机械行业：科创新秀之中微半导体国际半导体设备产业界公认的后起之秀-20190409-中银国际-23页.pdf

机械机械|证券研究报告证券研究报告 行业行业深度深度 2019 年年 4 月月 9 日日 相关行业研究报告相关行业研究报告 半导体设备行业跟踪半导体设备行业跟踪Semicon China展会新产品层出，国产集成电路工艺设备正在发力展会新产品层出，国产集成电路工艺设备正在发力2019-03-25 半导体设备行业跟踪：盛美半导体半导体设备行业跟踪：盛美半导体 2018年业绩翻倍增长，印证集成电路工艺设备国产化提速年业绩翻倍增长，印证集成电路工艺设备国产化提速2019-03-11 半导体设备行业跟踪：半导体设备行业跟踪：7/5nm制程、存储周期性、制程、存储周期性、5G 应用支撑半导体及设备行业应用支撑半导体及设备行业 2019年先抑后扬年先抑后扬2019-02-15 面板设备行业点评：韩国拟对面板设备行业点评：韩国拟对 OLED设备出口限制，国产设备迎来机遇设备出口限制，国产设备迎来机遇2019-01-07 半导体清洗设备：国际半导体清洗设备新星半导体清洗设备：国际半导体清洗设备新星盛美半导体的成长之路盛美半导体的成长之路2018-6-26 半导体设备行业深度报告：装机大年到来，国产设备随芯崛起半导体设备行业深度报告：装机大年到来，国产设备随芯崛起2017-12-22 相关公司研究报告相关公司研究报告 北方华创：年报业绩符合预期，半导体设备龙头快速成长北方华创：年报业绩符合预期，半导体设备龙头快速成长2019-02-28 精测电子：精测电子：延续延续 10年高增长传奇，年高增长传奇，OLED检测、检测、AOI 检测大幅增长检测大幅增长2019-02-16 北方华创：工艺设备市场地位显著提升，订单有望持续爆发北方华创：工艺设备市场地位显著提升，订单有望持续爆发2018-9-10 中银国际证券股份有限公司中银国际证券股份有限公司 具备证券投资咨询业务资格具备证券投资咨询业务资格 机械机械:半导体设备半导体设备 杨绍辉杨绍辉(8621)20328569 证券投资咨询业务证书编号：S1300514080001 赵琦赵琦 021-20328313 证券投资咨询业务证书编号：S1300518080001*陈祥为本报告重要贡献者 科创新秀科创新秀之：之：中微中微半导体半导体 国际半导体设备产业界公认的后起之秀 备受关注的中微半导体，终于在近期公布招股书冲刺科创板。中微备受关注的中微半导体，终于在近期公布招股书冲刺科创板。中微 2018 年年销售收入销售收入 16.39 亿元，其中刻蚀设备亿元，其中刻蚀设备 5.66 亿元，表明耕耘亿元，表明耕耘 10 余年的中微半余年的中微半导体的集成电路工艺设备销售规模与北方华创、盛美半导体处于相同数量级导体的集成电路工艺设备销售规模与北方华创、盛美半导体处于相同数量级别，中微与北方华创、盛美、拓荆、芯源、中科信、上海微等引领着别，中微与北方华创、盛美、拓荆、芯源、中科信、上海微等引领着集成电集成电路工艺设备路工艺设备国产化。国产化。我们继续强烈推荐半导体设备板块，我们继续强烈推荐半导体设备板块，重点推荐北方华重点推荐北方华创、创、精测电子、精测电子、晶盛机电，晶盛机电，推荐推荐关注盛美半导体、长川科技。关注盛美半导体、长川科技。国产半导体设备中，中微是与北方华创等携手共进致力于实现集成电国产半导体设备中，中微是与北方华创等携手共进致力于实现集成电路路工艺设备国产化的龙头之一。工艺设备国产化的龙头之一。中微成立于 2004年，和睿励、安集微电子、盛美半导体、上海微等老牌国产半导体设备制造商一样，诞生于同一个时代，至今已有 15年经营历史和技术积淀。2018年，中微收入 16亿元，同比增长 69%，扣非净利润 1.8亿元，同比增长 610%。收入结构中，刻蚀设备占比 35%左右，达到 5.66 亿元的销售规模，与北方华创、盛美半导体的集成电路工艺设备销售额基本相当，且相互之间的产品类别互补为主，同为国产集成电路工艺设备龙头。中微中微半导体半导体拥有拥有一支一支豪华的豪华的国际化国际化技术团队。技术团队。公司创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有 35年行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者，拥有应用材料、泛林半导体等国际一流半导体设备企业研发、管理经验。公司的其他联合创始人、核心技术人员，包括杜志游博士、倪图强博士、麦仕义博士、杨伟先生、李天笑先生等在内的 160多位各专业领域专家，大部分在国际半导体设备产业耕耘数十年。