688019_2019_安集科技_2019年年度报告_2020-04-21.pdf

2019 年年度报告 1/185 公司代码：688019 公司简称：安集科技 安集微电子科技（上海）股份有限公司安集微电子科技（上海）股份有限公司 20192019 年年度报告年年度报告 2019 年年度报告 2/185 重要提示重要提示 一、一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、二、重大风险提示重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第四节“经营情况讨论与分析”。三、三、公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议。董事会会议。四、四、毕马威华毕马威华振会计师事务所（特殊普通合伙）振会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了为本公司出具了标准无保留意见标准无保留意见的审计报告。的审计报告。五、五、公司公司负责人负责人 Shumin WangShumin Wang、主管会计工作负责人、主管会计工作负责人杨逊杨逊及会计机构负责人（会计主管人员）及会计机构负责人（会计主管人员）洪洪亮亮声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。六、六、经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2019年利润分配方案为：公司拟以实施2019年度分红派息股权登记日的总股本为基数，向全体股东每10股派发现金红利3.8元（含税）。截至2019年12月31日，公司总股本为53,108,380股，以此计算合计拟派发现金红利总额为20,181,184.40元（含税），占公司2019年度合并报表归属上市公司股东净利润的30.65%，剩余未分配利润结转以后年度分配；公司不进行资本公积金转增股本，不送红股。本次利润分配方案尚需提交本公司2019年年度股东大会审议通过。七、七、是否是否存在存在公司治理特殊安排等重要事项公司治理特殊安排等重要事项 适用 不适用 八、八、前瞻性陈述的风险声明前瞻性陈述的风险声明 适用 不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。九、九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？否 2019 年年度报告 3/185 十一、十一、其他其他 适用 不适用 2019 年年度报告 4/185 目录目录 第一节 释义.5 第二节 公司简介和主要财务指标.7 第三节 公司业务概要.10 第四节 经营情况讨论与分析.22 第五节 重要事项.39 第六节 股份变动及股东情况.61 第七节 优先股相关情况.68 第八节 董事、监事、高级管理人员和员工情况.69 第九节 公司治理.79 第十节 公司债券相关情况.82 第十一节 财务报告.83 第十二节 备查文件目录.185 2019 年年度报告 5/185 第一节第一节 释义释义 一、一、释义释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：常用词语释义 安集科技、公司 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司 Anji Cayman 指 Anji Microelectronics Co.,Ltd.，公司控股股东 上海安集 指 安集微电子（上海）有限公司 宁波安集 指 宁波安集微电子科技有限公司 台湾安集 指 台湾安集微电子科技有限公司 安续投资 指 上海安续投资中心（有限合伙）安集有限 指 安集微电子科技（上海）有限公司，公司前身 国家“02 专项”指 国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项”股东大会 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司股东大会 董事会 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司董事会 监事会 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司监事会 高级管理人员 指 公司总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书 公司章程 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司章程 公司法 指 中华人民共和国公司法 证券法 指 中华人民共和国证券法 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 报告期 指 2019 年度 元、万元 指 人民币元、人民币万元 化学机械抛光（CMP）指 Chemical Mechanical Planarization，集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP 技术由化学作用和机械作用两方面协同完成。