半导体和贸易摩擦加速大陆电子产业升级，重点看好半导体和 5G 板块板块 近两年来，中美贸易摩擦成为扰动中国电子产业发展的重要因素，美国多次打击中国高科技行业，这些对中国电子产业的发展造成了深远影响。回顾美日在 80 年代发生的针对半导体的贸易摩擦，我们发现这并不是日本在 DRAM 领域衰退的主要原因，日本半导体产业在贸易摩擦后反而进一步强大。华为事件凸显电子产业自主可控的紧迫性，我们预计未来半导体和 5G 产业的发展将进一步加速。半导体半导体：下半年景气回升，重点看好设计和设备环节下半年景气回升，重点看好设计和设备环节 中兴、华为等事件一再暴露出半导体是我国电子产业最大的软肋，我国在这一领域缺乏核心技术、优秀人才、产业生态。随着贸易摩擦的持续，我们预计国内半导体产业将得到更强有力的支持，未来有望加速发展。从短期来看，目前半导体受到需求、库存等影响较大，上半年处于去库存阶段，下半年有望进入补库存阶段。在这样的行业发展趋势下，我们建议重点关注设计和设备两大环节。5G 终端：终端：5G 手机已来，多环节迎来全面变革手机已来，多环节迎来全面变革 随着 5G 基础设施的逐步实施，我们预计 5G 手机将从 2019 年下半年开始大规模推出，2020 年快速放量，5G 将成为电子行业在未来两年最大的发展动力。5G 作为一种全新的通信标准，将带来毫米波、波束成形、载波聚合、阵列天线等方面的技术革新，也将给手机的基带、RF 前端、天线、射频传输、散热/屏蔽、元件等环节带来变革。很多电子企业已经提前在这些领域有所布局，未来将随着 5G 手机的快速普及而明显受益。投资建议：投资建议：我们建议重点关注半导体和 5G 两大板块，推荐关注 5G 板块的信维信维通信、三环集团、顺络电子、深南电路通信、三环集团、顺络电子、深南电路等，以及半导体板块的汇顶科技、汇顶科技、北方华创北方华创等。风险分析：风险分析：半导体需求持续疲软；5G 手机普及不达预期风险；中美贸易摩擦加剧风险。证券证券 代码代码 公司公司 名称名称 股价股价（元）（元）EPS（元）（元）PE（X）投资投资 评级评级 18A 19E 20E 18A 19E 20E 300136 信维通信 22.26 1.01 1.32 1.66 22 17 13 买入 300408 三环集团 18.88 0.76 0.85 1.06 25 22 18 买入 002138 顺络电子 15.18 0.59 0.71 0.86 26 21 18 买入 002916 深南电路 78.12 2.05 3.29 4.39 38 24 18 买入 603160 汇顶科技 112.34 1.63 3.16 3.71 69 36 30 买入 002371 北方华创 66.74 0.51 0.89 1.37 131 75 49 买入 资料来源：Wind，光大证券研究所预测，股价时间为 2019 年 6 月 3 日 买入（维持）分析师 刘凯(执业证书编号：S0930517100002)021-52523849 联系人 耿正 021-52523862 王经纬 0755-23945524 行业与上证指数对比图-40%-28%-15%-3%10%05-1808-1811-1802-19电子行业沪深300资料来源：Wind 相关研报美国华为禁令短期影响可控，长期有望驱动中国科技产业崛起华为系列跟踪报告之三 2019-05-22 知兴衰，悟定律，硬技术硬内功方为破局之道电子行业深度报告 2019-04-23 技术创新与格局重构安防行业深度报告 2019-04-08 2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-2-证券研究报告 投资投资聚焦聚焦 研究背景研究背景 自从中美贸易摩擦发生以来，科技行业一直是受到打击的重点。贸易摩擦将从两方面影响国内电子产业：首先，关税推升了产品成本，对美国出口压力加大，利润率受到挤压；其次，美国限制出口电子产品，这对中国电子厂商的经营造成直接性的破坏。由于华为是国内电子产业链的重要客户，华为事件的发展将对下半年电子产业的发展和投资机会产生非常重要的影响，也受到了投资者的广泛关注。我们我们的创新之处的创新之处 1、我们认为以华为事件为代表的贸易摩擦将是下半年电子产业的最大扰动变量。5G 是目前电子行业发展的最大动力，而华为不仅仅是 5G 建设的主力军，更是国内电子行业的重要大客户。华为事件的发展将一方面影响上游供应商的出货，另一方面将影响国内 5G 建设的开展，将是未来一段时间最重要的变量。