超导材料科学及应用中的基础问题研究课题开题报告.doc

项目名称： 超导材料科学及应用中的基础问题研究 首席科学家： 闻海虎 中国科学院物理研究所 起止年限： 2006.1至2010.12 依托部门： 中国科学院 一、研究内容 从总体上说本项目包括三个相互联系、相互推动的方面：（1）超导基础材料科学和物理问题研究：包括新型超导材料探索和表征，超导重大科学前沿问题和限制应用的关键科学问题研究，如非常规超导机理，磁通钉扎和磁通动力学问题；（2）实用超导材料基础科学问题：如钇钡铜氧涂层导体和二硼化镁超导体应用中的基础问题研究；（3）超导结型器件的物理、工艺以及在应用中的基础问题研究。 新超导材料探索是基础，寻找到任何有重要科学意义或重要实用价值的新型超导材料都将大大促进超导科学技术的发展，为国家争得荣誉。而超导重大科学前沿问题和限制应用的关键科学问题研究是根本。因为超导基础研究无非有两个根本的目标：要么在基础科学方面有重大发现，促进科学本身的发展，要么解决限制应用的关键科学问题，促进应用的发展。只有根本问题解决了，才能谈到很好的应用。举例来说，上个世纪50年代创立的描述II类超导体的理论，即Ginzburg－Landau理论（2003年获得诺贝尔物理学奖）很好地描述了II类超导体的电磁场行为，人们根据这个理论预言了磁通线，混合态等重要概念，然后从实验上验证了它们的存在。在此基础上，人们制备出强磁场的超导磁体，进一步发展出高清晰度的核磁成像，超导托卡马克，高能加速器等等。如果没有Ginzburg－Landau理论从根本上认识到II类超导体的电磁规律，制备出强磁场超导磁体是不可想象的。因此第一个方向的课题极有可能获得重大原创性的成果。第一方向课题之间存在非常强的相互关联性。如发现科学上具有重要意义的超导体，往往会促进超导机理的认识。反过来，超导机理的新认识会促进寻找新型超导体。比如在竞争序超导体中，当竞争序被压制掉以后，超导温度会有所提高。人们可以根据这个特点去寻找新型的超导体。后两个方向是开展本项目研究的最终目的，即要解决我国重大战略需求中的一些重要问题。为了解决我国未来能源（液氮温度储能，变电和输电等）和交通中（磁悬浮车）的突出问题，在众多的超导应用材料中，我们选择两个对未来应用普遍看好的核心材料，即钇钡铜氧涂层导体（所谓第二代超导带材）和二硼化镁超导体中的关键科学问题进行研究，促进它们尽早产业化。另外，为了解决我国在未来先进医疗技术（SQUID心磁仪，新型MRI技术）和国防上（SQUID探潜等）的需求，我们将开展超导结的材料和物理问题研究，同时为具有前瞻性的应用项目做好基础科学方面的准备。 要解决的关键科学问题包括： 1. 努力寻找到科学上有重要意义和（或）有重要实用价值的超导体。基于这些新材料，在结构表征和物理研究方面率先做出有重要影响的工作。 2. 在高温超导机理解决的过程中做出重要甚至是奠定性的工作，努力提出正确的模型和物理图象直至解决高温超导机理问题；在非常规竞争序超导体的机理方面有重要进展，并找出规律，给探索新型超导体提供指导。 3. 提高实用超导体的临界电流、磁通钉扎能力和不可逆磁场；理解复杂涡旋系统和尺寸受限超导体的磁通运动和相变规律。 4. 弄清楚实用二硼化镁超导体和钇钡铜氧涂层导体成相和制备方法，提高钉扎和临界磁场，促进应用发展。 5. 制备出亚微米尺寸的高性能超导结器件；明确超导结器件电磁和高频特性以及配对、耦合和噪声等物理机理；深入理解超导结器件的消相干机理和高温超导等离子体振荡的基本规律；探索新型超导结器件及其在各前沿领域中的实用方案。 因此本项目以新超导材料探索为基础，以对超导重大科学问题和限制应用的关键问题的理解为根本，以解决应用中关键科学问题为目的，本着有所为，有所不为的精神，认真选择课题并精心组织队伍开展研究。 