光耦的设计及电气特性解析.pdf

光耦的设计及电气特性解析光耦的设计及电气特性解析H HXiXiHuHu XinXinJuly,2009July,20092009/7/141题外话题外话?器件在电源设计中的重要性?器件在电源设计中的重要性?器件成本与性能的平衡?器件封装,成本与PCB空间的平衡?设计的裕量器件各项性能的l?设计的裕量器件各项性能的toleranceContentsContents?光耦主要电气规格的定义与解释?光耦主要电气规格的定义与解释?光耦CTR变化对设计的影响?光耦的寿命计算?光耦的小信号特征及其对环路的影响?光耦的小信号特征及其对环路的影响?提高设计效率的建议2009/7/143?光耦主要电气规格的定义与解释?光耦主要电气规格的定义与解释2009/7/144?光耦主要电气规格的定义与解释FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1452009/7/145Series from VISHAY?光耦主要电气规格的定义与解释用处:基于电气绝缘的信号传递光耦包括一个光发射二极管(LED),及NPN phototransistor.下图显示了常见光耦的原理图，图B是一个展开的原理图，包括B-C间的光检测器检测器。LED电流IF会产生一个optical flux，而被光二极管检测，光二极管会产生一个photocurrent,Icb,被phototransistor放大。Phototransistor会提供C E电流I器件的电流增益被定义为CTR供C-E电流，Ice,器件的电流增益被定义为CTR。2009/7/146Phototransistor coupler schematicPhototransistor coupler schematic?光耦主要电气规格的定义与解释AblMiRiV VISOISO（Isolation VoltaIsolation Voltag ge e）?光耦主要电气规格的定义与解释-Absolute Maximum Ratings （g g）指光耦输入和输出PIN之间所允许通过的最大交流电压值，表示为RMS值。确保光耦一定的绝缘阻抗。一般情况下，此定义只是保证有限测试时间，例如1分钟，而不是无限制的。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/147?光耦主要电气规格的定义与解释AblMiRiOperating Ambient Temperature:TOperating Ambient Temperature:TA A(C)(C)器件正常工作所允许的温度范围?光耦主要电气规格的定义与解释-Absolute Maximum Ratings 器件正常工作所允许的温度范围。通常当环境温度上升时，器件所能承受的功耗会下降对光耦来说，此处所指的温度不是指器件表面的温度，而是指器件周围的环境温度环境温度。Tj:器件的结温定义Tj:器件的结温定义(=环温+热阻*功耗)。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDFODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAYTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/14 8?光耦主要电气规格的定义与解释AblMiRiLight Emitting Diode:Forward Current:ILight Emitting Diode:Forward Current:IF F(mA)(mA)?光耦主要电气规格的定义与解释-Absolute Maximum Ratings LightLight EmittingEmitting Diode:Diode:ForwardForward Current:ICurrent:IF F(mA)(mA)发光二极管所能允许的最大电流，保证环温25C时LED功耗不会导致其损坏。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/142009/7/1492009/7/149 9?光耦主要电气规格的定义与解释AblMiRiLight Emitting Diode:Reverse Voltage:VLight Emitting Diode:Reverse Voltage:VR R(V)(V)?光耦主要电气规格的定义与解释-Absolute Maximum Ratings LightLight EmittingEmitting Diode:Diode:ReverseReverse Voltage:VVoltage:VR R(V)(V)LED 所能承受的最大反向电压。当超过此电压时，发光二极管会突然有反向电流流过，此时，LED无法发光。另外，当有反向电流流过时，可能导致此后发光效率会降低。因此，此反另外当有反向流流时可能导致后发光效率会降低因反向电压超过此规格时，会导致光耦损坏或不可恢复的降额发生。对允许AC电流输入形式的光耦来说，不存在此规格。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/142009/7/14102009/7/14102009/7/141010?光耦主要电气规格的定义与解释AblMiRiLight Emitting Diode:Power Dissipation:PLight Emitting Diode:Power Dissipation:PD D(mW)(mW)?光耦主要电气规格的定义与解释-Absolute Maximum Ratings LightLight EmittingEmitting Diode:Diode:PowerPower Dissipation:PDissipation:PD D(mW)(mW)25度环温时光耦原边LED所允许的最大功耗。一般来说环温增加时，LED所能承受的功耗值降低。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/14111111111111?