公司具备持续的关键公司具备持续的关键技术创新技术创新能力。能力。公司一直以来保持较高的研发投入，2016-2018 年研发费用占收入比例 49.62%、34%、24.65%。截至 2019 年 2月末，公司申请了的发明专利 1,038 项，我们估计等离子刻蚀专利占比80%，MOCVD专利占比 20%，且海外发明专利占比为 45%。电容性等离子体刻蚀设备中，中微开创性地推出甚高频去耦合等离体子刻蚀技术；电感性等离子体源方面，中微创造性地设计新型电感线圈架构；MOCVD 设备方面，中微设计精确定位的托盘锁定机制。中微成为台积电中微成为台积电先进制程先进制程刻蚀设备供应商刻蚀设备供应商之一之一，刻蚀技术得到国内外市，刻蚀技术得到国内外市场高度认可场高度认可。2016-2018年，五大客户收入占比 85.74%、74.52%、60.55%，每年前五名客户包括台积电、中芯国际、海力士、华力微电子、联华电子、长江存储、三安光电、华灿光电、乾照光电等。中微刻蚀设备成功进入台积电 7nm 制程后，中微 5nm 刻蚀机也通过台积电认证，与国际刻蚀设备供应商应用材料、Lam、TEL、日立科技直接竞争。中微先后获得大基金和中微先后获得大基金和 02专项重点支持。专项重点支持。在公司股东中，国家集成电路大基金通过巽鑫投资间接持股中微 19.39%的股份。公司先后承担了五个国家科技发展重大专项研发项目，已顺利完成四个等离子体刻蚀设备的开发和产业化项目，目前正在执行的第五个研发项目已提前两年达到预定技术指标。具备经营管理优势，包括具备经营管理优势，包括员工持股员工持股、独特的经营理念独特的经营理念等等。员工直接或间接合计持有发行人 94,509,140股股份，占发行人股份总数的 19.63%。研发遵循十项设计和开发的基本原则，即在最初开发和设计阶段就充分考虑设备在生产线上可能出现的问题和解决方案，使得公司开发的产品能较快地实现产业化，成为操作简单、性能可靠、好用耐用的设备。投资建议：投资建议：中微以及安集微电子、上海微电子等即将登陆科创板，增强国产集成电路工艺设备与材料的资本实力，继续看好半导体设备板块，强烈推荐北方华创、精测电子、晶盛机电，推荐关注盛美半导体、长川科技。风险因素：风险因素：中国大陆存储厂商投产延缓全球存储芯片周期复苏。2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 2 目目录录 行业领军人物构建强大的研发团队行业领军人物构建强大的研发团队.4 持续的关键技术创新持续的关键技术创新.5 获中国政府大力支持获中国政府大力支持.8 专注刻蚀和薄膜沉积设备专注刻蚀和薄膜沉积设备.9 行业前景：市场规模行业前景：市场规模500 亿美元，刻蚀设备占比上升亿美元，刻蚀设备占比上升.12 中长期看，半导体设备行业增长的三大动因可持续性强.12 刻蚀设备占比 15%-20%，且占比逐年上升.13 行业集中度高，中微介质刻蚀市占率不足行业集中度高，中微介质刻蚀市占率不足 5%.15 中微竞争优势中微竞争优势.18 募投项目募投项目.20 2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 3 图表图表目录目录 图表图表 1.核心技术团队成员核心技术团队成员.4 图表图表 2.电容等离子体刻蚀设备核心技术概况电容等离子体刻蚀设备核心技术概况.5 图表图表 3.电容等离子体刻蚀设备核心技术电容等离子体刻蚀设备核心技术具体表征具体表征.5 图表图表 4.电感性等离子体刻蚀设备核心技术概况电感性等离子体刻蚀设备核心技术概况.6 图表图表 5.电感性等离子体刻蚀设备核心技术电感性等离子体刻蚀设备核心技术具体表征具体表征.6 图表图表 6.深硅刻蚀设备（深硅刻蚀设备（TSV系列）核心技术概况系列）核心技术概况.6 图表图表 7.深硅刻蚀设备（深硅刻蚀设备（TSV系列）核心技术具体表征系列）核心技术具体表征.6 图表图表 8.MOCVD设备核心技术概况设备核心技术概况.6 图表图表 9.MOCVD设备核心技术具体表征设备核心技术具体表征.7 图表图表 10.中微中微重大专项研发项目重大专项研发项目.8 图表图表 11.中微主要产品演变中微主要产品演变.9 图表图表 12.Semicon China展会新产品统计展会新产品统计.10 图表图表 13.国内半导体设备企业收入规模对比国内半导体设备企业收入规模对比 单位：亿元单位：亿元.11 图表图表 14.