化学机械抛光液/抛光液 指 又称“化学机械研磨液”，由纳米级研磨颗粒和高纯化学品组成，是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料。研磨颗粒 指 化学机械抛光液所用的研磨颗粒通常采用硅溶胶和气相二氧化硅。光刻 指 半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。光刻胶 指 光刻中采用的感光物质，其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转移至衬底上。光刻胶去除 指 刻蚀之后，图形成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，而要从表面去掉。光刻胶去除剂/光阻去除剂 指 又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”，是光刻胶去除工艺中使用的化学材料，主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。芯片、集成电路（IC）指 Integrated Circuit，是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。逻辑芯片 指 一种通用芯片，它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。存储芯片 指 又称“存储器”，是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放，广泛应用于内存、U 盘、2019 年年度报告 6/185 消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。DRAM 指 动态随机存取存储器，属于易失性存储器。NAND 指 闪存，属于非易失性存储器。2D NAND 指 存储单元为平面结构的一种 NAND 存储器。3D NAND 指 一种新兴的闪存类型，通过把存储单元堆叠在一起来解决 2D 或者平面NAND 闪存带来的限制。晶圆（wafer）指 硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。先进封装 指 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D 封装、3D 封装等均被认为属于先进封装范畴。晶圆级封装（WLP）指 Wafer-Level Packaging，在晶圆上封装芯片，而不是先将晶圆切割成单个芯片再进行封装。这种方案可实现更大的带宽、更高的速度与可靠性以及更低的功耗，并为用于移动消费电子产品、高端超级计算、游戏、人工智能和物联网设备的多晶片封装提供了更广泛的形状系数。铜阻挡层 指 集成电路后道铜导线和绝缘介质中间的一种阻挡层材料，目的是防止铜和绝缘介质发生反应。发光二极管（LED）指 Light Emitting Diode，一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。有机发光二极管（OLED）指 Organic Light-Emitting Diode，其原理是在两电极之间夹上有机发光层，当正负极电子在此有机材料中相遇时就会发光。鳍 式 场 效 应 晶 体 管（FinFET）指 Fin Field-Effect Transistor，一种新的互补式金氧半导体晶体管，FinFET 命名是根据晶体管的形状与鱼鳍非常相似。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的闸长。摩尔定律 指 当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。SEMI 指 Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体设备与材料产业协会。技术节点 指 泛指在集成电路制造过程中的“特征尺寸”，尺寸越小，表明工艺水平越高，如 130nm、90nm、28nm、14nm、7nm 等等。平坦化 指 在制造工艺中，通过热流程、有机层或化学机械抛光技术对晶圆表面的平整化。纳米（nm）指 长度单位，1nm=10-9m。埃 指 长度单位，1 埃等于 1 微米的万分之一。导体 指 具有低电阻和高电导率的材料。介质 指 绝缘材料。在加电压时不传导电流。半导体工艺中常用两种介质，即氧化硅和氮化硅。刻蚀 指 去除特定区域材料的工艺过程。往往通过湿法或干法的化学反应，或者物理方法，如溅射刻蚀实现。宽禁带半导体 指 又称第三代半导体，是指使用禁带宽度在 2.3eV 及以上的半导体材料（如碳化硅、氮化镓等）的半导体器件。小芯片（chiplet）指 是在同一个封装或系统里集成多个裸片的一种新型芯片设计模式。