光耦主要电气规格的定义与解释AblMiRiPhotoPhoto-transistor:Power Dissipation:Ptransistor:Power Dissipation:PC C(mW)(mW)?光耦主要电气规格的定义与解释-Absolute Maximum Ratings PhotoPhoto transistor:transistor:PowerPower Dissipation:PDissipation:PC C(mW)(mW)25C环温时光耦上photo-transistor 所能承受的最大功耗。一般来说，当温度上升时，所允许的最大功耗值会下降。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1412?光耦主要电气规格的定义与解释AblMiRiPhoto-transistor:Collector to Emitter Voltage:VPhoto-transistor:Collector to Emitter Voltage:VCEOCEO(V)(V)?光耦主要电气规格的定义与解释-Absolute Maximum Ratings 在光耦原边LED上没有电流流过时，Photo-transistor上集电极和发射级之间所能承受的最大电压。Photo-transistor:Emitter to Collector Voltage:VPhoto-transistor:Emitter to Collector Voltage:VECOECO(V)(V)在光耦原边上没有电流流过时上发射极和集电级在光耦原边LED上没有电流流过时，Photo-transistor上发射极和集电级之间所能承受的最大电压。瞬间的电压超过此规格，也会导致器件损坏或者不可恢复的降额(non-bldd ti)发生recoverable degradation)发生。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1413?光耦主要电气规格的定义与解释AblMiRiPhotoPhoto-transistor:Collector Current:Itransistor:Collector Current:IC C(mA)(mA)?光耦主要电气规格的定义与解释-Absolute Maximum Ratings PhotoPhoto transistor:transistor:CollectorCollector Current:ICurrent:IC C(mA)(mA)在环温25C时，所能允许的流过photo-transistor集电极上最大电流，以保证transistor在其所能承受的最大功耗（PC）规格以下。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1414?光耦主要电气规格的定义与解释Elil ChiiCurrent Transfer Ratio:CTR(%)Current Transfer Ratio:CTR(%)在给定Ti t上V 条件下I(I)与LED上正向电流I 之间的比值?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical Characteristics在给定Transistor上VCE条件下，Ic(Ice)与LED上正向电流IF之间的比值。定义：+2009/7/1415?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical Characteristics一般来说，CTR随着IF电流，环境温度TA或者Transistor上的电压VCE变化而变化。同时在使用过程中，按照实际的环境温度以及IF的条件而发生变化。同时和作时间有关也就是会老化同时CTR和工作时间有关，也就是会老化。在实际使用光耦时，为满足传导设定的IC电流的要求而设定IF电流大小，在定的环境温度T及V及全部的工作寿命条件下 可利用CTR I 曲在一定的环境温度TA，及VCE，及全部的工作寿命条件下,可利用CTR-IF曲线，CTR-TA曲线，VCE-IC曲线以及光耦CTR长期的降额曲线，从而设计IF电流值等于或大于要求的最小值。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILD2009/7/1416?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsFODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDFODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1417?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsFrom NEC OptoTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1418TCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsCTR VT曲线的解释CTR Vs Ta 曲线的解释-Light LED的发光效率（luminous efficiency）具有负的温度系数，而晶体管的hfe具有正的温度系数。CTR与温度的关系曲线是这两种温度特征的组合CTR与温度的关系曲线是这两种温度特征的组合。2009/7/1419?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsFrom NECTCMT1100 Si/TCMT4100 SifVISHAY2009/7/1420TCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY?光耦主要电气规格的定义与解释Elil ChiiFrom NEC?