中微半导体近三年收入结构中微半导体近三年收入结构.11 图表图表 15.2018-2019年全球半导体设备市场规模的最新预测年全球半导体设备市场规模的最新预测.12 图表图表 16.AI大数据时代的半导体制程设备市场规模再上台阶大数据时代的半导体制程设备市场规模再上台阶.12 图表图表 17.等离子刻蚀工艺步骤随制程微缩而大幅增加等离子刻蚀工艺步骤随制程微缩而大幅增加.13 图表图表 18.线宽微缩和线宽微缩和 3D化拉动晶圆制造设备投资剧增化拉动晶圆制造设备投资剧增.13 图表图表 19.2017年集成电路行业各类设备销售额占比年集成电路行业各类设备销售额占比.14 图表图表 20.2017年各类晶圆年各类晶圆制造设备的市场规模占比变化趋势制造设备的市场规模占比变化趋势.14 图表图表 20.全球半导体设备企业市占率全球半导体设备企业市占率.15 图表图表 21.各类制程设备的行业竞争格局各类制程设备的行业竞争格局.15 图表图表 22.中微在干法刻中微在干法刻蚀及介质刻蚀设备的全球市占率蚀及介质刻蚀设备的全球市占率.16 图表图表 23.中微在国内某两个存储厂商刻蚀设备的订单份额中微在国内某两个存储厂商刻蚀设备的订单份额.16 图表图表 24.国内国内 MOCVD设备行业竞争格局设备行业竞争格局.17 图表图表 25.中微中微电容性等离子体刻蚀设备电容性等离子体刻蚀设备竞争力竞争力.18 图表图表 26.中微中微电感性等离子体刻蚀设备电感性等离子体刻蚀设备竞争力竞争力.18 图表图表 27.中微中微深硅刻蚀设备（深硅刻蚀设备（TSVTSV 系列）系列）竞争力竞争力.18 图表图表 28.中微中微 MOMOCVCVD D 设备设备竞争力竞争力.18 图表图表 29.中微中微电感性等离子体刻蚀设备电感性等离子体刻蚀设备竞争力竞争力.20 图表图表 30.报告中提及上市公司估值表报告中提及上市公司估值表.21 2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 4 行业领军人物构建强大的研发团队行业领军人物构建强大的研发团队 公司创始人、董事长及总经理尹志尧博士：在半导体芯片和设备产业有 35年行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者；拥有应用材料、泛林半导体等国际一流半导体设备企业研发、管理经验。创办中微公司以前，尹博士于 1984年至 1986年间供职于英特尔，从事核心技术开发工作；于 1986年至 1991年间在泛林半导体负责领导若干重点产品的刻蚀技术开发；于 1991年至 2004年间在应用材料担任高级管理职务，包括企业副总裁、刻蚀产品事业部总经理、亚洲总部首席技术官；是 89项美国专利和 200多项其他海内外专利的主要发明人；2018年美国 VLSI Research的全球评比中，中微公司董事长尹志尧博士与英特尔董事长、格罗方德 CEO等一起被评为 2018年国际半导体产业十大领军明星（All Stars）。公司的其他联合创始人、核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括杜志游博士、倪图强博士、麦仕义博士、杨伟先生、李天笑先生等 160 多位各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与创立或后续加入中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设计，做出了不可替代的贡献。图表图表 1.核心技术团队成核心技术团队成员员 公司职称公司职称 学历学历 加入中微前的工作经历加入中微前的工作经历 负责部门负责部门 尹志尧博士 创始人、董事长 中国科学技术大学学士，加州大学洛杉矶分校博士 1984-1986年，就职于英特尔中心技术开发部，担任工艺工程师；1986-1991年，就职于 Lam Research，历任研发部资深工程师、研发部资深经理；1991-2004年，就职于 Applied Materials，历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官 刻蚀 杜志游博士 董事及副总经理 上海交通大学学士，美国麻省理工学院硕士、博士 1990-1999年，历任 Praxair Inc.