具体每个方向的研究内容如下： I.超导基础材料科学和物理问题研究 （设三个课题） I-1：新型超导材料探索与表征 （1） 掺杂Mott 绝缘体中的超导电性； （2） 新型含轻元素超导体的探索； （3） 有机超导体探索； （4） 激子超导体的探索。 该课题的目标或要解决的关键科学问题是希望通过未来5年的努力，能够寻找到科学上有重要意义和（或）有重要实用价值的超导体。并且基于这些新材料，在结构表征和物理研究方面率先作出有重要影响的工作。 I-2：非常规超导机理研究 （1） 高温超导体电子态相图和超导配对对称性随掺杂浓度的变化； （2） 赝能隙的本质及其与超导的关系； （3） 高温超导体的临界涨落特性研究； （4） 竞争序超导电性研究。 该课题的目标或要解决的关键科学问题是在高温超导机理解决的过程中做出重要甚至是奠定性的工作，努力提出正确的模型和物理图象；在非常规竞争序超导体的机理方面有重要进展，并尽可能找出规律，给探索新型超导体提供指导。 I-3：实用超导体的临界电流问题和磁通动力学研究 （1） 物理和化学方法增强临界电流密度和磁通钉扎能力； （2） Josephson涡旋动力学以及饼涡旋的相互作用； （3） 高温超导体不可逆磁场和磁通系统相变； （4） 受限系统的量子磁通态。 本课题的目标及要解决的重大科学问题是：努力提高实用超导体的临界电流、磁通钉扎能力和不可逆磁场；研究复杂涡旋系统和尺寸受限超导体磁通态的相变规律等等。 II.实用超导材料的基础科学问题 （设二个课题） II-1：新型实用超导材料——二硼化镁有关基础科学问题研究 （1） 二硼化镁及其元素掺杂体系成相机理及相关物理化学特性研究； （2） MgB2超导薄膜及厚膜的物理化学气相沉积（HPCVD）制备技术基础研究； （3） 二硼化镁超导材料临界磁场和有效提高磁通钉扎手段的物理本质； （4） 实用化二硼化镁超导线带材成材技术基础问题； （5） 二硼化镁超导线带材应力应变特性及磁体制备相关电磁物理基础。 II－2：新型实用超导材料——钇钡铜氧涂层导体基础科学问题研究 （1） Ni合金及立方织构Ni、Ni基合金基带的制备与表征； （2） 种子层、隔离层、帽子层的选择以及制备技术的制备与表征； （3） 超导层的制备和微结构研究； （4） 涂层导体的相关超导电性的研究。 科学目标：解决在柔性金属基带上制备高临界电流密度的钇钡铜氧带材的一系列基础科学问题 III．超导结型器件的物理、工艺以及应用基础研究（设二个课题） III-1：超导结型器件的物理、工艺及应用研究 （1）超导结的物理和工艺研究 超导结的结构和量子噪声物理；超导结的电磁输运和高频性质；超导结阵中的等离子体振荡及其应用；超导结器件的制备工艺开发；新的超导结物理和器件；新的超导量子比特的探索；超导结的性能和消相干的关系；超导量子比特与测量系统的可控耦合方式。 （2）超导结器件在电子学方面的应用 超导结器件在射电天文、环境监测等领域中高灵敏电磁波检测器等应用：检测器包括非热型宽带超导隧道结(STJ)检测器；宽带热电子测热辐射计(HEB)；量子极限灵敏度外差式混频接收器等。超导结器件在经济、国防建设中的安全保密等领域将起重要作用的信息技术方面的应用：包括实用超导量子比特的探索；超导结的性能和消相干的关系等。超导结器件在生命科学、医疗保健等领域中太赫兹成像的应用：主要是利用超导器件中的高速磁通流，等离子体振荡和约瑟夫逊效应等产生和接收太赫兹信号等。 III-2：超导介观系统量子现象及应用基础研究 （1）介观超导体中的超导量子现象的基本问题，器件物理和新的应用探索，包括亚微米尺度的高温超导本征结，亚微米介观Nb结和构成的SQUID中的物理性质，尤其是宏观量子现象的研究；具有1/2磁通自发激化的p环的物理性质研究；基于新型MgB2超导体的SQUID器件的研究。 （2）开展超导SQUID器件在磁成像方面的研究，包括心磁和其它磁成像研究中的关键问题；SQUID器件在NMR和MRI中的应用研究。 二、预期目标 本项目的总体目标是在新型超导材料探索和重大科学问题研究上力争突破，做出重要原始创新性的成果，促进科学的发展，为国家争得荣誉；在超导材料科学及应用基础研究的主要方面，继续保持在世界前列；同时为我国超导高技术产业化解决基础科学问题；培养扎根国内并具有国际水准的优秀学术带头人，培养优秀的研究生、博士生和博士后并充实到超导研究队伍中；促进建立我国基础材料和物理研究，实用超导材料的科学评估，超导薄膜和器件工艺研究平台。总目标包括以下几个方面： 1． 努力寻找到科学上有重要意义和（或）有重要实用价值的超导体，为国家争得荣誉。争取寻找到1－5种新型超导体，并且基于这些新材料，在结构表征和物理研究方面率先做出有重要影响的工作。在新材料方面以专利的形式保护知识产权。 2． 在高温超导机理解决的过程中做出重要甚至是奠定性的工作，努力提出正确的模型和物理图象，直至解决高温超导机理问题；在非常规竞争序超导体的机理方面有重要进展，并找出规律，给探索新型超导体提供指导。同时建立有自己特色的先进的实验手段，能够从微观和电子态能谱上面直接获得信息。 3． 提高实用超导体的临界电流、磁通钉扎能力和不可逆磁场；理解复杂涡旋系统和尺寸受限超导体的磁通运动和相变规律。把这些成果实用到应用课题上，解决实用中的关键技术问题。 4． 弄清楚实用二硼化镁超导体和钇钡铜氧涂层导体成相和制备方法，提高临界电流和临界磁场，与相关的863应用项目配套，促进应用发展。使二硼化镁超导线材在20K下其临界磁场达到3 T以上，临界电流密度达到105A/cm2;钇钡铜氧涂层导体短样临界电流密度达到2´106A/cm2以上。 5． 以超导本征结和超导介观体系宏观量子现象为基础，开展超导电子学的研究。深入研究超导结的工艺和物理，以此为基础开展SQUID器件的应用基础研究，使得器件应用的水平有所提高，实现利用SQUID器件进行超低场NMR和MRI探测的研究，完成二维成像的原理研究。使我国在超导电子技术、电磁波检测技术、太赫兹成像技术、信息技术等国际前沿领域占有一席之地。 最后以高水平学术论文扩大影响，以专利形式保护知识产权。争取申请专利20－25项，发表学术论文450篇以上。 三、研究方案 本项目包括三个主要研究方向，共七个课题。这三个方向涵盖了从材料基础到前沿科学，到应用基础问题的研究内容，它们相互关联和推动。下面分别叙述每个方向上课题开展的主要技术途径、与国内外同类研究相比的创新点与特色、取得重大突破的可行性分析。 I：基础超导材料和物理问题研究 包括新型超导材料探索和表征，超导重大科学前沿问题和限制应用的关键科学问题研究，如非常规超导机理，磁通钉扎和磁通动力学问题在此方向上，我们要强调原创性的发现和结果，比如要推动发现全新型超导体的探索，或解决重大科学前沿问题。这本身就具有很大的创新性。我们要在掺杂Mott 绝缘体、新型轻元素体系、有机高分子材料以及一些激子系统中进行新超导体的探索。掺杂莫特绝缘体中由于电子之间的相互作用很强，电子的巡游性较差，能带宽度与关联能可比拟，掺杂后所形成的金属相也不能用描述通常金属的费米液体模型来描述。在这个金属相中往往伴随着出人意料的奇异特性，如高温超导，巨磁电阻等等。另外，超导完全可能在很多轻元素材料中被发现。原因是这些轻元素材料，往往德拜温度很高，如果费米面有一定的高电子态密度，就可能出现高温超导现象。二硼化镁就是这方面一个典型的例子。在很多有机材料中，电子具有巡游特性，因此有电导出现，在有些情况下会出现超导电性，而且其超导未必是通过声子媒介起作用的。目前有机超导体的温度已达10 K以上。很多学者认为，如果实现激子机制超导电性，那么超导临界温度Tc将会大幅度提高。