2、我们复盘美日 80 年代进行的半导体贸易摩擦，发现外部因素对日本国内半导体产业发展的影响并不大。通过梳理美日 80 年代关于 DRAM 的贸易争端，我们发现贸易摩擦并不是日本 DRAM 产业衰落的主要原因，主要还是由于产业的变化和韩国厂商的崛起。在此之后，日本着重向高壁垒、高附加值的材料、设备等环节升级，实力反而得到增强。3、我们详细梳理了华为产业链的供应商情况，发现国内厂商在很多环节已经具备替代能力，但普遍性能不强，只能供应低端产品，同时在 FPGA、锁相环、射频、存储、EDA 等环节还有很大的缺失。4、我们详细梳理了 5G 手机在各个环节的变革。由于 5G 要采用众多新技术，这些将对手机的基带、RF 前端、天线、射频传输线、散热/屏蔽、元件等环节带来非常大的变革。我们详细梳理了每个环节的技术变化和需要的新型技术，以及将会受益的厂商。投资观点投资观点 在华为事件影响下，我们预计国内半导体产业将加速发展。从短期来看，目前半导体受到需求、库存等影响较大，上半年处于去库存阶段，下半年有望进入补库存阶段。在这样的行业发展趋势下，我们建议重点关注设计和设备两大环节，推荐受益屏下指纹识别趋势的汇顶科技汇顶科技，和具有技术积累的设备企业北方华创北方华创。与此同时，我们也建议关注兆易创新、北京君正、韦尔股份等收购优质核心资产的企业。5G 基站大规模建设将在 2019 年下半年开启，2020 年就将进入建设高峰期，5G 牌照也有望很快发放。随着 5G 基础设施的逐步实施，我们预计5G 手机将从 2019 年下半年开始大规模推出，2020 年快速放量，5G 将成为电子行业在未来两年最大的发展动力。我们建议投资者重点关注 5G 对于手机在基带、RF 前端、天线、射频传输、散热/屏蔽、元件等环节所带来的变革，以及产生的投资机遇。我们推荐信维通信、三环集团、顺络电子、深信维通信、三环集团、顺络电子、深南电路南电路等将重点参与 5G 创新的标的。国投瑞银2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-3-证券研究报告 目目 录录 1、贸易摩擦将加速大陆电子产业的升级和进步.4 1.1、中美贸易摩擦扰动电子行业发展.4 1.2、以史为鉴，日本电子产业在贸易摩擦后加速升级.5 1.3、华为事件凸显半导体自主可控重要性，5G 终端仍是确定性机会.10 2、半导体：下半年景气回升，重点看好设计和设备环节.14 2.1、2019 年全球半导体景气度前低后高.14 2.2、国家坚定不移地支持半导体行业发展.15 2.3、优选国内半导体设计、设备两大环节.17 2.4、重点关注优质核心资产并购事件.21 2.5、重点关注科创板优质半导体标的.22 3、5G 终端：5G 手机已来，从基带到 RF 前端再到散热屏蔽等多环节迎来全面变革.24 3.1、5G 促进手机变革，多环节迎来新机遇.24 3.2、基带：支持多模多频段，架构设计需全新升级.25 3.3、RF 前端：性能要求提升，需使用新工艺与新材料.27 3.4、天线：采用阵列天线，材料与封装技术全面升级.29 3.5、射频传输线：同轴传输线向 LCP/MPI 传输线升级.31 3.6、散热/屏蔽：需求大幅增加，新材料加速普及.32 3.7、元件：单机用量增加，小型化要求更高.36 4、投资建议.38 4.1、信维通信：射频技术领先，面向 5G 卡位好.38 4.2、三环集团：以材料为基础，打造优质陶瓷产品平台.39 4.3、顺络电子：5G 与新业务驱动长期发展.40 4.4、深南电路：深耕通信板，充分受益 5G 大发展.41 4.5、汇顶科技：拳皇不老，爆品不断.41 4.6、北方华创：半导体设备龙头，受益国内晶圆厂建设.42 5、风险分析.43 2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-4-证券研究报告 1、贸易摩擦将加速大陆电子产业的升级和进步贸易摩擦将加速大陆电子产业的升级和进步 1.1、中美贸易摩擦扰动电子行业发展中美贸易摩擦扰动电子行业发展 近两年来，中美贸易摩擦成为扰动中国电子产业发展的重要因素，美国多次打击中国高科技行业，这些对中国电子产业的发展造成了深远影响。2018 年 4 月 16 日，美国宣布对中兴通讯执行 7 年禁令（美国政府在未来 7 年内禁止中兴通讯向美国企业购买敏感产品）。