电子行业芯片国产化系列二：大陆自主晶圆厂投产进度、关键半导体设备国产化率分析-20191113-方正证券-21页.pdf

证券研究报告 2019年11月13日 芯片国产化系列二芯片国产化系列二 大陆大陆自主晶圆厂投产进度自主晶圆厂投产进度、关键半导体、关键半导体设备设备国产化率分析国产化率分析 方正新兴产业组长 李疆 执业证书编号：S1220518010003 联系人 范云浩 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9 核心观点核心观点 1、2019年Q2起大陆自主晶圆厂进入投产高峰，未来三年半导体设备需求迎来爆发式增长。根据2017年至今大陆自主晶圆厂开工以及投产情况统计，测算未来19-22年半导体设备总投资在700美元左右，同比2018年120亿美元有很大增长空间，且大陆自主晶圆厂国产化率友好度远高于2018年海外复制线，晶圆厂本身扩产有降本的采购需求，有利于国产化率的提升，2018年国产化率不到5%，提升空间巨大。2、分器件梳理半导体设备国产化进程：28nm以下中低端制程是目前国产设备角逐的主战场；功率&Special工艺要求相对较低好验证，但与二手设备竞争激烈；存储器件工艺上具有一定难度，国产设备积累较少，但我们认为突破性价比高，主要基于：国内大力发展存储产业，新增产能较多；存储器件结构大量相同单元叠加设备参数要求相对单一适宜批量生产；存储器同质化竞争激烈，存储企业必须依靠规模效应体现竞争力将不断扩充生产线，一旦通过认证将为国产设备提供源源不断的订单需求。3、北方华创与中微公司引领国产替代，关键层设备在长存项目国产化率快速提升。根据公开招标数据显示，长江存储历次规模化招标时点基本与新产品（32层/64层 NAND)研发节奏同步，并于2019年9月份开启第三轮招标，预计为2021年10万片/月产能做准备。根据前两轮关键层设备招标情况分析，中微公司28nm以下Dielectric刻蚀已进入量产阶段，并率先通过14nm部分工艺验证；北方华创硅刻蚀设备19年3月首次批量进入长存供应链，等离子刻蚀设备于10月实现重复中标。PVD领域北方华创在Hard Mask及Al-Pad环节已有订单突破，未来CuBS核心工艺验证通过将成为新的业绩增长点。同时北方华创在氧化扩散工艺第二轮中标40台，占据主要市场份额。1 投资策略：投资策略：二二期大基金期大基金启动设备启动设备环节重点受益，建议关注北方华创环节重点受益，建议关注北方华创(002371.SZ)(002371.SZ)，中微公司，中微公司(688012.SH(688012.SH)风险风险提示：提示：半导体行业景气度下行；半导体设备技术更新；半导体制造厂资本开支不及预期；中美贸易半导体行业景气度下行；半导体设备技术更新；半导体制造厂资本开支不及预期；中美贸易摩擦摩擦加剧加剧 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 91 1、分器件看逻辑中低端制程及功率、分器件看逻辑中低端制程及功率&Special&Special领域国产设备突破较快领域国产设备突破较快 工艺制程工艺制程 国内自主国内自主FabFab厂厂 （括号内数字为括号内数字为FabFab投资投资/亿元）亿元）FabFab厂投资额合计厂投资额合计 （亿元）亿元）备注备注 逻辑逻辑 14nm 中芯南方、中芯SN1&SN2、武汉宏芯 2672 中微公司率先通过部分工艺验证 28nm 华力微电子 188 总体产能过剩，未来新增产能预计不多 65-40nm 粤芯，晶合 316 国产设备角逐的主战场国产设备角逐的主战场 其它 中芯宁波（40）、中芯绍兴（58.8）、中芯天津（105）、中璟航天（60）、海辰（67.9）、德淮（450）、粤芯（100）882 存储存储 3D-NAND 紫光集团 4565 工艺具有一定难度，国产设备积累较工艺具有一定难度，国产设备积累较少，但少，但突破性价比高：突破性价比高：1、国内新增产能多为存储器 2、存储器结构相同单元叠加，对设备参数要求相对单一 3、存储器竞争力必须依靠规模效应，不断扩充生产线将给国产设备带来源源不断的订单需求 DRAM 合肥长鑫 550 PCM 江苏时代芯存 130 功率功率&SpecialSpecial 士兰微、北京燕东、积塔、芯恩、赛莱克斯、中车时代、富能、万国、大连宇宙 766 工艺要求低，好验证。但与二手设备工艺要求低，好验证。