但是到目前为止还没有一个激子型超导体问世。现代的微加工技术和薄膜制备技术为进行激子超导体探索提供了契机。在测量技术上可以利用精密磁测量技术先发现超导体抗磁信号，然后利用电输运测量技术来确认新的超导电性。任何具有新的物理意义或实用价值的超导体的发现都属于重大原创性的工作。 在非常规超导机制方面，我们要抓住氧化物高温超导机理研究这个核心，开展工作，然后向具有竞争序的超导体和其他新型配对对称性的超导体方面拓展研究范围。在实验方面，系统地制备高质量的高温超导体、钴酸钠超导体和一些密度波超导体样品，供机理研究之用；用比热、热导和微波等手段研究的低能电子激发行为；用红外和电子拉曼等光学手段研究电子的动力学性质；用角分辨光电子光谱手段研究准粒子能谱；用STM等隧道谱测量手段得到在不同条件下准粒子态在实空间和能量轴上的分布；利用类似手段研究若干其它非常规超导体的相图和物理性质；对各方面的实验结果进行由点到面的理论分析，揭示竞争序在不同体系超导体中的特征性及异同。紧紧抓住非常规超导体的一个普遍特征――竞争序这根主线去研究非常规超导机理是具有创新的想法，因为这样不同系统所表现出来的信息可以融会贯通，相互借鉴。 在实用超导体的临界电流和磁通动力学研究方面，要注重通过外界环境以及材料设计调控高温超导材料中磁通物质的宏观量子态，研究其磁通动力学行为，探讨提高临界电流密度的新途径。基于新型的超导/纳米材料的合成与组装技术及其微结构与性能的表征技术，探讨有限尺寸与超导电性的关系，研究受限体系的磁通动力学问题。化学方法或熔融织构法调控晶界的行为，改善弱连接，提高临界电流密度。研究手段上可以利用电输运，磁弛豫和动力学磁弛豫技术加以研究。另外要借助于新兴的一些微观测量技术，如Hall探头阵列技术和精密磁光技术研究磁通动力学问题。除此之外，高精度的STM技术可以用来研究介观超导体的磁通态量子化。 II：实用超导材料基础科学问题：二硼化镁超导体和钇钡铜氧涂层导体应用中的基础问题研究 基于对二硼化镁基本问题研究，技术上以粉末套管（PIT）技术为总体技术框架，开发以下关键技术并解决相关基础科学问题。开发物理化学气相沉积（HPCVD）方法制备MgB2超导厚膜及薄膜技术；开发HPCVD方法生长长线（带）的技术；HPCVD和激光沉积方法生长高度织构、有较完善超导性能的MgB2薄膜；制备MgB2薄膜的微桥结和其它类型的超导结，发展相应的MgB2超导结的物理模型。最后在磁体技术基础方面，注意应力应变特性和磁体稳定性及相关电磁特性。在MgB2磁体的设计和制造方面，目前国际上有关磁体制备基础的结果几乎没有报道，相关磁体制备工作主要目的还是为了判断二硼化镁磁体制备的可行性，而磁体制备基础工作是非常关键的，所以我们拟开展包括应力应变、线带材的热磁稳定性、超导接头的制备及性能等研究工作，获得磁体制备的关键基础参数。本项研究当中，利用复合铁－铜管作为包套材料，是一个创新，一方面可以减少包套材料对超导电性的破坏，另外，可以降低包套材料的磁性，以此会对将来的磁体制作带来方便。 在钇钡铜氧涂层导体方面开展（1）Ni合金及立方织构Ni、Ni基合金基带的研究。（2）种子层、阻挡层、帽子层的选择以及制备技术的研究。采用磁控溅射、蒸发、激光沉积、化学方法以及IBAD多种手段制备中间层。研究薄膜的外延生长机理，寻找高速低成本制备高质量中间层的手段。（3）超导层的制备技术研究。超导层的研究主要采用三种方法：蒸发、激光和化学方法。（4）涂层导体的相关超导电性的研究。对涂层导体的磁通钉扎、交流损耗等各种超导电性能指标进行测试分析，了解各种微结构因素对涂层导体性能的影响。在制备过程中添加化学夹杂，提高钉扎中心的密度，并进一步提高临界电流密度。 