2018 年 10 月 29 日，美国商务部宣布对福建晋华集成电路有限公司实施禁售令，禁止美国企业向后者出售技术和产品。2019 年 5 月 16 日，美国商务部工业与安全局（BIS）将华为列入“实体清单”，美国企业向华为的出口需要事先得到美国商务部的许可。2019 年 5 月 22 日，根据纽约时报报道，美国政府正在考虑限制安防公司海康威视购买美国技术的能力，将其列入美国商务部的“实体清单”。中美贸易摩擦对中国电子产业影响究竟有几何？中美贸易摩擦对中国电子产业影响究竟有几何？我们分两个方面来看，首先，关税推升了产品成本，对美国出口压力加大，利润率受到挤压；其次，限制出口以封锁中国电子科技技术，当前中国电子产品的部分关键零部件（特别是集成电路）依赖美国，限制出口对中国电子厂商的目前经营造成直接性的破坏。首先，关税会侵蚀中国电子企业的盈利能力。根据对 A 股电子行业（SW划分，219 家）上市公司统计，2018 年 A 股电子行业总收入 19529.66 亿元，归属母公司扣非后净利润为 670.56 亿元，意味着 A 股电子行业净利润率3.43%。从海外收入来看，2018 年 A 股电子行业上市公司海外收入占比为30%，当然这里面也包括欧洲、澳洲、东南亚等非美国地区出口。如果反映到对美国出口，我们估算整体为 10%左右。因此，我国电子产业出口依赖度不低，且整体利润率较薄，惩罚性关税将侵蚀部分公司仅存的一点利润。其次，限制出口短期拖累中国电子产业发展。以集成电路为例，集成电路是最典型的高科技含量的产品，美国一直对中国实施压制。中国企业在DRAM、NAND、CPU、GPU、FPGA 等高端芯片几乎是空白，全部被海外厂商垄断，特别是美国厂商。2017 年，Skyworks 在华收入比重达到 85%，高通在华收入比重达到 69%，NVIDIA 在华收入比重达到 56%，应用材料在华收入比重达到 47%，TI 在华收入比重达到 45%，他们都几乎垄断了中国在各自细分领域的市场。如果美国限制集成电路出口以技术封锁，对美国厂商而言是“发展”的问题，对中国电子厂商而言则是“生存”的问题。2018年发生的中兴通讯事件、福建晋华事件就是最好的见证。2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-5-证券研究报告 图表图表 1：中国核心集成电路的国产芯片占有率低下：中国核心集成电路的国产芯片占有率低下 系统系统 设备设备 核心集成电路核心集成电路 国产芯片占有率国产芯片占有率 国内厂商国内厂商 计算机系统 服务器 MPU 0%龙芯、兆芯、飞腾、申威等 个人电脑 MPU 0%工业应用 MCU 2%中颖电子、华润微电子、华大半导体、兆易创新等 通用电子系统 可编程逻辑设备 FPGA/EPLD 0%京微雅格、高云 FPGA、同方国芯、上海安路、西安智多晶等 数字信号处理设备 DSP 0%中电十四所、龙芯 通信设备 移动通信终端 Application Processor 18%华为海思、展锐等 Communication Processor 22%Embedded MPU 0%中天微、华为海思 Embedded DSP 0%核心网络设备 NPU 15%华为海思 内存设备 半导体存储器 DRAM 0%合肥睿力、长江存储、晋华集成 NAND FLASH 0%长江存储 NORFLASH 5%兆易创新 显示及视频系统 高清电视/智能电视 Image Processor 5%华为海思、芯原微电子 Display Driver 0%中颖电子 资料来源：2017 年中国集成电路产业现状分析魏少军，光大证券研究所 1.2、以史为鉴，日本电子产业在贸易摩擦后加速升级以史为鉴，日本电子产业在贸易摩擦后加速升级 美国和日本在上世纪发生了历时 30 余年的贸易摩擦，其中在 80 年代的争端更是集中在半导体领域。当时半导体产业在日本刚刚生根发芽，就遭受了来自美国的强力打击，与今天中国的科技产业所面临的状况很相似，具有非常强的借鉴意义。1.2.1、日本电子产业在战后快速发展日本电子产业在战后快速发展 二战后，日本的经济实力远远落后于美国和西欧。根据美国经济分析局统计，以 1975 年美元不变价计算，1950 年日本电子工业产值还不到美国的1/55，但是到 1983 年日本电子工业产值已经达到美国电子工业产值的 40%，1985 年日本电子工业产值在世界电子工业总产值中已占 21%的份额。