高级工程师、经理、董事总经理等；1999-2001年，担任应用材料全球供应管理经理；2001-2004年，担任梅特勒-托利多上海子公司总经理 MOCVD 倪图强博士 副总经理 中国科学技术大学学士、硕士，美国德州大学博士、博士后 1995-2004年，担任泛林半导体技术总监 刻蚀 麦仕义博士 副总裁 美国国籍，台湾大学学士、美国马里兰大学博士 1985-1989年，担任英特尔资深工程师；1989-2003年，担任应用材料资深总监；2004年 1月至 2004年 6月，担任英特尔项目经理 CCP等离子体刻蚀产品 杨伟 副总裁 西安交通大学学士、硕士 1993-1995年，担任智群科技股份有限公司项目经理；1995-2004年，担任应用材料软件部资深总监 共同工程部 李天笑 副总裁 复旦大学学士、美国韦恩大学硕士、美国纽约大学硕士 1990-1995年，担任美国索尼资深电气工程师；1995-2004年，担任应用材料亚太项目经理 共用电气工程技术部 资料来源：公司招股书，中银国际证券 2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 5 持续的关键持续的关键技术创新技术创新 公司聚集国际和国内一流的技术人才。针对设备等不同研发对象和项目产品，组成了分工明确的专业研发团队。截至 2018年末，公司共有研发和工程技术人员 381名，占员工总数的 58%。公司一直以来保持较高的研发投入，2016-2018年研发费用占收入比例 49.62%、34%、24.65%。截至 2019年 2月末，公司申请了 1,201项专利，其中发明专利 1,038项，海外发明专利 465项，海外发明专利占比为 45%。公司专利中，我们估计等离子刻蚀专利占比 80%，MOCVD专利占比 20%。公司在开发等离子体刻蚀设备和 MOCVD设备的过程中，始终强调创新和差异化：电容性等离子体刻蚀设备：开创性地推出甚高频去耦合等离体子刻蚀技术；电感性等离子体源：创造性地设计新型电感线圈架构，极大减少电容性耦合引起的不良作用；MOCVD设备：设计精确定位的托盘锁定机制。图表图表 2.电容等离子体刻蚀设备核心技术电容等离子体刻蚀设备核心技术概况概况 名称名称 技术来源技术来源 专利及其他技术保专利及其他技术保护措施护措施 技术水平技术水平 应用和贡献情况应用和贡献情况 Prime D-RIE Prime AD-RIE Prime SSC AD-RIE Prime SSC HD-RIE 双反应台高产出率技术 自主研发 已获授权专利 5项 国际先进 已量产 已量产-同时加工 2片晶圆且不干扰加工精度 接触式上电极喷淋板技术 自主研发 已获授权专利 10项；申请中专利 6项 国际先进 已量产 已量产 已量产 已量产 晶圆边缘区域气帘技术 自主研发 已获授权专利 2项；申请中专利 2项 国际先进-已量产 已量产 已量产 脉冲阻抗匹配技术 自主研发 已获授权专利 11项；申请中专利 2项 国际先进-已量产 已量产 已量产 等离子体约束技术 自主研发 已获授权专利 7项；申请中专利 3项 国际先进 已量产 已量产 已量产 已量产 资料来源：公司招股书，中银国际证券 注：应用和贡献情况的已量产表示该核心技术已经在该机台上得到量产运用 图表图表 3.电容等离子体刻蚀设备核心技术电容等离子体刻蚀设备核心技术具体表征具体表征 名称名称 具体表征具体表征 双反应台高产出率技术 目前国际上的晶圆加工设备为保证加工精度，普遍采用单反应台方式，即每个工艺模块只配臵一个反应台并一次加工一片晶圆。公司的高输出量等离子体反应腔能同时加工 2片晶圆且不干扰加工精度，有效增加产出率，可同时减少设备生产成本。接触式上电极喷淋板技术 公司的电极喷淋板技术采用了新型陶瓷材料、新型的加工方法并实现了耐腐蚀性；该技术采用喷淋板与控温体机械接触方式，不仅突破了受到专利保护的粘合技术，而且能实现相比粘合和技术更低的缺陷数和制造成本。晶圆边缘区域气帘技术 提高晶圆加工良率的一大难点在于晶圆边缘的处理，气帘技术通过特殊的气路和气流通道孔径设计，在保证刻蚀均匀度的同时在晶圆边缘形成大流量气体帘以达到阻碍异物颗粒从晶圆周边进入晶圆上方导致沉降式颗粒缺陷的目的。脉冲阻抗匹配技术 高深宽比刻蚀中需要对沟槽底部积累电荷进行去除，以改善图形畸变问题，脉冲射频等离子体是可采用的有效手段之一，但其挑战性在于射频阻抗匹配技术。公司自主开发的双水平双频脉冲射频等离子体阻抗匹配技术，有效解决了脉冲射频等离子体的边率输出稳定性难题，实现对沟槽底部积累电荷进行去除。等离子体约束技术 等离子体约束是在反应腔中将等离子体约束在晶圆反应区以内，以提高刻蚀效率并降低非晶圆加工区污染的技术，公司自主研发的等离子体约束技术基于电场屏蔽原理，通过对约束环的通孔尺寸形状以及射频通路的特殊设计，实现了在有效约束等离子体的情况下把对反应腔抽气能力的影响降到最低。资料来源：公司招股书，中银国际证券 2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 6 图表图表 4.