后段硬研磨工艺 指 随着集成电路发展到 28nm 及以下节点，为了满足铜大马士革工艺低介电材料干法蚀刻选择比要求，引入氮化钛作为干法蚀刻阻挡层。新冠肺炎 指 新型冠状病毒肺炎 Yole 指 知名的半导体行业研究机构 WSTS 指 世界半导体贸易统计(协会)芯谋研究 指 国内知名的半导体研究机构 2019 年年度报告 7/185 摩根大通 指 知名的行业研究机构 IC Insights 指 知名的半导体行业研究机构 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标 一、一、公司基本情况公司基本情况 公司的中文名称 安集微电子科技（上海）股份有限公司 公司的中文简称 安集科技 公司的外文名称 Anji Microelectronics Technology(Shanghai)Co.,Ltd.公司的外文名称缩写 Anji Technology 公司的法定代表人 SHUMIN WANG 公司注册地址 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T69幢底层 公司注册地址的邮政编码 201201 公司办公地址 上海市浦东新区碧波路889号E座1-3楼 公司办公地址的邮政编码 201203 公司网址 电子信箱 IR 二、二、联系人和联系方式联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表 姓名 杨逊 冯倩 联系地址 上海市浦东新区碧波路889号E座1-3楼 上海市浦东新区碧波路889号E座1-3楼 电话 021-20693201 021-20693201 传真 021-50801110 021-50801110 电子信箱 IR IR 三、三、信息披露及备置地点信息披露及备置地点 公司选定的信息披露媒体名称 上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报 登载年度报告的中国证监会指定网站的网址 公司年度报告备置地点 公司证券部 四、四、公司股票公司股票/存托凭证简况存托凭证简况(一一)公司股票简况公司股票简况 适用 不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 安集科技 688019 不适用 2019 年年度报告 8/185 (二二)公司公司存托凭证存托凭证简简况况 适用 不适用 五、五、其他其他相相关资料关资料 公司聘请的会计师事务所（境内）名称 毕马威华振会计师事务所（特殊普通合伙）办公地址 北京市东长安街 1 号东方广场 2 座办公楼 8层 签字会计师姓名 徐海峰、刘许友 报告期内履行持续督导职责的保荐机构 名称 申万宏源证券承销保荐有限责任公司 办公地址 上海市徐汇区长乐路 989 号 3 楼 签字的保荐代表人姓名 包建祥、张晶注 持续督导的期间 2019 年 7 月 22 日至 2022 年 12 月 31 日 注：于本报告出具之日，公司签字的保荐代表人为：包建祥、康杰，详见公司于 2020 年 3 月 28日披露于上海交易所网站的关于变更持续督导保荐代表人的公告。六、六、近三年主要会计数据和财务指标近三年主要会计数据和财务指标(一一)主要会计数据主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 2019年 2018年 本期比上年同期增减(%)2017年 营业收入 285,410,172.10 247,848,714.83 15.15 232,427,093.83 归属于上市公司股东的净利润 65,846,041.18 44,962,447.23 46.45 39,739,145.83 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 43,031,261.59 43,129,761.73-0.23 37,226,155.98 经营活动产生的现金流量净额 84,682,099.91 59,763,009.36 41.70 27,067,628.94 2019年末 2018年末 本期末比上年同期末增减（%）2017年末 归属于上市公司股东的净资产 887,569,640.68 346,757,773.40 155.96 301,772,617.96 总资产 991,198,926.40 433,314,552.28 128.75 353,547,174.89 (二二)主要财务指标主要财务指标 主要财务指标 2019年 2018年 本期比上年同期增减(%)2017年 基本每股收益（元股）1.45 1.13 28.32 1.00 稀释每股收益（元股）1.45 1.13 28.32 1.00 扣除非经常性损益后的基本每股收益（元股）0.95 1.08-12.04 0.93 加权平均净资产收益率（%）11.40 13.87 减少2.47个百分点 14.10 扣除非经常性损益后的加权平均7.45 13.30 减少5.85个百分点 13.21 2019 年年度报告 9/185 净资产收益率（%）研发投入占营业收入的比例（%）20.16 21.64 减少1.48个百分点 21.77 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 适用 不适用 2019 年度公司实现营业收入 28,541.02 万元，较去年同期增长 15.15%，主要系客户用量上升所致。