1950 年代起，由于朝鲜战争的爆发，美国对日政策发生了巨大的改变，开始转为支援日本产业发展，大规模向日本转移先进技术，1950 年转移项目不过 22 个，仅 2 年时间，转移的项目就达到 133 个。发展初期，日本电子产业面临了资金短缺、技术落后和国内市场狭小的困难，因此主要以“短、平、快”产品为主要发展对象，收音机、电视机等这类技术难度低且投资较少的消费电子产品得到了有效发展。又因为国内资源贫乏，且国内市场空间较少，只能依赖进口材料加工成成品再出口，日本主要从美国引进技术，然后再以“出口主导”模式谋求发展。1955-1970 年期间，日本黑白/彩色电视机、洗衣机、冰箱、吸尘器、收音机等产品基本完成了国内的普及，并且大幅对外出口，其中最大的出口地就是美国。以收音机为例，20 世纪 50 年代日本生产的半导体收音机风靡全球，1958 年半导体收音机产量超 600 万台，居世界首位。除了美国支援外，日本也通过政策扶持振兴电子工业。早在 1957 年日本政府就制定了电子工业振兴临时措施法，通过立法实现政府与企业界的通力合作，集中人力、物力、财力和技术，并从投资、贷款、税收等各方面给予优惠政策，努力保证完成电子工业振兴法规定的基本任务和振兴目2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-6-证券研究报告 标。该法执行了 7 年，取得明显效果，遂即延长执行。日本自执行电子振兴法以来，电子工业产值由 1957 年的 1678 亿日元（4.7 亿美元）上升到 1971年的3兆3516亿日元（94.5亿美元），增长了十几倍，年均复合增长率23.8%，成为了仅次于美国的第二电子大国。20 世纪 70 年代之后，日本已经实现了产业结构的重工业化，日本开始着手调整产业结构，利用微电子和计算机技术改造传统产业，使它的设备和产品实现电子化和计算机化，这大力促成了以电子技术为核心的高技术产业的形成。为此，日本政府拨研究所需的巨额开发费用和补助金，1970-1980年日本科研经费从 38 亿美元递增至 200 亿美元，仅次于美国。到 1986 年，日本研究开发费用增加至 500 亿美元，约占国民生产总值的 4%。正是得益于日本政府的大力支持和对美国技术的引进、消化、吸收、创新，日本电子产业开始在世界范围内发挥着举足轻重的作用。1970-1985 年的 15 年期间，日本电子产业产值增加了 5 倍，内需增加了 3 倍，出口则增加了 11 倍之多，可谓日本电子产业发展黄金十五年。在日本电子产业发展黄金十五年期间，以索尼、松下等为代表的黑电企业开始大举进军国际市场，逐步取代美国成为全球黑电产业的领导者，在彩电、VTR 以及后期的消费电子领域都形成了垄断性的领先优势。此外，日本半导体产业也在此期间赢得了战略机遇，70 年代后 LSI（Large Scale Integrated Circuit，大规模集成电路）兴起，带来大型计算机的热潮，以 IBM主导的大型机主内存上开始使用半导体存储器，计算机存储器这一块大市场诞生了。日本厂商生产的存储器凭借着质优价廉迅速抢占了市场，到 1985年前后，日本半导体企业在全球 DRAM 的市占率达到了 80%，几乎垄断了市场。到 1985 年，日本电子工业产值与出口额如下：图表图表 2：1985 年日本电子工年日本电子工业产值和出口额（单位：百万日元）业产值和出口额（单位：百万日元）产品名称产品名称 产值产值 同比增长率同比增长率 出口额出口额 同比增长率同比增长率 民用电子产品 4,935,108 4.6%3,519,019 6.4%工业用电子产品 6,926,376 13.3%2,721,323 10.7%电子零部件 5,980,427-1.4%2,970,760-8.2%合计 17,841,911 5.6%9,211,102 2.4%资料来源：日本经济新闻，1986 年 2 月 22 日，光大证券研究所 1.2.2、美国在美国在 80 年代着重打击日本的半导体产业年代着重打击日本的半导体产业 20 世纪 70 年代中期，日本政府与日本主要计算机公司（包括 NEC、日立、三菱、富士通和东芝等五家日本最大的计算机公司）联合签署组成超大规模集成电路（VLSI）研究协会的协议。通过四年的合作，VLSI 研究协会共申请了 1000 项专利，其中 600 项取得了专利权。在技术成果上取得一系列突破后，日本厂商采取大量投资、规模生产的策略，依靠质优价廉的产品在 DRAM 市场上取得世界领先地位。80 年代初，日本在 DRAM 市场所占的份额超过美国跃居世界首位，1986 年日本企业在世界 DRAM 市场所占的份额达到了 80%。