III：超导结型器件的物理、工艺以及应用基础问题研究 超导结器件的物理和制备工艺方面，通过观察和分析器件的温度特性，高频响应特性，量子振荡和噪声特性等，从理论和实验角度，研究超导材料和器件的配对、耦合和噪声等物性，探索超导结器件在前沿领域中的应用。具体方案如下： (1)超导结特性和结物理的研究 在已有的超低温、超高频等极限测试环境中，利用长期积累的低温和超低噪声测试的经验，包括超导量子干涉器件和低温低噪声放大器以及无源电容电感共振回路等低噪声测试手段，测量超导结器件的直流及交流电流—电压特性以及温度变化规律，与尺寸有关的电磁特性和噪声特性等。在已有的等离子体振荡理论研究基础上，采用实验和数值计算相结合的方法，深入研究高性能的高温超导结阵中等离子体振荡频率与隧道结数目、耦合强度等定量关系，确立等离子体振荡的变化规律；利用已有的从微波到远红外波段的各种信号源和微波技术、准光技术等，在建立结阵作为电磁波振荡源与外电路的耦合方式的基础上，研究电磁波在结阵中的传播和等离子体振荡与外加电磁辐照的相互作用等。通过测量结阵在外加直流磁场中的行为，包括磁通流台阶、正常态电阻和等离子体振荡频率等参数的磁场依从性，结合数值理论分析方法，研究高温超导体内非线性动力学和磁通动力学性质等基础理论问题。 (2)制备工艺的基础研究 在理论计算、模型设计的前提下以及自行开发的低能离子刻蚀法和双面制备法等创新工艺的基础上，利用已有的脉冲激光、溅射、蒸发等成熟的成膜方法和光刻、电子束曝光刻蚀、（聚焦）离子束刻蚀等微加工手段，通过原位刻蚀和实时检测等有效的方法，制备高质量的薄膜材料以及微米和亚微米级的超导结器件，特别是高性能的单个结和大量性能一致的结所构成的均匀结阵。细致研究由于制备技术的不精确所造成的结和结阵特性的不均匀性以及制备工艺各个环节（设计、薄膜生长、图形成型、电极成型）的各种重要参数对结器件性能的影响，通过理论与实验两方面的评估，寻找最佳的制备工艺，提高结器件性能的一致性、重复性，有效地提高结器件的成品率。 (3)新型超导结器件和应用的探索 在已有的超导薄膜外延生长及微加工技术的基础上，通过研究原位氧化或等离子处理对超导薄膜界面的影响等，进一步理解和掌握超导薄膜与氧化物势垒层、绝缘层之间的外延异质生长工艺和掺杂效应，设计和制备新的薄膜型超导结器件。利用超导器件的宏观量子效应和强的非线性隧道效应以及高效率、低损耗、高灵敏度等特点，在深入研究其高频和噪声特性的基础上，探索超导结器件在射电天文、环境监测等领域中高灵敏检测器的应用，经济、国防建设中的安全保密等领域将起重要作用的量子比特方面的应用，生命科学、医疗保健等领域中太赫兹成像的应用以及电流、电压等计量标准方面的应用等。 超导介观系统量子现象及应用基础问题的主要研究方案是：以超导量子器件即SQUID器件作为研究对象。既有高温超导体和近年来发现的MgB2超导体的SQUID器件，也包含低温全Nb结器件。低温超导全Nb微米及亚微米约瑟夫森结和SQUID系统对于研究介观体系的宏观量子现象和物理特征更为适宜。而且从应用研究看，随作制冷技术和微加工技术的提高，低温器件的使用和制备都更加方便，性能稳定的全Nb器件在许多灵敏的应用（如心磁研究中）优越性更大。 采用性能稳定的全铌隧道结作为研究对象。运用原位溅射、光刻和电子束暴光相结合的方法制备结和器件。在较宽的温区研究结和器件的物理性质，包括经典和量子的特征。注重理论分析和实验测量相结合。在测量中采用电流、磁通偏置、微波以及屏蔽等手段。重点要在新的物理现象(例如量子退相干和量子相变等)和新的可能应用（微米和亚微米结SQUID器件）方面开展研究。 此外对在高温超导机理研究方面有重要价值的本征结制备方面，将在Bi2Sr2CaCu2O8+δ等单晶上制备得到所需的亚微米尺寸的高度可控的柱状结构（即亚微米本征约瑟夫森结）。