归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为4,303.13万元，较去年同期下降0.23%，一方面是因为公司报告期内销售产品结构有所变化导致毛利率略有下降，另一方面各项期间费用有所上升所致。归属于上市公司股东的净利润为 6,584.60 万元,较去年同期增长 46.45%，除归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润的变动影响以外，主要系报告期内达成计入其他收益条件的政府补助金额较大所致。经营活动产生的现金流量净额为 84,682,099.91 万元，较去年同期增长 41.70%，大于归属于上市公司股东的净利润，主要系经营性应收项目减少和固定资产折旧所致。归属于上市公司股东的净资产和总资产较上年大幅增长主要系公司于报告期内首次发行新股以及 2019 年度经营积累所致。基本每股收益和稀释每股收益较上期增长 28.32%，主要系公司净利润增长所致。七、七、境内外会计准则下会计数据差异境内外会计准则下会计数据差异(一一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况的净资产差异情况 适用 不适用 (二二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归归属于上市公司股东的属于上市公司股东的净资产差异情况净资产差异情况 适用 不适用 (三三)境内外会计准则差异的说明：境内外会计准则差异的说明：适用 不适用 八、八、2019 年分季度主要财务数据年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币 第一季度（1-3 月份）第二季度（4-6 月份）第三季度（7-9 月份）第四季度（10-12 月份）营业收入 58,720,235.81 70,350,945.61 76,196,956.78 80,142,033.90 归属于上市公司股东的净利润 4,478,361.92 24,776,952.55 17,020,623.50 19,570,103.21 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润 3,901,513.17 12,253,074.00 15,851,178.50 11,025,495.92 经营活动产生的现金流量净额-23,775,460.68 51,701,373.33 15,443,411.00 41,312,776.26 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 2019 年年度报告 10/185 适用 不适用 九、九、非经常性损益项目和金额非经常性损益项目和金额 适用 不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 2019 年金额 附注（如适用）2018 年金额 2017 年金额 非流动资产处置损益-4,264.93 -27,999.40-252,697.53 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外 27,339,306.00 2,784,677.00 3,352,377.00 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益 1,729,394.81 -341,213.70/除上述各项之外的其他营业外收入和支出-30,000.00 -30,000.00-55,658.33 所得税影响额-6,219,656.29 -552,778.40-531,031.29 合计 22,814,779.59 1,832,685.50 2,512,989.85 十、十、采用公允价值计量的项目采用公允价值计量的项目 适用 不适用 单位：元 币种：人民币 项目名称 期初余额 期末余额 当期变动 对当期利润的影响金额 交易性金融资产-50,366,493.15 50,366,493.15 366,493.15 衍生金融资产-579,256.64 579,256.64 579,256.64 合计-50,945,749.79 50,945,749.79 945,749.79 十一、十一、其他其他 适用 不适用 第三节第三节 公司业务概要公司业务概要 一、一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况研发情况说明说明 (一一)主要业务、主要产品或主要业务、主要产品或服务服务情况情况 1、公司主营业务、公司主营业务 公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化，目前产品包括不同系列的化学机械抛光液2019 年年度报告 11/185 和光刻胶去除剂，主要应用于集成电路制造和先进封装领域。