在日本企业的进攻下，美国半导体企业的经营出现了很大困难。1981年，AMD 的净利润下滑了超过 2/3，国家半导体则亏损 1100 万美元，而上一年则是盈利 5200 万美元；1982 年，英特尔裁员 2000 人；1985 年，英特2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-7-证券研究报告 尔亏损 1.73 亿美元，并宣布退出 DRAM 产业。与此同时，日本富士通打算收购美国仙童半导体 80%的股权。美国半导体企业的节节败退引发了美国半导体行业协会的反弹，他们在1985 年 6 月提交了 301 条款申请，要求调查日本的不正当竞争手段；1986年春，日本被认定只读存储器倾销；9 月，美日半导体协议签署，日本被要求开放半导体市场，保证 5 年内国外公司获得 20%市场份额；1987 年3 月，美国对日本出口的 3 亿美元芯片征收 100%惩罚性关税。在经过日本的多次让步之后，1987 年 11 月 2 日，美国商务部宣布调查结果，认为日本已经停止芯片倾销行为。至此，美国对日本的半导体贸易摩擦才告一段落。1.2.3、贸易摩擦与日本贸易摩擦与日本 DRAM 产业的衰落关系不大产业的衰落关系不大 在经过 80 年代的美日半导体争端之后，日本在 DRAM 行业经历了长期的衰落。根据日本学者汤之上隆所著的尔必达到底是什么一书，日本在DRAM 行业的市场份额从 1985 年的接近 80%不断下滑，至 2000 之后只有不到 20%的市场份额。表面看起来日本 DRAM 产业的衰落是因为美国的打击，但深究其原因，我们发现其实与贸易摩擦的关系并不大，更多的还是产业自身的发展和各国产业竞争力的变化。图表图表 3：各国家和地区的：各国家和地区的 DRAM 市场份额的变化市场份额的变化 资料来源：尔必达到底是什么汤之上隆，光大证券研究所 日本企业失去的市场份额没有被美国获得，反而是被韩国企业抢占，日本与韩国的市场份额曲线呈现非常明显的剪刀差分布。这是因为韩国企业在政府的强力支持下，抓住 PC 使用的通用型 DRAM 契机，得到快速发展。1984 年，大型机领域的霸主 IBM 推出个人计算机（PC)，标志着个人计算机时代的来临。此后不久，个人计算机在 DRAM 市场上的地位就超过了大型机。个人计算机上搭载的 DRAM 与大型机有很大的区别，个人计算机对 DRAM 寿命的要求要比大型机的要求低，但对价格的要求更为严格。当时日本 DRAM 企业的进入了“创新者的窘境”，由于客户主要是大型机企业，日本 DRAM 企业执着于研发寿命更长、性能更高的 DRAM 产品，却忽略了不要求寿命有多长，只要求其价格低廉的个人计算机市场。以三星为代表的韩国企业则抓住这一契机，在韩国政府的支持下快速切入 DRAM 市场。韩国企业引进大量 DRAM 设备，运用通用技术和低廉价格抢占市场。特别是 90 年代中后期，三星电子的“双向型数据通选方案”得2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-8-证券研究报告 到美国半导体标准化委员会（JEDEC）的认可，其 DRAM 成为与 MPU 匹配的对象，被认定为行业标准。新标准的制定无疑对日本集成电路产业造成很大冲击，原有大型生产线需要按新标准设计 DRAM，失去了最优抢占市场的时机。至此，韩国企业崛起成为 DRAM 行业的主导力量。1.2.4、日本电子产业向高壁垒、高附加值升级，至今实力强大日本电子产业向高壁垒、高附加值升级，至今实力强大 在 DRAM 产业衰落之后，日本电子产业加速向上游的材料和设备这种高壁垒、高附加值的产业升级，至今仍然实力强大。在 MLCC、电感、电阻等被动元件领域，日本厂商占据着绝对领导地位。可以说，目前几乎所有电子产品里面都能找到日本厂商被动元件的料号。在多层陶瓷电容器（MLCC）领域，日本厂商具有绝对领先的市场份额。从 2016 年数据来看，日本村田占据 MLCC 市场 29%的份额，日本的太阳诱电占据 13%的市场份额，日本的 TDK 占据 7%的市场份额，日本厂商在市场份额方面绝对领先。除此之外，日本厂商在高品质 MLCC 领域更具有近乎垄断的地位，苹果所使用的高品质 MLCC 主要采购自村田，对可靠性和稳定性具有很高要求的车规级和工业级 MLCC 主要来自村田、太阳诱电和 TDK。