在获得理想的样品的基础上，系统分析各种尺寸的样品的I-V以及dI/dV曲线，研究热效应的影响，获得系统的真正单电子隧道谱。 对于MgB2薄膜SQUID器件，研究其Josephson效应，发展相应的MgB2超导结的物理模型和制备方法。研制MgB2的SQUID器件，并开展其实用可能性的探索，特别是可在液氦以上温度工作的MgB2 SQUID器件。 在提高心磁等磁成像应用器件性能方面的具体技术路线包括：稳定性好，灵敏度高的全Nb结SQUID器件和特殊用途的器件；发展新型SQUID梯度计和抗干扰技术；发展适用的信号处理方法。 在传统的NMR中，信号与核磁化强度和核磁矩的进动频率成正比，而这两个量均正比于磁场。所以传统的NMR或MRI中需要采用强磁场。但是，低场下的NMR一直吸引着科学家们的关注，因为不少情况下，低场得到的信息很难在强场下得到。随作磁场的降低，磁共振的频率降低，因而常规的探测线圈灵敏度大大降低。一个有效地克服这一难题的途径就是采用超导SQUID器件作为探测元件，可以对从兆赫兹直到直流的磁信号进行测量，可在mT甚至mT磁场下获得NMR信号，同时也不需要具有极高均匀性的强磁场，使得成本降低。 在具体的实施中，首先采用高温超导SQUID器件进行实验，在典型样品中获得NMR信号，研究环境电磁噪声和待测样品引入的噪声对信号的影响。进行编码方式研究，研究二维成像。在基础上探索利用低温器件提高信噪比等。 四、年度计划 年度 研究内容 预期目标 第 一 年 确定新型超导材料探索的范围，并准备好前期条件，开始探索。制备出更多系列的高质量高温超导单晶和竞争序超导单晶，开展电子态相图和低能激发的研究。着手发展先进的实验手段，如建立微波谐振，角分辨光电子谱设备，Hall探头阵列实验手段。完善热测量和电子拉曼谱测量条件。对实用超导材料进行化学掺杂及中子辐照实验，进行提高临界电流的尝试。对二硼化镁超导材料的成相规律进行探索，获得相图并指导下一步材料制备。对钇钡铜氧涂层导体的各种方法进行分析、筛选并努力切实可行的制备方法。同时进行金属基带的织构性研究。完善制备至亚微米尺寸的各种高性能超导结和电路工艺。细致研究由于制备技术的不精确所造成的结器件特性的不均匀性以及制备工艺各个环节对结器件性能的影响，有效地提高结器件的成品率和各类应用要求的适应性；建立完善低温、低噪声和高频测试系统。 1. 确定一些重点研究体系，了解成相规律，制定研究探索方案。根据各种材料的特点建立相应的实验设备。 2. 制备出更多系列的高质量高温超导单晶体。建立和完善必要的研究手段。 3. 建立MgB2及其元素掺杂体系成相的物理化学过程模型，揭示其元素掺杂体系中依次出现各种亚稳相的相变机制等。完成用HPCVD生长厚膜制备MgB2超导长线（带）的方案和相应的物理论证。 4. 了解金属基带立方织构的形成机理和影响因素。了解影响种子层取向生长的参数，并分析原因，提出解决措施。弄清控制化学溶液法制备的氧化物隔离层的关键因素，给出合理解释。 5. 成熟并完善已有的亚微米本征约瑟夫森结的制备工艺。制备高质量超导MgB2薄膜。得到介观SQUID中的分离能级计算结果。得到SQUID心磁测量信号去噪声处理方法。 本年度发表学术论文60篇以上，影响因子3以上的论文15篇以上,申报专利3项以上。 第 二 年 开始尝试烧结制备新型超导材料，并伴随新材料的出现进行表征。进一步制备出更多系列的高质量高温超导单晶和竞争序超导单晶。完善微波谐振，角分辨光电子谱设备和 Hall 探头阵列实验手段。利用多种手段，开展赝能隙区域的输运以及低能激发的研究，并努力构造图象。综合各种手段，对实用超导材料进行提高临界电流的尝试。开展介观尺度超导体的量子行为的研究，以及Josephson涡旋的动力学研究。建立MgB2及其元素掺杂体系的成分-温度-压力实验相图，建立了阶段性亚稳相转变理论，揭示其元素掺杂体系中依次出现各种亚稳相的相变机制。