但与二手设备竞争激烈竞争激烈 图表1：逻辑中低端制程是国产设备角逐的主战场，功率&Special与二手设备竞争激烈，存储器国产设备积累少但突破性价比高 资料来源：集成电路产业全书，方正证券研究所整理（不完全统计）2 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 92 2、大陆、大陆自主晶圆厂项目情况自主晶圆厂项目情况-中芯国际、华虹、紫光集团中芯国际、华虹、紫光集团 公司 地点 厂（名称/8或者12英寸）主要产品 技术节点 投资金额 月产能(万片）生产状态 更新时间（亿元）中芯国际中芯国际 上海 12寸二厂 Foundry 14nm 675 7 量产 2019年6月 北京 12寸B2厂 Foundry(B2A)40-28nm 224 2 量产 2013年 CIS NAND(B2B)28nm N/A 2 量产 2015/10/29 北京 12寸B3厂 CIS 55nm 263 3.5 在建 2016年10月 宁波 8寸晶圆厂 N2：高压模拟、射频前端、特种半导体 N/A N2：40 N2:33万片 N1投产 2018年11月 N2开工 天津 8寸晶圆厂 Logic N/A 99 15 设备搬入 2018年7月 公司 地点 厂（名称/8或者12英寸）主要产品 技术节点 投资金额 月产能(万片）生产状态 更新时间（亿元）华虹宏力华虹宏力 上海 8寸厂 N/A N/A N/A 14 N/A N/A 无锡 12寸晶圆厂 特色工艺集成电路芯片 90-65/55nm 159 4 投片 2019年9月17日 12寸晶圆厂 逻辑芯片 N/A 477 N/A 规划 N/A 图表2：中芯国际Fab厂情况 图表3：华虹宏力Fab厂情况 资料来源：方正证券研究所整理 3 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 92 2、大陆自主晶圆厂项目情况、大陆自主晶圆厂项目情况-中芯国际、华虹、紫光中芯国际、华虹、紫光集团集团 公司 地点 厂（名称/8或者12英寸）主要产品 技术节点 投资金额 月产能(万片）生产状态 更新时间（亿元）紫光集团 南京 12寸紫光南京集成电路基地项目 3D NAND Flash/DRAM 先进制程 693 10 开工在建 2018年9月30日 12寸紫光南京集成电路基地项目 先进制程 1311 20 规划 武汉 12寸国家存储器基地项目 长江存储（一期）FAB1 先进制程 1585 2020年达到30(分三期），2030达到100 投产 2019年9月17号 武汉新芯 12 英寸集成电路生产线 先进制程 107 N/A 投产 2008年 代码型闪存、三维特种工艺和微控制器等三大业务平台 117 11.5 设备搬入 2018年12月28日 成都 12寸紫光成都集成电路基地项目 3D NAND Flash 先进制程 702.31 10 开工在建 2018年10月 重庆 12寸DRAM存储芯片制造厂 DRAM 先进制程 N/A N/A 规划 N/A 图表4：紫光集团Fab厂情况 资料来源：方正证券研究所整理 4 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 93 3、以长江存储、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率为例分析半导体设备招标国产化率情况情况 长江存储科技有限公司（简称“长江存储”）由紫光集团与中国官方合资，2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片的设计、生产和销售的IDM半导体公司。成立伊始，长江存储整合了成立10年的武汉新芯集成电路制造有限公司。长江存储大事件长江存储大事件 2016年7月 长江存储成立 2017年5月 长江存储1期规划建设提前封顶 2018年4月 长江存储3D NAND获得第一笔订单 习近平同志考察武汉新芯 2018年8月 武汉新芯启动2期扩产 2018年底 计划投产 图表5：长江存储成立于2016年7月，是一家专注于3D NAND的设计、生产和销售的IDM企业 资料来源：公司官网，方正证券研究所 图表6：武汉新芯/长江存储自2014年起进行3D NAND研发 3D NAND项目在武汉新芯启动 2012014 4 20142014 20152015 20162016 20172017 20182018 9L测试芯片验证成功 32层测试芯片设计完成 7月长江存储成立 第一代32层芯片设计完成 32L 64Gb MLC 3D NAND闪存送样 第二代64层芯片设计完成 32层芯片达到企业级标准 64层芯片试片成功 资料来源：方正证券研究所整理 5 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 93 3、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况 我们根据长江存储投产进度分析核心层设备招标节奏，纵向对比2015-2019Q3半导体设备国产化率变化。图表7：长江存储核心层设备招标节奏（纵坐标台数）资料来源：招标网，方正证券研究所 a)2017年Q3完成32层芯片设计（T/O），2017Q42017Q4开始试产并开启首轮大规模招标，开始试产并开启首轮大规模招标，20182018年年5 5月月2121日日ASMLASML首台首台光刻机入场（光刻机入场（20172017年年1111月中标，测算月中标，测算6 6-9 9个月设备交付并投入试生产），个月设备交付并投入试生产），20182018年年Q4Q4开始量产开始量产，2019Q1产能爬坡到5000片/月，预计2019年底爬坡至2万片/月。