公司成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液的垄断，实现了进口替代，使中国在该领域拥有了自主供应能力。公司化学机械抛光液已在 130-14nm 技术节点实现规模化销售，主要应用于国内 8 英寸和 12 英寸主流晶圆产线；10-7nm 技术节点产品正在研发中。2、公司主要产品、公司主要产品 公司产品包括不同系列的化学机械抛光液和光刻胶去除剂，主要应用于集成电路制造和先进封装领域。根据抛光对象不同，公司化学机械抛光液包括铜及铜阻挡层系列、其他系列等系列产品；根据光刻胶下游应用领域不同，公司光刻胶去除剂包括集成电路制造用、晶圆级封装用、LED/OLED 用等系列产品。(二二)主要经营主要经营模式模式 1、采购模式 公司制定了采购管理程序和采购管理内部控制流程，并制定了采购流程、供应商管理流程、供应灾难恢复程序等标准作业程序。（1）一般采购流程 以原、辅材料和包装材料为例，公司的一般采购主要流程如下：技术研发部提出材料开发需求，采购部负责开发供应商，并由供应商管理小组负责材料评估、供应商认证、审核、导入及批准为公司合格供应商，采购部负责建立并维护合格供应商目录。公司供应商管理小组由采购部、技术研发部、质量部、生产运营部等部门人员组成。需求部门提出采购申请，并按照公司审批政策得到合适的批准后提交采购部，采购部负责管理订单执行，质量部负责采购来料检验管理，仓库负责采购入库管理。采购部按照采购合同/订单，获取发票，并整理入库及验收等付款凭证提交财务部申请付款并得到审批。财务部按照采购合同/订单约定负责采购应付款管理。（2）外协采购流程 报告期内，公司产品晶圆级封装用光刻胶去除剂和 LED/OLED 用光刻胶去除剂存在委托外协供应商生产的情形，即公司与外协供应商签订协议，外协供应商严格按照公司提供的工艺文件、技术标准来组织生产，进行质量管理控制。公司所有的产品配方、生产工艺、任何发明、设计、技术信息、技术、专有技术或者由公司依协议授权外协供应商使用的商标、商业秘密及其他知识产权属于公司单独所有。公司的外协采购主要流程如下：生产运营部根据月度销售预测生成外协采购申请单；采购部根据外协采购申请单下订单；外协供应商按订单要求安排生产；财务部每月末进行外协采购成本核算。2019 年年度报告 12/185 2、研发模式 公司以自主研发、自主创新为主，形成了科研、生产、市场一体化的自主创新机制。同时，公司与高校、客户等外部单位建立了良好的合作关系，积极开展多层次、多方式的合作研发。由于从开始研发到实现规模化销售需要较长的时间，公司与技术领先的客户合作开发，有助于了解客户需求并为其开发创新性的解决方案。公司制定了研发管理制度，并建立了研发管理内部控制流程，涵盖研发计划、研发立项、研发过程跟进和费用核算管理、专利申请和取得等环节。公司产品研发及产业化的一般路径主要包括项目论证、研发 Alpha 送样、Beta 送样试生产、商业化（规模化生产）、持续改进等五个阶段。3、生产模式 公司在产品设计及研发前期，即投入大量资源与下游客户进行技术、品质、性能交流。当产品通过客户评价和测试后，生产运营部在接到来自销售部的客户订单后，根据订单制订量产计划。具体而言，生产运营部每年组织各相关部门，根据排产计划编制年度生产计划，并进行集体评审，确定每月存货存量，以确保生产计划满足销售合同以及生产产能的要求；生产运营部组织各相关部门、各产品线负责人召开生产调度会，对生产计划的执行情况进行评审，以确保充分沟通可能影响生产计划变更的各种因素，及时调整生产计划（如及时关闭停工订单），以确保计划调整的及时性及有效性。公司已经掌握了化学机械抛光液和光刻胶去除剂生产中的核心技术，通过合理调配机器设备和生产资源组织生产。4、销售模式 公司产品主要应用于集成电路制造和先进封装领域，销售主要采用直接面对终端客户的直销模式，即公司在通过下游客户认证后，客户直接向公司下达采购订单，公司按要求直接向客户发货。同时，公司积极拓展全球市场，已在美国、新加坡等国家建立经销渠道。(三三)所处行业情况所处行业情况 1.1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化，目前产品包括不同系列的化学机械抛光液和光刻胶去除剂，主要应用于集成电路制造和先进封装领域。根据中国证监会上市公司行业分类指引（2012 年修订），公司所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”；根据国家统计局2017 年国民经济行业分类（GB/T4754-2017），公司所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业C3985 电子专用材料制造”。集成电路产业按照摩尔定律持续发展，制程节点不断缩小。芯片的制程就是用来表征集成电路尺寸大小的一个参数，随着摩尔定律的发展，集成电路制程节点从 1971 年 10 微米一直发展到现在的 10 纳米、7 纳米、5 纳米。