电感性等离子体刻蚀设备核心技术电感性等离子体刻蚀设备核心技术概况概况 名称名称 技术来源技术来源 专利及其他技术保护措施专利及其他技术保护措施 技术水平技术水平 应用和贡献情况应用和贡献情况 Prime nanova 低电容耦合线圈技术 自主研发 已获授权专利 4项；申请中专利 1项 国际先进 已量产 抗损耗氧化钇镀膜技术 自主研发 已获授权专利 8项；申请中专利 1项 国际先进 已量产 反应腔对称抽气技术 自主研发 已获授权专利 2项 国际先进 已量产 资料来源：公司招股书，中银国际证券 图表图表 5.电感性等离子体刻蚀设备核心技术电感性等离子体刻蚀设备核心技术具体表征具体表征 名称名称 具体表征具体表征 低电容耦合线圈技术 公司低电容耦合线圈技术采用三维立体的线圈架构，通过独特的线路和连接设计以及相配合的射频匹配优化，实现了在不影响射频功率耦合效率和分区域电流调节的情况下，最大限度地降低电容耦合成分，从而提高刻蚀的选择性并加大工艺窗口。抗损耗氧化钇镀膜技术 公司自主研发的基于物理气相淀积方式的镀膜技术在多方面超越了通用的等离子喷涂技术，其抗等离子体侵蚀的能力增加，多孔性降低从而提高了设备加工重复性并降低缺陷率。反应腔对称抽气技术 公司对称抽气技术采用了轴对称设计，提高了径向和切向的气流均匀性，并有效解决了下电极射频耦合、热传导以及射频电流回路所遇到的问题。资料来源：公司招股书，中银国际证券 图表图表 6.深硅刻蚀设备（深硅刻蚀设备（TSV 系列）核心技术系列）核心技术概况概况 名称名称 技术来源技术来源 专利及其他技术保护措施专利及其他技术保护措施 技术水平技术水平 应用和贡献情况应用和贡献情况 TSV设备 双反应台高产出率技术 自主研发 已获授权专利 3项；申请中专利 1项 国际先进 已量产 侧引入气体均匀化技术 自主研发 已获授权专利 13项；申请中专利 1项 国际先进 已量产 高速气体转换技术 自主研发 已获授权专利 9项；申请中专利 1项 国际先进 已量产 资料来源：公司招股书，中银国际证券 图表图表 7.深硅刻蚀设备（深硅刻蚀设备（TSV 系列）核心技术具体系列）核心技术具体表征表征 名称名称 具体表征具体表征 双反应台高产出率技术 公司 TSV设备采用双反应台系统，通过一次加工两片晶圆有效增加产出率，通过共用气系统和抽气系统来降低设备成本。侧引入气体均匀化技术 该技术是在顶部进气的基础上，增加了从反应腔侧面供气的通道，并配合关键的中心导流板，从而能够满足刻蚀均匀度的需要。高速气体转换技术 公司自主研发的高速气体转换技术采用高速气流控制器、优化和缩短气流通道技术，以及优化的变频式射频匹配技术等，可实现气体快速切换，从而优化了刻蚀形貌。资料来源：公司招股书，中银国际证券 图表图表 8.MOCVD 设备核心技术概况设备核心技术概况 名称名称 技术来源技术来源 专利及其他技术保护措施专利及其他技术保护措施 技术水平技术水平 应用和贡献情况应用和贡献情况 Prime D-blue Prime A7 双区可调控工艺气体喷淋头 自主研发 已获授权专利 18项；申请中专利 1项 国际先进-已量产 高温度均匀性加热器和带锁托盘驱动技术 自主研发 已获授权专利 1项；申请中专利 2项 国际先进 已量产 已量产 高精度可编程托盘传输技术 自主研发 已获授权专利 4项；申请中专利 1项 国际先进 已量产 已量产 智能化温控技术 自主研发 已获授权专利 16项；申请中专利 1项 国际先进 已量产 已量产 资料来源：公司招股书，中银国际证券 2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 7 图表图表 9.MOCVD 设备核心技术具体表征设备核心技术具体表征 名称名称 具体表征具体表征 双区可调控工艺气体喷淋头 更高的气体和 MO源利用率，可根据不同外延生长材料（氮化镓和铝镓氮）选择不同区 MO源的配比，更高的 MO源利用率的同时拥有更好的厚度及组分的均匀性。高温度均匀性加热器和带锁托盘驱动技术 加热器最高温度可达 1200，加热片材料为高纯度难熔金融及高温合金，表面采用特殊处理方式使其具有高热发射率；加热器分为多个不同的区，每区独立控制温度；转轴与托盘接口的肩托卡槽式设计。高精度可编程托盘传输技术 独立的石墨盘双层冷却系统，具有冷却效果好、生产效率高以及更好的耐高温性等有限；与先进机械手厂商合作机械手；肩托卡槽式设计使托盘的传输定位更加准确。智能化温控技术 调节范围大（温度控制范围达到 450-1200）；动态响应快（响应范围宽至 0.01/秒-3/秒）；稳态精度高（最大超调范围 0.5%，稳态精度 0.5%）。