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical Characteristics2009/7/1421?光耦主要电气规格的定义与解释Elil ChiiTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1422?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsIsolation Resistance:RIIsolation Resistance:RI-O(ohmO(ohm)IsolationIsolation Resistance:RIResistance:RI O(ohmO(ohm)施加一定的高直流电压到光耦的输入和输出端之间，其初始阻抗值。绝缘阻抗的大小和使用环境有关，比如湿度，电压施加的时间等。测试时要注意实际的使用条件。测试时要注实际的使用条件FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILD针对所有的隔离测试（隔离电压，隔离电容，隔离阻抗），原边的PIN需短路作为输入端，副边的PIN需短路作为输入端，副边的PIN也需短路作为输出端。2009/7/1423?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsIsolation Capacitance:CI-O(pF)Isolation Capacitance:CI-O(pF)当高频信号加到光耦上时输入和输出端之间的电容当高频信号加到光耦上时输入和输出端之间的电容。由于此电容存在，在输入和输出端上电势差的突然变化可能会导致在输出端产生噪声。因此一些产品会定义针对这种暂态变化的规格Common mode因此，一些产品会定义针对这种暂态变化的规格-Common mode transient immunity(CM)。此电容值可能会因为wiring conditions的不同而变化，因此，设计和测试时需考虑实际应用中的情况试时需考虑实际应用中的情况。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1424?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsLight Emitting Diode:Forward Voltage:VLight Emitting Diode:Forward Voltage:VF F(V)(V)LED上流过正向电流时的压降V 和I 代表着LED的内部损耗LED上流过正向电流时的压降。VF和IF代表着LED的内部损耗。一般来说，IF越大，VF越大；环境温度越高，VF越低。Light Emitting Diode:Reverse Current:ILight Emitting Diode:Reverse Current:IR R(A)A)LightLight EmittingEmitting Diode:Diode:ReverseReverse Current:ICurrent:IR R(A)A)当一定的反向电压加到LED时会有电流流过。一般来说反向电压的增加以及环温的上升会导致此电流增加。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1425?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsLight Emitting Diode:Terminal Capacitance:Ct(pF)Light Emitting Diode:Terminal Capacitance:Ct(pF)LED两端之间的寄生电容LED两端之间的寄生电容。当光耦关断时，如果此电容上积累的电荷不能很快放电的话，会有一个很少的电流持续通过LED放电，导致输出端关断被延迟。如果驱动电流是通过一个开关与LED并联，如下左图示，当LED关断时，由如果驱动电流是通过个开关与LED并联，如下左图示，当LED关断时，由于电荷会通过开关快速放电，所以不会有问题。但是如果开关是和LED串联连接的,如下右图示，可以通过在LED上并联一个放电阻来实现快速的关断。个放电阻来实现快速的关断TCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1426?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsPhoto-transistor:Collector to Emitter Dark Current:IPhoto-transistor:Collector to Emitter Dark Current:ICEOCEO(nA)(nA)在LED上没有正向电流流过时（LED没有发光）h tti t集电在LED上没有正向电流流过时（LED没有发光），photo-transistor集电极上的漏电流。一般来说，VCE电压的增大或者环温的上升会导致此电流增加。对于负载阻抗的设计必须考虑实际应用中此电流的最大值对于负载阻抗的设计，必须考虑实际应用中此电流的最大值。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1427?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsPhoto-transistor:Collector Saturation Voltage:VPhoto-transistor:Collector Saturation Voltage:VCECE(sat)(V)(sat)(V)在给定的I 条件下Ti t上I 与V 的关系在给定的IF条件下，Transistor上IC与VCE的关系。此电压取决于IF，IC，同时也和CTR有关，设计中需要考虑IF电流和IC电流的大小。FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILDTCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY2009/7/1428TCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical CharacteristicsRise Time/Fall Time:tr,tf(s)Rise Time/Fall Time:tr,tf(s)当脉冲电流流过LED时输出电压的暂态变化时间当脉冲电流流过LED时，输出电压的暂态变化时间。Propagation Delay Time:tPropagation Delay Time:tP P(s)(s)指从IF变化到输出电压变化的延迟时间。2009/7/1429TCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical Characteristics光耦的响应时间类似于晶体管，主要和RL,hfe,Ccb有关。RL是指负载电阻hf 指直流增益C b是集电级和基级之间的电容RL是指负载电阻，hfe指直流增益，Ccb是集电级和基级之间的电容。?当负载电阻增加时，tf会增加。所以对高速信号传输来说，负载电阻必须在可允许的范围内尽可能的小。?在保护电路和反馈电路中使用光耦的话要考虑到光耦的delay时间?在保护电路和反馈电路中使用光耦的话，要考虑到光耦的delay时间。2009/7/1430?光耦主要电气规格的定义与解释Elil Chii?光耦主要电气规格的定义与解释-Electrical Characteristics2009/7/1431?光耦CTR的变化对设计的影响2009/7/1432?光耦CTR的变化对设计的影响?光耦CTR的变化对设计的影响规格书中的CTR随IF的变化曲线仅仅只能规格书中的随的变化曲线仅仅只能用来参考，是基于一定条件下测得的。实际中在不同的CTR条件上曲线呈现不同的趋势。2009/7/1433?光耦CTR的变化对设计的影响以Vishay的TCMT1103为例，1)Rated 150%opto(If=10mA),CTR=250%if=4mA;CTRf160300%if 4 A100Cill ddCTR b64%?光耦CTR的变化对设计的影响CTR ranges from 160 300%if=4mA;100C will degrade CTR by 64%if=4mA;will degrade 75%if=10mA.2)Rated 100%opto(If=10mA),CTR=90%if=4mA;CTR ranges from 6090%if=4mA;100C will degrade CTR by 75%if=4mAggRed:rated CTR=150%;Purple:rated CTR=100%;2009/7/1434Red:rated CTR 150%;Purple:rated CTR 100%;Solid:25C;Dotted:100C;Spaced:-40C?光耦CTR的变化对设计的影响?光耦CTR的变化对设计的影响一般针对光耦的降额设计定义。对CTR来说，最重要的是设计应当保证-当CTR因各种因素减小时，能够保证模块正常的工作。2009/7/1435?光耦CTR的变化对设计的影响?光耦CTR的变化对设计的影响CTR 的计算IF=(Vout-0.7-0.7)/43K如果Vout=54V,则IF=(54-0.7-0.7)/43K=1.223 mAIC=(12 Vce)/(6.8k+5.1k)光耦的工作区域为饱和区，此时的VCE约为0.2VIC=(12-0 2)/11 9K=0 99 mAIC=(12 0.2)/11.9K=0.99 mACTR=IC/IF=0.99/1.223=0.809=80.9%如果工程上选用150%-200%CTR,150%*0.75=112.5%80.9%;即使光耦CTR低于下限的75%，电路仍然能够正常工作。2009/7/1436?光耦CTR的变化对设计的影响?光耦CTR的变化对设计的影响不考虑原边及副边其它器件的tolerance时，假定FB电压为固定值，当CTR值减少很多时会导致光耦原边上电流大幅增加工作点发生变化从而导致反馈电路多时，会导致光耦原边LED上电流大幅增加，工作点发生变化，从而导致反馈电路不能正常工作。因此，在设计时，在考虑其它器件tolerance及辅助电源值的同时，也要重要考虑光耦CTR因IF，IC，温度等各种因素影响下的实际值，考虑CTR相关电路参数的确认，光耦CTR因IF，IC，温度等各种因素影响下的实际值，考虑CTR相关电路参数的确认，以保证光耦在各种状况下能工作上可接受的工作点上。2009/7/1437?光耦的寿命计算2009/7/1438?光耦的寿命计算1)光耦的寿命和LED电流IF及工作环境温度有关1)光耦的寿命和LED电流IF及工作环境温度有关；2)寿命是指CTR降到初始值的50%的时间.2009/7/1439?光耦的寿命计算为什么CTR会随着光耦工作时间变长而减小？光耦的CTR主要和下列因素有关：光耦的CTR主要和下列因素有关：?LED（Light-emitting diode)的发光效率；?LED和photo-transistor之间的光耦合效率；?光电转换效率和photo-transistor的DC增益（hfe)光电转换效率和photo transistor的DC增益（hfe)CTR随工作时间的变化主要是由于LED的发光效率下降引起的。一般来说，LED的输入电流(IF)越大，环境温度越高，CTR下降的越快。2009/7/1440?光耦的寿命计算NEC产品的寿命降额曲线2009/7/1441?光耦的寿命计算Vishay的TCMT1103寿命降额曲线2009/7/1442?光耦的寿命计算TCMT1103寿命的计算1）因计算考虑的是CTR的衰减，所以实测时应选用规格最小值的光耦做测试；2）量测OP电压，得到集电极电流Ic;2）量测OP电压，得到集电极电流Ic;3）量测R231电压，得到LED电流IF;4）Ic/IF得到目前工作的CTR0;5）量测LED压降；）根据光耦供电电源 的下限值和的压降得到的最高输出电压6）根据光耦供电电源 的下限值，和OP的rail压降，得到pin7的最高输出电压；7）由pin7最高输出电压得到最大IFmax电流；8）Ic/IFmax得到允许的最小CTRmin;9）CTRmin/CTR0得到电路允许的derating比例；9）CTRmin/CTR0得到电路允许的derating比例；10）参考寿命衰减50%的数据得到工作寿命.2009/7/1443?