图表图表 4：日本厂商在：日本厂商在 MLCC 领域占据绝对领导地位（领域占据绝对领导地位（2016 年）年）资料来源：满天芯，光大证券研究所 在电阻领域，日本厂商也具有领导地位。国巨是电阻行业的龙头厂商，2016 年占据 34%的市场份额，而 KOA、Rohm、松下、Vishay 等四家日本厂商则拥有 23%的市场份额，仅次于国巨。尽管日本厂商在市场份额上并没有那么明显的优势，但它们在产品品质上则优势明显。例如对可靠性、稳定性具有很高要求的车规级和工业级电阻，就是主要由四家日本厂商生产，而国巨则主要是生产对品质没那么高要求的消费级产品。图表图表 5：日本厂商在电阻领域具有领导地位（：日本厂商在电阻领域具有领导地位（2016 年）年）资料来源：前瞻产业研究院，光大证券研究所 在电感领域，日本厂商也具有领先的实力。村田、TDK 和太阳诱电是全球前三大电感厂商，2017 年的市场份额分别为 13.78%、13.42%和 13.22%，2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-9-证券研究报告 位居前三名。除了市场份额，村田也领先推出了最先进的 01005 电感，日本厂商在技术实力方面也处于领先地位。图表图表 6：日本厂商在电感领域具有绝对领导地位（：日本厂商在电感领域具有绝对领导地位（2017 年）年）资料来源：国际电子商情，光大证券研究所 日本企业在材料领域也具有足够强的话语权。以最典型的半导体产业为例，半导体行业需要大量不同类型的材料，这些材料难度大、纯度高，是对一个国家材料能力的良好衡量。日本企业在半导体材料具有非常强的话语权，例如在关键的硅片领域，日本企业拥有 68%的市场份额；在光罩领域，日本拥有 76%市场份额；在光刻胶领域，日本企业拥有 72%的市场份额。这些材料都是半导体行业最关键、最基础的材料，日本企业话语权足够强大。图表图表 7：日本厂商在半导体材料具有绝对领导地位（：日本厂商在半导体材料具有绝对领导地位（2017 年）年）半导体材料半导体材料 日本份额日本份额 前端半导体材料 硅片 68%合成半导体晶圆 50%光罩 76%光刻胶 72%药液 50%工业气体 12%特殊气体 31%靶材料 50%层间绝缘涂膜 42%保护涂膜 55%CMP 抛光液 29%后端半导体材料 引线架 50%陶瓷板 86%塑料板 89%TAB 68%COF 53%芯片焊接材料 31%焊线 84%封装材料 82%资料来源：国际电子商情，光大证券研究所 在设备领域，日本厂商同样独步全球。半导体行业设备需求大、设备足够多样化、精密度要求高，是衡量一个国家精密设备实力的绝好样本。在半导体领域，日本企业在众多关键环节具有近乎垄断的地位。例如在电子束描画设备方面，日本市场份额达到 93%；在涂布/显影设备方面，日本市场份额达到 98%；在氧化炉方面，日本市场份额达到 83%；在减压 CVD 设备方2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-10-证券研究报告 面，日本市场份额达到 79%。半导体设备只是一个缩影，但已经可以很好地衡量整个日本在精密设备领域的实力。图表图表 8：日本厂商在半导体领域具有绝对领导地位：日本厂商在半导体领域具有绝对领导地位（2017 年）年）半导体生产设备半导体生产设备 日本份额日本份额 前端半导体设备 曝光设备 29%电子束描画设备 93%涂布/显影设备 98%干法刻蚀设备 36%清洗设备 70%氧化炉 83%中电流离子注入设备 33%减压 CVD 设备 79%等离子 CVD 设备 0%金属 CVD 设备 36%溅射设备 23%CMP 设备 41%Cu 电镀设备 0%前端检测设备 中间掩膜检测设备 14%晶圆检测设备 18%后端半导体设备 划片机 97%粘片机 19%丝焊器 17%成型器 54%后端检测设备 逻辑测试器 22%内存测试器 50%混合信号测试器 18%探针器 94%处理器 56%资料来源：国际电子商情，光大证券研究所 1.3、华为华为事件凸显半导体自主可控重要性事件凸显半导体自主可控重要性，5G 终端仍是终端仍是确定性机会确定性机会 1.3.1、华为华为被被列入“实体清单”列入“实体清单”，凸显半导体自主可控重要性凸显半导体自主可控重要性 2019 年 5 月 15 日，美国总统特朗普签署行政命令，要求美国进入“紧急状态”，美国企业不得使用对国家安全构成风险的企业所生产的电信设备。美国商务部工业和安全局把华为公司列入出口管制“实体清单”。