资料来源：公司招股书，中银国际证券 2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 8 获中国政府获中国政府大力大力支持支持 1、公司先后承担了五个国家科技发展重大专项研发项目，是执行国家科技发展重大专项的标杆单位。公司已顺利完成四个等离子体刻蚀设备的开发和产业化项目。目前正在执行的第五个研发项目已提前两年达到预定技术指标。图表图表 10.中微中微重大专项研发项目重大专项研发项目 序号序号 项目类别项目类别 重大科研项目名称重大科研项目名称 项目时间项目时间 1 国家科技重大专项 65-45nm介质刻蚀机研发与产业化 2009.1-2012.7 2 上海市高新技术产业化重大项目计划 高端 MOCVD设备研发及产业化 2018.8-2013.12 3 国家科技重大专项 32-22nm介质刻蚀机研发与产业化 2011.1-2014.9 4 20120年度上海市战略新兴产业项目 450mm大尺寸刻蚀机研发 2013.1-2015.12 5 国家科技重大专项 22-14nm介质刻蚀机开发及关键零部件国产化 2013.1-2016.12 6 国家科技重大专项 14-7nm介质刻蚀机研发及产业化 2016.1-至今 7 国家科技重大专项 刻蚀工艺零部件验证与应用 2017.1至今 资料来源：公司招股书，中银国际证券 2、国家集成电路大基金持股比例为 19.39%，大基金通过巽鑫投资间接持股。3、享受行业政策红利。例如，2014年 6月出台的国家集成电路产业发展推进纲要强调，进一步突出企业的主体地位，以需求为导向，以技术创新、模式创新和体制机制创新为动力，突破集成电路关键装备和材料瓶颈，推动产业整体提升，实现跨越式发展。国家高度重视和大力支持行业发展，相继出台了多项政策，推动中国半导体产业的发展和加速国产化进程，将半导体产业发展提升到国家战略的高度，充分显示出国家发展半导体产业的决心。2018年 国务院政府工作报告 亦强调“加快制造强国建设。推动集成电路、第五代移动通信、飞机发动机、新能源汽车、新材料等产业发展”。公司所处的设备制造业是集成电路产业的制高点，在现代电子信息产业中占有极其重要的地位。一系列支持法规和政策的推出，为公司提供了难能可贵的发展机遇。2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 9 专注刻蚀和薄膜沉积设备专注刻蚀和薄膜沉积设备 公司定位高端半导体设备制造，主要业务是开发加工微观器件的大型真空工艺设备，包括等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备。等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备与光刻机是制造集成电路、LED 芯片等微观器件的最关键设备。自 2004年成立伊始，中微公司首先开发甚高频去耦合等离子体刻蚀设备 Primo D-RIE，到目前为止已成功开发了双反应台 Primo D-RIE、双反应台 PrimoAD-RIE和单反应台 Primo SSC AD-RIE三代刻蚀设备，涵盖 65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米和 5纳米微观器件的众多刻蚀应用。2012年中微公司开发电感性等离子体刻蚀设备，到目前为止已成功开发单反应台 Primo nanova刻蚀设备，并同时开发双反应台电感性等离子体刻蚀设备，主要涵盖 14纳米以下微观器件的刻蚀应用。中微公司还针对集成电路先进封装和 MEMS 传感器产业发展的市场需求，开发了广泛应用于这些领域的电感性等离子体深硅刻蚀设备。薄膜沉积设备方面，2010 年中微公司开始开发用于 LED 器件加工中最关键的设备MOCVD 设备。公司已开发了三代 MOCVD设备，该设备是一种高端薄膜沉积设备，主要用于蓝绿光 LED和功率器件等生产加工，包括第一代设备 Prismo D-Blue、第二代设备 Prismo A7及第三代更大尺寸设备。图表图表 11.中微中微主要产品演变主要产品演变 资料来源：公司招股书，中银国际证券 随着公司持续的技术创新和市场开拓，公司核心竞争力持续提升并取得了良好的经营成果。公司的半导体设备产品线逐渐扩充并实现规模化销售，已经形成刻蚀设备和 MOCVD设备并重的收入结构，新一代产品也逐渐进入市场。