b)2018年完成64层芯片设计（T/O），20192019年年Q1Q1开启第二轮规模化招标，为开启第二轮规模化招标，为20202020年底年底6 6万片的量产做准备万片的量产做准备。C）2019年投片测试稳定并于9月17日公告64层NAND投产。9月份主设备密集招标，我们判断Q4有望开启64层NAND设备招标，开始第三轮规模化招标。预计开始第三轮规模化招标。预计20212021年年1010万片万片/月产能。月产能。6 2 166 10 1 19 46 208 13 71 0501001502002502017Q32017Q42018Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q320K/月月 64层设计完成层设计完成 32层设计完成层设计完成 5K/月月 首台光刻机搬入首台光刻机搬入 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 93 3、以、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况 2 164 9 4 19 38 188 40 3 0204060801001201401601802002017Q32017Q42018Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q3以关键设备（光刻、沉积、刻蚀、清洗、氧化）中标数据为分析国产化率。图表8：长江存储核心层设备中标节奏（纵坐标轴台数）资料来源：招标网，方正证券研究所 7 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9图表9：从长江存储中标数据看目前国内光刻机国产化率近乎为0 3 3、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况 光刻光刻 中标时间中标时间 产品名称产品名称 梳理梳理 制造商制造商 地区地区 2019/3/22 248nm光刻机 1 ASML 荷兰 2019/3/22 365nm光刻机 2 CANON INC.日本 2019/3/8 浸润式扫描光刻机 1 ASML 荷兰 2019/3/8 248nm 光刻机 2 ASML 荷兰 2018/8/23 iline扫描光刻机 1 ASML 荷兰 2017/12/11 紫外光步进光刻机 2 CANON INC.日本 2017/12/11 iline扫描光刻机1 2 Canon Inc.日本 2017/11/13 iline扫描光刻机2 1 ASML 荷兰 2017/11/9 浸没式扫描光刻机 2 ASML 荷兰 2017/11/9 Arf扫描光刻机 2 ASML 荷兰 2017/11/9 Krf扫描光刻机 2 ASML 荷兰 2017/6/19 i线步进式光刻机 1 CANON INC.日本 2019年9月招标 浸没式光刻机 1 2019年9月招标 248nm光刻机 3 资料来源：招标网，方正证券研究所 8 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9图表10：长江存储国产刻蚀机中标情况 3 3、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况 刻蚀刻蚀 时间时间 设备设备 数量数量 公司公司 国产化率国产化率 2019Q32019Q3-2019/7/26 多晶硅等离子蚀刻设备 1 北方华创 合计合计 1 1 其余其余2222未开标未开标 -2018Q32018Q3-2019Q22019Q2 2019/4/4 介质等离子孔洞蚀刻设备 2 中微 2019/4/4 介质等离子掩膜蚀刻设备 2 中微 2019/4/4 介质等离子氧化层蚀刻设备 2 中微 2019/3/29 硅槽刻蚀设备 3 北方华创 2019/3/19 氧化硅刻蚀 1 中微 2019/3/19 超深接触孔刻蚀 1 中微 2019/3/19 通孔（via）刻蚀设备 1 中微 2019/3/11 接触孔刻蚀设备 1 中微 2018/11/12 通孔（via）刻蚀设备 5 中微 2018/9/20 介质等离子蚀刻设备 1 中微 2018/9/14 穿通阵列区接触孔刻蚀 1 中微 2018/9/14 氧化硅刻蚀 1 中微 2018/9/14 超深接触孔刻蚀 1 中微 合计合计 2222 累计招标累计招标100100 22%22%2017Q32017Q3-2018Q22018Q2 2018/4/17 介质等离子蚀刻设备 2 中微 2017/11/9 接触孔刻蚀 2 中微 2017/11/9 顶层通孔刻蚀设备 2 中微 2017/9/6 等离子蚀刻机 1 Mattson 2017/8/9 等离子蚀刻机 1 中微 合计合计 8 8 累计招标累计招标8383 9.60%9.60%资料来源：招标网，方正证券研究所 9 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 