美国商务部把华为列入实体清单依据的是美国出口管理条例，而该条例的特点是对外国的交易也加以限制，也就是“区域外适用”，即使是韩国、日本、欧洲等国家的产品也将被管制。如果违反，将被美国政府处以禁止与美国企业交易等行政处罚和刑事处罚。目前据新闻报道，高通、博通、intel 等公司停止向华为供货；谷歌停止华为手机使用完整版安卓系统，华为手机国外用户将受到较大影响。华为硬件产品主要包括通信基站及光通信设备（运营商业务）、手机等消费电子（消费级市场）和服务器等（企业业务）三大产品。除了磁盘存储业务需要依赖从希捷、西部数据等公司进口硬盘、磁盘阵列之外，其余产品2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-11-证券研究报告 线所需进口的零部件均存在国产替代产品，但大部分国产产品的性能暂时无法达到华为现有产品的要求，少部分产品只能在低端市场或者部分环节实现替代，海思的麒麟、Solar 系列 NP、天罡基站芯片已经基本可以实现完全替代。图表图表 9：华为硬件供应链的国产替代情况：华为硬件供应链的国产替代情况 资料来源：集微网 图表图表 10：华为硬件供应链的国产替代情况详解：华为硬件供应链的国产替代情况详解 产品产品 芯片芯片/器件器件 全球主力供应商全球主力供应商 替代供应商替代供应商 国产化率国产化率 通信无线侧通信无线侧-基站设备基站设备 FPGA、CPLD Xilinx、Intel、Microship、Lattice 等 紫光国微、复旦微电子、华为海思、中兴微电子等 1%CPU Intel、AMD 兆芯、海光、华为海思等 5%DSP 德州仪器（TI）、亚德诺（ADI）、日本电器等 日本电器、华为海思 5%锁相环锁相环 德州仪器（TI）、亚德诺（ADI）、Skywords等 华为海思 1%PA（功放）（功放）恩智浦（NXP）、安普隆、住友、Qorvo、德州仪器 TI 等 恩智浦、安普隆、住友、中国电科 5%AD/DA 德州仪器（TI）、亚德诺（ADI）、意法半导体等 意法半导体、振芯科技、苏州云芯、圣邦股份等 5%滤波器滤波器 灿勤科技、武汉凡谷、东山精密等 灿勤科技、武汉凡谷、东山精密、村田、TDK 等 95%基站天线基站天线 华为、世嘉科技、通宇通讯、京信通信等 华为、世嘉科技、通宇通讯、京信通信等 95%光模块光模块（25G 及以下）及以下）光迅科技、新易盛、中际旭创、华工正源、海信宽带、Oclaro、Finisar 等 光迅科技、新易盛、中际旭创、华工正源、海信宽带等 80%光模块光模块-光芯片光芯片（25G 及以下）及以下）三菱、住友、博通、Oclaro、光迅科技、海思、嘉纳海威、中兴等 三菱、住友、光迅科技、海思、嘉纳海威、中兴等 20%光模块光模块-电芯片电芯片 inphi、macom、美信、semtech、飞昂通讯、厦门优讯、华为海思、中兴、烽火通飞昂通讯、厦门优讯、海思、中兴、20%2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-12-证券研究报告 （25G 及以下）及以下）信等 烽火通信等 通信有线侧通信有线侧-光通信设备光通信设备 FPGA、CPLD Xilinx、Intel、Microship、Lattice 等 紫光国微、上海复旦微电子、联发科、海思、中兴微电子等 1%CPU/ASIC Intel、AMD 兆芯、海光、华为海思等 30 MHz），以及镍涂层，用于低频屏蔽。图表图表 45：主流电磁屏蔽材料的特征：主流电磁屏蔽材料的特征 材料材料 原理原理 屏蔽效果（屏蔽效果（因因材料成份、厚度等而异）材料成份、厚度等而异）成本成本 应用特点应用特点 不锈钢（一般镀锡）薄片 屏蔽、反射 50dB 低 一般针对器件的屏蔽，冲压成需要的形状 铜箔 屏蔽、反射 60dB70dB 中 对不规则形状的部位进行粘贴屏蔽 铝箔 屏蔽、反射 60dB70dB 中 导电涂料（一般为银粉、铜粉）屏蔽、反射、吸收 60dB 高 针对复杂不规则部位（面）进行屏蔽 镀导电金属层 屏蔽、反射 50dB70dB 中 泡棉（毡）、板材 铁氧体粉 吸收 40dB 中 针对需要吸收电磁波占主要作用，且吸收空间比较大范围（封闭空间）镍粉 吸收、散射（反射）50dB 中高 炭黑粉 吸收 50dB 中 羰基铁粉 吸收 50dB 中高 资料来源：新材料在线，光大证券研究所整理 5G 对手机电磁屏蔽技术的影响主要体现在材料和制备技术的创新上。