2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 10 图表图表 12.Semicon China 展会新产品统计展会新产品统计 公司公司 产品类别产品类别 2019年主打产品年主打产品 备注备注 DISCO 晶圆加工设备 等离子体切割设备 北方华创 沉积、刻蚀、清洗、氧化扩散等 ALD、ALE、铜互连 PVD 华海清科 CMP Universal-300Plus、Universal-300Dual Si抛光到 Oxide，到 STI，到现在的 Cu CMP。2015年进入中芯国际，2018年进入上海华力 Advantest ATE V93000人工智能(AI)测试解决方案 2018年推出 T2000 AiR系统、EVA100量测系统 Teradyne ATE 针对 5G,汽车电子和人工智能领域的芯片测试的组合解决方案 屹唐（Mattson）去胶设备 HydrilisTM（真空传送平台）和 NovykaTM（高性能表面处理设备）盛美半导体 单片清洗设备 多阳极局部电镀铜设备，先进封装抛铜设备，以及 Tahoe高温硫酸清洗设备等三款最新产品 北京华峰测控 ATE STS8300，可实现 ALL-in-ONE，针对更多管脚、更多工位的模拟、电源管理及混合信号 IC测试 成立于 1993年 宏实自动化 ATE 封装自动化、测试机解决方案、传感器测试机械手、紫外线硅片记忆抹除机、湿制程浓度分析仪 成立于 2014年，集成电路制程设备项目、自动化系统集成项目、智能工厂系统集成项目 晶盛机电 硅片加工、长晶炉 抛光机 京创先进 半导体划片设备 AR9000全自动设备和 AC8000改进型清洗机 2018年推出 AR3000、AR7000、AR8000 中科信 离子注入机 重点展示离子注入机 2018年推出新一代的 CI P900HP 中束流离子注入机 上海精测 工艺流程控制 首次展出膜厚设备等 光力科技 晶圆加工设备 GDS6230双轴半自动切割机 不久将会推向市场 上海微电子 光刻设备、曝光机 应用于 IC前道制造的 600系列光刻机、应用于IC后道先进封装的 500系列投影光刻机、应用于LED/MEMS/Power Devices制造的300系列投影光刻机、应用于 FPD面板制造的 200系列投影光刻机、SOI晶圆缺陷自动检测设备 2002年成立。2018年展出新一代超高产率、高精度 LED步进投影光刻机SSB380/10A光刻机；应用于 IC前道制造的 600系列光刻机、应用于 IC后道先进封装的 500系列光刻机 长川科技 ATE 探针台、晶圆表面缺陷检测设备 中微中微 刻蚀设备刻蚀设备 7nm刻蚀设备刻蚀设备 Prismo A7 无锡微导 沉积、刻蚀 原子层沉积团簇系统 Dragon 3000、半导体全自动晶圆蚀刻设备、半导体精密打标设备 资料来源：Semicon China 2019，中银国际证券 公司营业收入保持高增长，从 2016年的 6.10亿元增长至 2018年的 16.39亿元，年均复合增长率达 64%，成长性突出。2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 11 图表图表 13.国内半导体设备企业收入规模对比国内半导体设备企业收入规模对比 单位：亿元单位：亿元 资料来源：公司招股书，中银国际证券 在 2018年收入结构中，刻蚀设备销售收入达到 5.66亿元，占比 35%，MOCVD设备销售收入 8.32亿元，占比 51%，备品备件收入 2.27亿元，占比 14%。图表图表 14.中微半导体近三年中微半导体近三年收入结构收入结构 2016 占比占比(%)2017 占比占比(%)2018 占比占比(%)营业总收入营业总收入 专用设备 4.88 80 8.26 85 13.98 85 MOCVD设备 0.16 3 5.30 55 8.32 51 刻蚀设备 4.70 77 2.89 30 5.66 35 其他设备 0.02 0 0.07 1 0 备品备件 1.16 19 1.35 14 2.27 14 设备维护 0.06 1 0.11 1 0.14 1 其他业务-0 0.00 0 0.01 0 总 计 6.10 100 9.72 100 16.39 100 资料来源：公司招股书，中银国际证券 刻蚀设备：2016-2018年销售数量分别为 56、33、71个腔室，均价分别为 840、876、797万元/腔。MOCVD：2016-2018年销售数量分别为 3、57、106个腔室，均价分别为 519、930、785万元/腔。