93 3、28nm28nm以下制程刻蚀机国产设备验证情况以下制程刻蚀机国产设备验证情况 Etch(为保证稳定性，一般每台设备固定在一个工序使用）应用名称 刻蚀类型 国产化进程 参与公司 Poly Gate/Metal Gate 硅刻蚀/金属刻蚀 验证 北方华创/中微公司 Hard Mask 通常属于介质刻蚀 验证 北方华创 STI 介质刻蚀 量产 北方华创 Spacer 介质刻蚀/硅刻蚀（分工艺）验证 北方华创 Al-Pad 金属刻蚀 验证 北方华创 Contact 介质刻蚀/硅刻蚀（分工艺）无 Dielectric 介质刻蚀 量产 中微公司 图表11：刻蚀领域中微公司设备通过验证的工艺占比超过40%，为目前国内最高 资料来源：方正证券研究所绘制（以28nm以下工艺制程为例）10 P+P+N-Well N+N+P-Well STI Poly GatePoly Gate/Metal Metal GateGate Spacer AI-Pad Hard Mask Contact Dielectric 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9图表12：长江存储国产PVD机中标情况 3 3、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况 PVDPVD 时间时间 设备设备 数量数量 公司公司 国产化率国产化率 2019Q32019Q3-合计合计 -3 3台未开标台未开标 -2018Q32018Q3-2019Q22019Q2 2019/3/29 氮化钛原子层沉积机台 1 北方华创 合计合计 1 1 累计招标累计招标1919 5%5%2017Q32017Q3-2018Q22018Q2 2018/1/30 铝垫物理气相沉积机台 2 北方华创 合计合计 2 2 累计招标累计招标1212 16%16%资料来源：招标网，方正证券研究所 11 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 93 3、28nm28nm以下制程以下制程PVDPVD机国产设备验证情况机国产设备验证情况 PVD应用示意 图表13：北方华创领军国内PVD设备领域，已有15%以上的工艺环节通过验证 资料来源：中国科技大学教学PPT,方正证券研究所绘制（以28nm以下工艺为例）HKMGHKMG CuBSCuBS 应用名称 薄膜 国产化进程 参与公司 Silicide Ti/Co/NiPt+TiN 否 Contact Ti+TiN+CVD W 研发中 HKMG HfO2/TiN 否 Hard Mask TiN 是 北方华创 CuBS TaN+Ta+Cu 验证 北方华创 ECP 电镀铜 验证 北方华创 Al-Pad Ti+TiN+Al 是 北方华创 12 P+P+N-Well N+N+P-Well HKMGHKMG AI-Pad Hard Mask Contact CuBS SilicideSilicide ECP 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9图表14：从长江存储中标数据看目前国内CVD设备国产化率极低 3 3、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况 CVDCVD 时间时间 设备设备 数量数量 公司公司 国产化率国产化率 2019Q32019Q3-合计合计 -3333台未开标台未开标 -2018Q32018Q3-2019Q22019Q2 2019/3/25 后端等离子体增强方式氮氧化硅薄膜化学气相沉积设备 1 沈阳拓荆 2019/3/25 后端等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备 1 沈阳拓荆 2019/3/11 前端等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备 1 沈阳拓荆 合计合计 3 3 累计招标累计招标159159 1.88%1.88%2018/2/15 后端等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备 2 沈阳拓荆第二候选人 2017Q32017Q3-2018Q22018Q2 合计合计 累计招标累计招标8181 0%0%资料来源：招标网，方正证券研究所 13 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9 图表15：从长江存储中标数据看目前国内氧化（含近似炉体）设备国产化率相对较高 3 3、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况 时间时间 设备设备 数量数量 公司公司 国产化率国产化率 2019Q32019Q3-合计合计 -1 1 其余其余7 7未开标未开标 -2018Q32018Q3-2019Q22019Q2 