逻辑芯片方面，各晶圆制造厂商的市场地位基本由其最先进制程节点所决定。从逻辑芯片制造最先进技术节点来看，目前台积电处于绝对领先地位。中芯国际是中国内地技术最全面、配套2019 年年度报告 13/185 最完善、规模最大、跨国经营的集成电路制造企业，目前 14nm 工艺制程芯片已经实现量产，12nm的工艺开发也取得突破。公司化学机械抛光液已在 130-14nm 技术节点实现规模化销售，主要应用于国内 8 英寸和 12 英寸主流晶圆产线；10-7nm 技术节点产品正在研发中。报告期内，中芯国际、台积电均为公司重要客户。逻辑逻辑/晶圆代工厂商制程路线图晶圆代工厂商制程路线图（量产）（量产）数据来源：IC Insights 存储芯片方面，以 NAND 为例，2017 年三星、东芝/西数、镁光、SK 海力士、英特尔合计占据全球约 99%的 NAND 市场份额。由于平面微缩极限的到来，NAND 存储芯片转向 3D 结构发展。长江存储（YMTC）2018 年发布突破性技术 XtackingTM，该技术将为 3D NAND 闪存带来前所未有的 I/O高性能、更高的存储密度以及更短的产品上市周期。长江存储已成功将 XtackingTM技术应用于其第二代 3D NAND 产品的开发，该产品已经进入量产阶段，长江存储也已成为公司重要客户。NANDNAND FlashFlash大厂技术量产制程大厂技术量产制程 数据来源：Trendforce 先进封装领域，技术得到空前发展。根据中国电子报，随着半导体技术不断演进，进入“超越摩尔”时代，半导体大厂的发展重点逐渐从过去着力于晶圆制造工艺技术节点的推进，转向系统级设计制造封装技术的创新。根据 Yole，包括台积电、武汉新芯、联电和中芯国际在内的单纯代工厂正在涉足高端封装业务，为其客户提供一站式解决方案；像日月光、艾克尔、长电科技、硅品等封测厂商正以相当可观的投入开发先进的晶圆级和 3D IC 封装产能，以支持尺寸和密度方面的需求。日月光、艾克尔、长电科技、硅品等全球领先的封测厂商均为公司客户。2019 年年度报告 14/185 尽管摩尔定律在不断被挑战，集成电路制造技术仍然在世界范围内不断被更新并向更先进的技术推进，化学机械抛光技术也不例外，这就对 CMP 工艺使用的关键材料（即化学机械抛光材料，主要包括化学机械抛光液和抛光垫）提出了更高要求，主要体现在“难”、“专”、“多”三个方面：（1）“难”。集成电路产业能够延续摩尔定律不断发展，离不开半导体材料性能的改善和新材料的应用。为了提高集成电路的性能，集成电路制造商逐步增加每块集成电路上电子元器件与布线层的数量和密度，这增加了集成电路的复杂性和对 CMP 抛光材料的相关需求。在“难”方面，在从微米到纳米级别的器件线路上，对不同材料的去除速率、选择比及表面粗糙度和缺陷都要求精准至纳米乃至埃（分子级）。如此精准的控制需要通过精制、客制抛光液在宏观的抛光机台和抛光垫的作用下完成，这些高难工艺对抛光材料的性能提出了极大的挑战。随着技术节点的推进，在 14 纳米、10 纳米、7 纳米、5 纳米等更先进的制程节点，CMP 工艺将面临各种高难度的挑战，对抛光材料尤其是抛光液将提出前所未有的高难度技术要求。（2）“专”。在逻辑芯片、存储芯片等集成电路技术不断推进过程中，对抛光材料的需求出现了“专”的趋势和特征，客户和供应商联合开发成为成功的先决条件。即使是同一技术节点，不同客户的集成技术不同，对抛光材料的需求也不同。（3）“多”。在集成电路技术不断推进过程中，必然出现多种新技术和新衬底材料，这些新技术和新衬底材料对抛光工艺材料提出了许多新的要求。随着集成电路技术的进步和对集成电路性能要求的增加，下游客户在制造过程中使用 CMP 工艺的集成电路比例在不断增加，对 CMP 材料种类和用量的需求也在增加。更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，为 CMP 抛光材料带来了更多的增长机会，比如 14 纳米以下逻辑芯片工艺要求的关键 CMP 工艺将达到 20 步以上，使用的抛光液将从 90 纳米的五六种抛光液增加到二十种以上，种类和用量迅速增长；7 纳米及以下逻辑芯片工艺中 CMP 抛光步骤甚至可能达到 30 步，使用的抛光液种类接近三十种。同样地，存储芯片由 2D NAND 向 3D NAND 技术变革，也会使 CMP 抛光步骤数近乎翻倍。光刻胶去除涉及表面科学、流体力学、电化学、材料化学、纳米科学等交叉学科。在产品配方方面，公司研发人员基于对光刻胶残留物成分、基材特性、颗粒控制等方面的理解，通过反复、大量的实验、测试、检验分析等流程确定产品配方，并通过申请专利等方式加以保护。在生产工艺流程方面，需要对产品配方中各种组分的加料方式、加料顺序、加料速度、加料时间，混合方式、混合时间、混合速度、混合强度，过滤时间、过滤方式、过滤速度、过滤器型号等进行充分研究，形成公司技术秘密予以保护。特别是集成电路领域高端光刻胶去除剂，鉴于其图形尺寸只有纳米级，对产品配方及生产工艺流程控制要求更高，目前国内仅有极少数供应商具有供应能力。2.2.