研究掺杂提高临界电流和临界磁场的规律。在相图的指导下进行粉末套管法和厚膜生长方法的探索。对钇钡铜氧涂层导体的金属基带进行细致研究和工艺探索，同时开展阻挡层和钇钡铜氧薄膜的制备。利用低温、低噪声和高频测试系统对超导结器件进行系统的电磁特性和噪声特性的测量，深入研究相关参数的温度、磁场、频率和尺寸等变化规律，对器件的电磁和噪声机理有较明确的认识。 1. 制备出更多系列的高质量高温超导单晶和竞争序超导单晶。 2. 争取获得满足需要的高度取向的织构基带材。 3. 制备亚微米尺寸的高性能超导结。建立太赫兹波准光耦合系统。 4. 提出MgB2多芯线带材电塑性加工变形机制和物理原理。制备出18-50芯MgB2线带材，超导芯丝直径达到50-70μm,工程临界电流密度达到6×104A/cm2(25K,1T)。确定HPCVD生长元素掺杂MgB2超导膜过程中，掺杂元素类型和影响超导电性的规律。 5. 提高金属基带立方织构度，平面内j扫描半高宽达到8-10°。通过研究基底对种子层的影响，摸索获得稳定织构种子层的生长工艺。初步掌握在金属基底上生长YBCO涂层导体的技术。 6. 制备出性能良好的MgB2薄膜，摸索出MgB2薄膜中结的制备方法。新的SQUID或梯度计器件。初步完成SQUID进行NMR测量的装置。 本年度发表学术论文80篇，影响因子3以上的论文20篇以上,申报专利5项以上。 第 三 年 进一步寻找新型超导材料。如果顺利地找到了新型材料，我们可以率先开展很多物性研究。进行超导单晶质量的优化，获得多系列不同掺杂的高温超导单晶。开展赝能隙区域的扫描隧道谱实验，力图探明赝能隙与局域电子态密度的关系。研究超导压制后量子基态相变的规律，力求辩明在欠掺杂区是金属基态还是绝缘基态。对竞争序与超导的关系有深入的理解。利用微观手段（STM和微小Hall probe技术）来研究磁通动力学和单根涡旋芯的物理。从微观的角度对几种实用超导材料的磁通钉扎问题进行研究。制备出介观尺度二硼化镁薄膜，并研究其量子行为。制备出高临界电流，基本满足应用需求的二硼化镁线带材。开始着手实用型二硼化镁超导磁体的设计。在高质量的金属基带上面开展阻挡层和钇钡铜氧薄膜的制备。结合微结构分析，研究钇钡铜氧涂层薄膜的磁通钉扎和临界电流问题，并反馈指导制备工艺。并开展弱电应用的前期研究。对Josephson涡旋的动力学和相图有初步了解。利用已有的从微波到远红外波段的各种信号源和微波技术、准光技术等，对结器件的微波和太赫兹波响应特性进行测量，研究电磁波在结阵中的传播和等离子体振荡与外加电磁辐照的相互作用，获得结器件在电磁波下行为的清晰图像。 1. 制备一批高质量的新型超导体单晶，对超导相的本征物理性质深入分析。 2. 获得多系列不同掺杂的高温超导单晶。 3. 确定最有效提高MgB2磁通钉扎特性的掺杂和替代元素类型及最佳配比。建立MgB2超导体的磁通钉扎机制定量数学物理模型，提出元素掺杂替代、纳米粒子掺杂和微结构改善MgB2超导体磁通钉扎的物理模型。建立MgB2超导结的物理模型，了解MgB2 SQUID的特征性能。制备出二硼化镁超导结。 4. 了解热蚀沟的存在对隔离层和超导层晶粒取向的影响程度。 2．使阻挡层生长技术适合产业化发展，j扫描半高宽小于8°。YBCO涂层导体短样临界电流密度达到1´105A/cm2(77K,0T)以上。 5. 实现利用SQUID器件进行超低场NMR信号测量。 本年度发表学术论文80篇，影响因子3以上的论文20篇以上,申报专利5项以上。 第 四 年 对新发现的超导材料进行深入研究，并扩大探索范围，努力寻找到更多的新型超导材料。对高温氧化物超导体和其他非常规超导材料从多角度进行研究，争取获得有关机理方面的重要实验结果。实验和理论结合，努力构建高温超导图象。