2019/1/11 高温快速热氧化加膜-退火设备 1 Mattson 2019/5/17 立式氧化炉管设备 1 北方华创 2019/3/29 立式常压氧化设备 8 北方华创 2019/3/29 立式高温氧化加膜-退火设备-2 5 北方华创 2019/3/29 气体驱离及源极氧化加膜-退火设备 2 北方华创 2019/1/11 立式常压氧化设备 2 北方华创 2019/1/11 立式高温氧化加膜-退火设备 6 北方华创 2018/11/16 立式常压氧化设备 1 北方华创 合计合计 2727 累计招标累计招标6464 42.20%42.20%2017Q32017Q3-2018Q22018Q2 2017/8/7 快速热处理设备 1 Mattson 合计合计 1 1 累计招标累计招标2727 3.70%3.70%氧化（含近似炉体）氧化（含近似炉体）资料来源：招标网，方正证券研究所 14 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9图表16：长江存储国产清洗设备中标情况 3 3、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况 清洗清洗 时间时间 设备设备 数量数量 公司公司 国产化率国产化率 2019Q32019Q3-合计合计 -1 1 其余其余7 7未开标未开标 -2018Q32018Q3-2019Q22019Q2 2019/4/4 12寸晶圆单片式晶背清洗机 1 清芯科技（中国香港）2019/4/4 12寸晶圆单片式清洗机 1 清芯科技（中国香港）2019/4/4 12寸晶圆单片式清洗机-2 1 清芯科技（中国香港）2019/6/28 12寸晶圆单片式晶背清洗机 1 盛美半导体 2019/3/29 12寸晶圆单片式轻聚合物化学清洗机 2 盛美半导体 2019/3/18 单片清洗机 1 盛美半导体 2018/9/14 12寸晶圆单片式晶背清洗机 1 盛美半导体 2018/9/14 12寸晶圆单片式硅晶延前&无定型碳后清洗机 1 盛美半导体 合计合计 1313 累计招标累计招标3232 28%28%2017Q32017Q3-2018Q22018Q2 2018/3/27 制程档控片蚀刻回收清洗机 2 北方华创 2017/12/28 单片式钨制程化学清洗机 2 盛美半导体 2017/6/29 单片清洗机 1 盛美半导体 合计合计 5 5 累计招标累计招标2828 17.86%17.86%资料来源：招标网，方正证券研究所 15 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9图表16：长江存储国产清洗设备中标情况 3 3、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况、以长江存储为例分析半导体设备招标国产化率情况 清洗清洗 时间时间 设备设备 数量数量 公司公司 国产化率国产化率 2019Q32019Q3-合计合计 -1 1 其余其余7 7未开标未开标 -2018Q32018Q3-2019Q22019Q2 2019/4/4 12寸晶圆单片式晶背清洗机 1 清芯科技（中国香港）2019/4/4 12寸晶圆单片式清洗机 1 清芯科技（中国香港）2019/4/4 12寸晶圆单片式清洗机-2 1 清芯科技（中国香港）2019/6/28 12寸晶圆单片式晶背清洗机 1 盛美半导体 2019/3/29 12寸晶圆单片式轻聚合物化学清洗机 2 盛美半导体 2019/3/18 单片清洗机 1 盛美半导体 2018/9/14 12寸晶圆单片式晶背清洗机 1 盛美半导体 2018/9/14 12寸晶圆单片式硅晶延前&无定型碳后清洗机 1 盛美半导体 合计合计 1313 累计招标累计招标3232 28%28%2017Q32017Q3-2018Q22018Q2 2018/3/27 制程档控片蚀刻回收清洗机 2 北方华创 2017/12/28 单片式钨制程化学清洗机 2 盛美半导体 2017/6/29 单片清洗机 1 盛美半导体 合计合计 5 5 累计招标累计招标2828 17.86%17.86%资料来源：招标网，方正证券研究所 15 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 94 4、投资投资策略及风险提示策略及风险提示 投资策略投资策略 2019年受消费电子需求下滑及存储芯片价格下跌影响，设备产业需求下滑，5G+AIOT的拉动下，Q2海外设备商营收降幅收窄，毛利率触底回升。代工厂层面台积电上调资本开支至110亿美金，中芯国际上调资本开支至23亿美金，下半年半导体设备需求有望重回上升通道。全球半导体设备行业下半年有望底部反转全球半导体设备行业下半年有望底部反转 1 从1到10，国内半导体设备商迎来黄金五年。国内晶圆厂一期建设陆续投产，产能爬坡有望带动设备需求。9月2日长江存储公告，64层256G 3D NAND正式量产，9月21日合肥长鑫公告总投资超过1500亿元的长鑫存储内存芯片项目宣布投产。