2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 12 行业前景行业前景：市场规模：市场规模500 亿美元，刻蚀设备占比上升亿美元，刻蚀设备占比上升 半导体设备行业规模中枢从 300亿抬升到 600亿美元。据 SEMI统计，2018年全球半导体设备市场规模 605亿美元，相比 2017年 552亿美元同比增长 9.6%。SEMI预计 2019年全球半导体设备市场规模达到 558亿美元，同比下滑 7.8%，但 2020年全球半导体设备市场规模重返 600亿美元以上。图表图表 15.2018-2019 年全球半导体设备市场规模的最新预测年全球半导体设备市场规模的最新预测 2017 同比同比(%)2018 同比同比(%)2019 同比同比(%)北美 54 19.70 48(10.50)50 3.00 中国大陆 66 2.50 122 84.30 120(2.00)欧洲 40 83.00 45 11.80 43(5.60)日本 64 38.40 87 36.30 86(1.00)韩国 198 157.30 185(6.50)121(34.70)东南亚 19 0.00 26 37.60 24(4.60)中国台湾 111(8.90)92(17.30)114 24.20 全球合计 552 33.90 605 9.60 558(7.80)资料来源：SEMI，中银国际证券 中长期看，半导体设备行业增长的三大动因可持续性强中长期看，半导体设备行业增长的三大动因可持续性强 动因动因 1：人工智能大数据时代等将成为芯片新需求，从而推动半导体设备行业规模整体上升。：人工智能大数据时代等将成为芯片新需求，从而推动半导体设备行业规模整体上升。2000-2010年是全球 PC互联网时代，半导体制程设备行业的市场规模位于 250亿美元平均水平（制程设备占道半导体设备行业整体的 70%-80%）。到了 2010-2017年，人类进入了智能手机社交媒体时代，半导体制程设备行业的市场规模上升到 320 亿美元的平均线上。2017-2020 年，人类将进入了人工智能和物联网时代，半导体制程设备的市场规模增加到 450亿美元的数量级。图表图表 16.AI 大数据时代的半导体制程设备市场规模再上台阶大数据时代的半导体制程设备市场规模再上台阶 资料来源：、中银国际证券 2019年 4月 9日 科创新秀之：中微半导体 13 动因动因 2：半导体新的工艺节点，需要更多更复杂的刻蚀、薄膜工艺、清洗工艺、检测工艺等等，这：半导体新的工艺节点，需要更多更复杂的刻蚀、薄膜工艺、清洗工艺、检测工艺等等，这也会带动每万片晶圆产能的投资额大幅增加。也会带动每万片晶圆产能的投资额大幅增加。逻辑芯片从 65nm 工艺发展到 28nm，等离子刻蚀工艺步骤从 20 步增加到 40 步，而从 20nm 工艺发展到 7nm 工艺时，等离子刻蚀工艺步骤从 40 步增加到140步，全部工艺步骤也从不到 1000步增加到 1500个步骤，相同晶圆产能的投资额将增加 1倍左右，而 memory的投资额增幅更大。图表图表 17.等离子刻蚀工艺步骤随等离子刻蚀工艺步骤随制程制程微缩微缩而大幅增加而大幅增加 Logic 器件器件 65纳米纳米 45纳米纳米 28纳米纳米 20纳米纳米 14纳米纳米 10 纳米纳米 7纳米纳米 5纳米纳米 头发丝的直径 1/3000 1/5000 1/7000 1/10000 1/14000 等离子蚀刻机 20 30 40 55步骤 65步骤 115步骤 140步骤 160步骤 全工艺步骤 1000步骤 1100步骤 1400步骤 1500步骤 2000步骤 资料来源：中微半导体,中银国际证券 动因动因 3：集成电路新的图形技术，导致每万片晶圆产能的投资额大幅增加：集成电路新的图形技术，导致每万片晶圆产能的投资额大幅增加。例如 3D NAND 工艺替代2D NAND 工艺，每万片晶圆产能的投资额将增加 60%；平板显示技术 OLED 的投资额较相同世代的TFT-LCD产线投资增加 400%以上。图表图表 18.线宽微缩和线宽微缩和 3D 化拉动晶圆制造设备投资剧增化拉动晶圆制造设备投资剧增 资料来源：、中银国际证券 刻蚀设备刻蚀设备占比占比 15%-20%，且占比逐年上升，且占比逐年上升 晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类，其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的 75%左右，其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据 SEMI统计，2017年按全球