光耦的寿命计算考虑到由于温度及其它因素导致的光耦CTR derating(75%或更多），以及光耦老化后寿命末期CTR的50%的衰减，所以在设计中可以考虑到CTR最小值为额定CTR下限的后寿命末期的的衰减，所以在设计中可以考虑到最小值为额定下限的0.75*0.5=0.375,此时应保证电路工作点不会出现问题。另外，可通过LED电流工作点IF推算光耦寿命是否达到要求，一般可考虑100C/10年，若寿命裕量较大，可以适当提高设计的CTR下限，比如到0.40.5.若寿命较短，可能需通过减小IF降低工作点能需通过减小IF降低工作点。2009/7/1444?光耦的小信号特征及其对环路的影响2009/7/1445?光耦的小信号特征及其对环路的影响为有效地检测LED发出的光子(photons),光耦的photo transistor具有较大的集电极到基极的基区，这样会有较好的检测效果，但同时也增大了集电极和基极之间的电容(Ccb)。大的结电容反过来会因为产生相位滞后而影响光耦的带宽,从而影响电源的稳定性。2009/7/1446?光耦的小信号特征及其对环路的影响双极型晶体管混和模型，其共射型结构包括了下列参数：hie input resistance with shorted output,hoe output conductance with open inputhoe output conductance with open input,hfe forward amplification gain.模型同时包括了基-集之间的结电容Ccb和2个受控的电流源。2009/7/1447?光耦的小信号特征及其对环路的影响极点频率p 的最大值被Ccb和hfe所限制。对一般的光耦来说，如果Ccb=15pF,hfe=350,Rc设为1-2Kohm的话，光耦会产生一个15-30KHz的极点个15 30KHz的极点。在环路设计中，如果设定的穿越频率小于5倍或以上光耦的极点频率，光耦极点不会产生较大的影响，否则的话会减少环路的相位裕量。必要时可以通过加补偿电路增加1个零点来抵消此极点的影响。2009/7/1448?提高设计效率的建议器件规格的整理和比对Max Max OperatinCoupling TypeVendor PackageHeight(mm)/Min/Typ/Max/Safty CertificationCTR Emitt ReverseVoltage(V)Max EmitterTj(C)Max Dector Vceo(V)Max DectorVeco(V)Max DectorTj(C)Isoltated VoltageRMS(KV)g ambient temprange(C)Storagetemprange(C)cap(pF)/Min/Typ/Max/CTR VS.TaCTR VS.IFIC VS.IFIC VS.VCECollector dark currentVS.TaVF VS.IFCTR life CurveTCMT11MINIFLUL1577/CSA157/1.0/2.0/VCE=5V,IF=1(-)40 to(-)40 to/0.3/f=1M03VISHAY AT-4P/2.1/70m A61257071253.75100100hzTLP281(GRL)TOSHIBAMFSMD-4PIN/2.1/UL1577/BS EN 41003/1.0/2.0/VCE=5V,IF=5m A51258071252.5(1 min,R.H.=60%)(-)40 to 100(-)40 to 125/0.8/f=1MhzVDE/UL/0.5/4.0/VCE=3.75(1 min/0 6/1 0/PC3HU72YIP0F SHARPMINIFLAT-4P/1.8/2.0/VDE/UL/CSA/BSIVCE5V,IF=5m A6NA807NA(1 min,40%to 60%R.H)(-)40 to 110(-)40 to 125/0.6/1.0/f=1MhzNAKPS28010HCOSMO4 pin SOP/2.2/UL1577/VDE/1/2/VCE=5V,IF=5m A61258061253.75(1 min,60%R.H)(-)40 to 115(-)55 to 150/0.4/f=1Mhz,V=0;?提高设计效率的建议Mathcad及其它软件的应用利用Mathcad进行控制回路的设计静态工作点及小信号设计1）功率极首先被确定；2）光耦的工作点及小信号分析3）补偿电路上零极点的设计利用Mathcad进行功率极的设计效率分析利用Mathcad进行输入滤波电路，输出滤波电路的设计利用Mathcad进行Stress的基本计算及其它恶劣情况下MOS的应力计算，比如考虑到反向恢复，短路或其它利用Mathcad及Spice进行驱动回路的计算和仿真?提高设计效率的建议 牺牲精度，以提高效率?对器件模型寄生参数的取舍，如下图?对器件规格的分类?对器件规格的分类1）不用考虑的2）可以用Yes,No来进行判断的3）随不同工作条件而线性或非线性变化的参数3）随不同工作条件而线性或非线性变化的参数?提高设计效率的建议将复杂的分解为简单的问题?对续流管应力在normal,OCP,或者短路时的应力分析?建立简单的模型并利用Mathcad进行计算2阶的LRC电路，Laplace变换及?建立简单的模型并利用进行计算阶的电路，p变换及反变换?寄生参数及电流，电压初始值可通过计算或测试得到。?虽然不能很准确地计算出MOS的应力，但可以看出变更参数对应力的影响?实际测试与分析结果进行比对?更新模型?尽量使两者致?应用于所有?实际测试与分析结果进行比对?更新模型?尽量使两者一致?应用于所有类似的电路2009/7/1452Mail Address:2009/7/1453