国内存储大厂相继投产，中芯国际、华虹、华力微等晶圆厂也进入扩产周期，产能爬坡有利于提升设备国产化率，并拉动国内半导体设备厂商订单。从从1 1到到1010，国内半导体设备商迎来黄金五年，国内半导体设备商迎来黄金五年 2 2019年10月22日大基金二期正式注册成立，规模2041.5亿元，重点布局装备与材料领域。并持续推进装备与集成电路制造、封测企业的协同，加强基金所投企业间的上下游结合，加速装备从验证到“批量采购”的过程，为本土装备材料企业争取更多的市场机会，国内半导体设备产业链显著受益。二期大基金二期大基金启动设备启动设备环节重点环节重点受益受益,建议关注北方华创建议关注北方华创(002371.SZ)(002371.SZ)，中微公司，中微公司(688012.SH)(688012.SH)3 风险提示 1、半导体行业景气度下行 2、半导体设备技术更新 3、半导体制造厂资本开支不及预期 4、中美贸易摩擦加剧带来行业不确定性 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9分析师声明分析师声明 作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，保证报告所采用的数据和信息均来自公开合规渠道，分析逻辑基于作者的职业理解，本报告清晰准确地反映了作者的研究观点，力求独立、客观和公正，结论不受任何第三方的授意或影响。研究报告对所涉及的证券或发行人的评价是分析师本人通过财务分析预测、数量化方法、或行业比较分析所得出的结论，但使用以上信息和分析方法存在局限性。特此声明。免责声明免责声明 方正证券股份有限公司（以下简称“本公司”）具备证券投资咨询业务资格。本报告仅供本公司客户使用。本报告仅在相关法律许可的情况下发放，并仅为提供信息而发放，概不构成任何广告。本报告的信息来源于已公开的资料，本公司对该等信息的准确性、完整性或可靠性不作任何保证。本报告所载的资料、意见及推测仅反映本公司于发布本报告当日的判断。在不同时期，本公司可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息保持在最新状态。同时，本公司对本报告所含信息可在不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的投资建议。在任何情况下，本公司、本公司员工或者关联机构不承诺投资者一定获利，不与投资者分享投资收益，也不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致的任何损失负任何责任。投资者务必注意，其据此做出的任何投资决策与本公司、本公司员工或者关联机构无关。2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9 本公司利用信息隔离制度控制内部一个或多个领域、部门或关联机构之间的信息流动。因此，投资者应注意，在法律许可的情况下，本公司及其所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券或期权并进行证券或期权交易，也可能为这些公司提供或者争取提供投资银行、财务顾问或者金融产品等相关服务。在法律许可的情况下，本公司的董事、高级职员或员工可能担任本报告所提到的公司的董事。市场有风险，投资需谨慎。投资者不应将本报告为作出投资决策的惟一参考因素，亦不应认为本报告可以取代自己的判断。本报告版权仅为本公司所有，未经书面许可，任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制、发表或引用。如征得本公司同意进行引用、刊发的，需在允许的范围内使用，并注明出处为“方正证券研究所”，且不得对本报告进行任何有悖原意的引用、删节和修改。公司投资评级的说明公司投资评级的说明 强烈推荐：分析师预测未来半年公司股价有20%以上的涨幅；推荐：分析师预测未来半年公司股价有10%以上的涨幅；中性：分析师预测未来半年公司股价在-10%和10%之间波动；减持：分析师预测未来半年公司股价有10%以上的跌幅。行业投资评级的说明行业投资评级的说明 推荐：分析师预测未来半年行业表现强于沪深300指数；中性：分析师预测未来半年行业表现与沪深300指数持平；减持：分析师预测未来半年行业表现弱于沪深300指数。2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9方正证券方正证券 正在你身边正在你身边 THANKS 北京市西城区太平桥大街丰盛胡同28号太平洋保险大厦B座11层 11F,Pacific Insurance Building,No.28 Fengsheng Lane,Taipingqiao Street,Xicheng District,Beijing,China 方正证券股份有限公司方正证券股份有限公司 2 3 3 0 0 9 1 3/4 3 3 4 8/2 0 1 9 1 1 1 4 1 0:2 9扫码关注：金融干货精选获取更多干货资料