开展赝能隙区域的深入物理研究，力图探明赝能隙与超导的关系。研究超导压制后的基态行为。对竞争序与超导的关系有深入的理解。利用微观手段（STM和微小Hall probe技术）来研究磁通动力学和单根涡旋芯的物理。从微观的角度对几种实用超导材料的磁通钉扎问题进行研究。制备出高质量二硼化镁薄膜并开展器件研究和制备。在获得高临界电流密度的基础上，利用二硼化镁线带材制备磁体，并对磁体的性能进行标定。对钇钡铜氧涂层导体的性质进行深入研究，进一步生长出长带样品。在技术上实现亚微米尺度本征结和全Nb结SQUID的制备，并能够稳定工艺。在此基础上开展介观超导体和器件中的物理性质，尤其是宏观量子现象的研究，争取在超导量子技术上有所突破。制备出MgB2的Josephson结并实现可在20 K温度使用的SQUID器件。在实验上实现利用SQUID器件进行超低场NMR和MRI探测的研究。研究提高分辨率的机制和方法。 1． 努力寻找到更多的新型超导材料。 2． 争取获得有关高温超导机理方面的重要实验结果。实验和理论结合，努力构建高温超导图象。 3． 利用二硼化镁线带材制备磁体，并对磁体的性能进行标定。建立4.2K-30K温区内，二硼化镁超导线带材应力应变与性能的物理关系模型，为实用化二硼化镁多芯超导线带材的导体设计提供理论参考。制备出接头触点电阻小于10-9Ω的超导开关。了解微结构因素对超导电性能的影响。 4． 得到重复性好的YBCO涂层导体，短样临界电流密度接近1´106A/cm2(77K,0T)。 5． 实现亚微米尺度本征结和全Nb结SQUID的制备，并能够稳定工艺。制备出MgB2的Josephson结并实现可在20 K温度使用的SQUID器件。在实验上实现利用SQUID器件进行超低场NMR和MRI探测的研究。研究提高分辨率的机制和方法。确立SQUID进行MRI二维成像的实验方案。 本年度发表学术论文80篇以上，影响因子3以上的论文20篇,申报专利5项以上。 第 五 年 基于新型超导体，在结构表征和物理研究方面率先做出有重要影响的工作。在新材料方面以专利的形式保护知识产权。结合大量实验数据，提出理论模型来解释高温超导机理。在非常规竞争序超导体的机理方面有重要进展。通过掺杂明显提高实用超导体的临界电流、磁通钉扎能力和不可逆磁场。找出Josephson涡旋系统的磁通运动和相变规律。利用我们的基础研究积累，与863项目配合，制备出高质量的钇钡铜氧涂层导体带材。利用973项目积累的知识，与863配合，制备出高临界电流密度的二硼化镁材料，并以此为基础制造出20 K运行的超导磁体（中心磁场达到2 T－3 T）。制备出亚微米尺寸的高性能超导结器件；实现超导介观体系中的量子现象的测量和控制。在技术上实现亚微米尺度本征结和全Nb结SQUID的制备，并能够稳定工艺。制备出MgB2的Josephson结并实现可在20 K温度使用的SQUID器件。实现利用SQUID器件进行超低场NMR和MRI探测的研究，完成二维成像的原理研究。研究提高分辨率的机制和方法。 1． 争取探索到新型高温超导体。提出理论模型来解释高温超导机理。 2． 在非常规竞争序超导体的机理方面有重要进展。 3． 通过掺杂明显提高实用超导体的临界电流、磁通钉扎能力和不可逆磁场。 4． 制备出高质量的钇钡铜氧涂层导体带材。 5． 与863配合，制备出高临界电流密度的二硼化镁材料，并以此为基础制造出20 K运行的超导磁体（中心磁场达到2 T－3 T）。 6． 实现亚微米尺度本征结和全Nb结SQUID的制备。制备出MgB2的Josephson结并实现可在20 K温度使用的SQUID器件。 7． 实现利用SQUID器件进行超低场NMR和MRI探测的研究，完成二维成像的原理研究。 本年度发表学术论文80篇，影响因子3以上的论文20篇以上,申报专利5项以上。