对手机电磁屏蔽技术的影响主要体现在材料和制备技术的创新上。一方面，厂商在现有的四大类材料的基础上，优化材料结构，改进成型工艺，例如，镀铝玻璃纤维具有优异的电磁屏蔽性能，同时还具有良好的力学特性，实现了功能化和结构化的结合，未来将成为导电塑料器件填充材料的主力。另一方面，一些新机理的电磁屏蔽材料正在研发，如纳米屏蔽材料可以借助纳米材料特殊的表面效应和体积效应，与其它材料复合也可望获得新型材料，此外还有发泡金属屏蔽材料、本征导电高分子材料等，具体可应用的前景还尚待验证。2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-36-证券研究报告 图表图表 46：电磁屏蔽材料的未来发展方向：电磁屏蔽材料的未来发展方向 材料类别材料类别 未来发展未来发展 金属类 电磁屏蔽材料 将向能直接成型，避免使用硫酸等溶解较厚材料的减薄工艺方向发展 填充类 复合屏蔽材料 镀铝玻璃纤维兼具导电性好、易成型、工艺简单、成本低等电磁屏蔽特性和良好的力学特性，未来将被广泛应用 表面敷层 屏蔽材料 未来导电布衬垫将被更薄的原料布和性能更好的泡棉替代，同时又能满足高温度和高可靠性的要求 导电涂料类 屏蔽材料 未来将采用碳素系导电粉等材料，利用其高导电、高分散结构的性能 其他 发泡金属屏蔽材料、纳米屏蔽材料、本征导电高分子材料等新型材料 资料来源：电子发烧友网，光大证券研究所整理 3.7、元件：单机用量增加，小型化要求更高元件：单机用量增加，小型化要求更高 电阻、电容、电感构成三大被动电子元器件。电阻、电容、电感构成三大被动电子元器件。基于工作时是否需要电流，电子元器件可以分为主动电子元器件和被动电子元器件。其中，被动电子元器件在各类电子电气设备中必不可少，一般包括电阻、电容、电感和射频元件等。电感作为磁性材料产品，在射频系统中得到广泛应用，也是众多被动元件产品中受 5G 影响最大的产品。电感的基本原理是楞次定律。当电感中流过交变电流，产生的磁场就是交变磁场，变化的磁场产生电场，线圈上就有感应电动势，产生感应电流。最终效果就是电感会阻碍流过的电流产生变化，就是电感对交变电流呈高阻抗。同样的电感，电流变化率越高，产生的感应电流越大，那么电感呈现的阻抗就越高；如果同样的电流变化率，不同的电感，如果产生的感应电流越大，那么电感呈现的阻抗就越高。图表图表 47：电感的工作原理：电感的工作原理 资料来源：电子发烧友网，光大证券研究所 电感利用电磁感应原理，能够有效筛选信号、过滤噪声、稳定电流及抑制电磁波干扰等，根据用途可分为高频电感、功率电感和 EMI 电感三种。5G的到来将会大幅增加高频电感的需求。2019-06-04 电子行业 敬请参阅最后一页特别声明-37-证券研究报告 高频电感主要应用于手机、无线路由器等产品的射频电路中，从 100MHz到 6GHz 都有应用。高频电感在射频电路中主要有以下几种作用：匹配(Matching)：与电容一起组成匹配网络，消除器件与传输线之间的阻抗失配，减小反射和损耗；滤波(Filter)：与电容一起组成 LC 滤波器，滤出一些不想要的频率成分，防止干扰器件工作；隔离交流(Choke)：在 PA 等有源射频电路中，将射频信号与直流偏置和直流电源隔离；谐振(Resonance)：与电容一起构成 LC 振荡电路，作为 VCO 的振荡源；巴仑(Balun)：即平衡不平衡转换，与电容一起构成 LC 巴仑，实现单端射频信号与差分信号之间的转换。随着 5G 网络的部署，针对射频电感来说，通信频段的高频化和复杂化，使得射频电感的使用数量不断上升；同时，电感小型化、高 Q 值化提升技术难度和单体价值量。无线终端产品内部电路复杂，PCB 板上电路集成度增加，5G 移动终端将同时兼容 2G、3G、4G、5G 标准，射频前端复杂化，同时配置 GPS、Wi-Fi 接收天线等，内部干扰问题尤为突出，选择扼流用电感、共模扼流电感等器件至关重要。除了用量的增加，5G 还要求电感的尺寸进一步缩小。由于手机内部空间本身就较为狭小，5G 带来的频段增加又需要进一步增加电感用量，所以电感需要进一步小型化，我们预计 01005 电感将在 5G 时代成为主流的电感的型号。01005 电感需要使用薄膜工艺，相比已有的绕线和叠层工艺难度更大，将导致价值量继续提升。图表图表 48：01005 电感的参数特征电感的参数特征 资料来源：顺络电子官网，光大证券研究所 通信技术从通信技术从 2G 到到 5G 的变迁一方