半导体单晶抛光片清洗工艺分析赵权(中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220)摘要:通过对Si,CaAs,Ge等半导体材料单晶抛光片清洗工艺技术的研究,分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件。首先用氧化性溶液将晶片表面氧化,然后用一定的方法将晶片表面的氧化物去除,从而实现对晶片进行清洗的目的。采用这种先氧化再剥离的方法,可有效去除附着在晶片表面的杂质及各种沾污物。对于不同的材料,氧化过程以及剥离过程可以在不同的溶液中相互独立地进行;也可以组合在一起,使用一种混合液同时实现氧化及剥离。采用氧化、剥离的清洗原理,可提高半导体材料抛光片的清洗工艺技术水平,同时也对新材料抛光片的清洗工艺起到一定的指导作用。关键词:半导体;抛光片;清洗工艺中图分类号:TN30512;TN405文献标识码:A文章编号:10032353X(2007)1221049203ResearchontheCleaningProcessofPolishedWaferofSemiconductorMaterialsZHAOQuan(The46thResearchInstitute,CETC,Tianjin300220,China)Abstract:Anewprocessconditionwasobtainedbyresearchingthecleaningprocessofthesingle2crystalpolishingwaferofsemiconductormaterials,suchasSi,GaAsandGe.Topolishtheparticleandthecontaminationabsorbedonthewafersurface,theoxidizationsolutionwasusedtooxidizethewafersurfacefirst,thenacertainmethodwasadoptedtoremovetheoxidesfromthewafersurface.Forthevariousmaterials,theoxidizationandtheremovingprocedurecouldbedoneindifferentsolutions;theoxidizationandtheremovingprocedurescouldbedoneinonemixturesimultaneouslybycombiningthematerials.Themechanismcanimprovetheprocessofsingle2crystalpolishedwaferofsemiconductormaterials,anddeveloptheprocessofnewmaterialpolishedwafer.Keywords:semiconductor;polishedwafer;processmechanismEEACC:2550;22201引言随着半导体器件和大规模集成电路的迅速发展,对半导体器件的电性能和可靠性的要求越来越高,这就使半导体材料抛光片表面洁净度成为了材料和器件发展的首要问题。要得到高质量的半导体抛光片,仅仅除去抛光片表面的沾污已不再是最终的要求。在清洗过程中造成的表面化学态、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成为同样的重要参数[1]。超洁净表面是指不存在颗粒、金属、有机物等污染物的洁净表面。目前,Si单晶抛光片的清洗工艺已比较成熟,普遍采用的是RCA(美国无线电公司)清洗法。Si抛光片...