公司所处的行业地位分析及其变化公司所处的行业地位分析及其变化情况情况 公司成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液的垄断，实现了进口替代，使中国在该领域拥有了自主供应能力。公司经过多年以来的技术和经验积累、品牌建设，凭借扎实的研发实力及成本、管理和服务等方面的优势，在半导体材料行业取得了一定的市场份额和品牌知名度。2019 年年度报告 15/185 3.3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 报告期及过去的几年内，手机和个人电脑仍是芯片业的最大市场。而其他新兴应用领域，比如汽车电子、物联网、可穿戴设备、云计算、大数据、新能源、医疗电子和安防电子等也有了积极的发展。在未来的几年，预计 5G 通信、人工智能、宽禁带半导体等应用领域会有积极的增长。尤其是5G 通信市场，预计在未来的几年会因为终端和基站的高速增长，形成较大的市场规模。由于这类芯片对性能和尺寸的高要求，对材料和设备产业的产品和市场都产生积极的促进作用。同时，小芯片（chiplet）技术也是未来发展的热点，这一新兴高端集成封装技术将对芯片产业产生重大的影响，而这一技术的实施也将使化学机械抛光成为高端封装的重要工艺之一。而宽禁带半导体也在电动汽车、射频和电力电子方面有很好的发展预期。(四四)核心核心技术与研发技术与研发进展进展 1.1.核心技术核心技术及其及其先进性先进性以及报告期内以及报告期内的变化情况的变化情况 公司拥有一系列具有自主知识产权的核心技术，核心技术权属清晰，技术水平国际先进或国内领先，成熟并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司的核心技术涵盖了整个产品配方和工艺流程，包括金属表面氧化（催化）技术、金属表面腐蚀抑制技术、抛光速率调节技术、化学机械抛光晶圆表面形貌控制技术、光阻清洗中金属防腐蚀技术、化学机械抛光后表面清洗技术、光刻胶残留物去除技术等。公司核心技术的应用主要体现在产品配方和生产工艺流程两个方面。一方面，公司基于核心技术研发产品配方并通过申请专利等方式加以保护，产品配方是核心技术的具体体现。另一方面，生产工艺流程是公司产品生产过程的关键，也是核心技术转化为最终产品的实现手段，公司通过技术秘密等形式对生产工艺流程予以保护。2.2.报告期内获得的研发成报告期内获得的研发成果果 报告期内，公司继续加强研发投入，继续加强与行业领先客户的合作，进一步了解客户需求并为其开发创新性的解决方案。在逻辑芯片领域，公司紧跟摩尔定律，紧跟行业领先客户的先进制程，提前进行技术平台的布局及技术能力的积累，持续相关产品的研发，实现 14nm 技术节点的产品销售，10nm-7nm 技术节点的技术研发按照计划进行；在存储芯片领域，公司积极拓展产品线，与客户紧密合作，提供有竞争力的产品和解决方案。公司产品线已从逻辑芯片拓展到存储芯片。报告期内，公司在与国内领先客户的合作中钨抛光液技术日益成熟，在抛光速率、平坦化及缺陷率等各方面达标，应用到了 3D NAND 先进制程中，实现了钨抛光液在存储器芯片厂的规模化销售。报告期内，公司 28nm 技术节点后段硬掩模工艺光刻胶去除剂的研发取得显著进展，正在积极验证以替代进口实现国产化供应。同时，公司结合 28nm 技术节点后段蚀刻残留物去除剂进展，积极进行 14nm 技术节点后段蚀刻残留物去除剂研究。报告期内，公司及其子公司共获得授权发明专利 6 项。截至 2019 年 12 月 31 日，公司及其子公司共获得 196 项发明专利，其中中国大陆 144 项、中国台湾 43 项、美国 4 项、新加坡 3 项、韩国 2 项；另有 224 项发明专利申请已获受理。2019 年年度报告 16/185 3.3.研发研发投入投入情况表情况表 单位：元 本期费用化研发投入 57,536,543.58 本期资本化研发投入 0.00 研发投入合计 57,536,543.58 研发投入总额占营业收入比例（%）20.16 公司研发人员的数量 74 研发人员数量占公司总人数的比例（%）37.00 研发投入资本化的比重（%）0.00 情况说明情况说明 无 2019 年年度报告 17/185 4.4.在研在研项目情况项目情况 适用 不适用 单位：万元 序号 项目名称 子项目名称 预计总投资规模 本期投入金额 累计投入金额 进展或阶段性成果 拟达到目标 技术水平 具体应用前景 1 铜抛光液系列产品 28-14nm用铜化学机械抛光液 12,000.00 2,641.46 8,897.62 实现 14nm 技术节点的产品销售 优化用于 28nm 的铜化学机械抛光液以满足 14nm 技术节点的要求 达到国际先进水平 产品满足先进制程的技术要求，具有成长空间 高去除速率铜化学机械抛光液 实现成熟产品的替代 研发替代现有用于8 英寸芯片抛光所需的高去除速率低成本的抛光液 达到国际先进水平 替代现有供应商，扩大市场 10nm 以下用铜化学机械抛光液 10nm-7nm技术节点的技术研发按照计划进行 研发用于 10nm 以下技术节点的铜抛光液 达到国际先进水平 产品满足先进制程的技术要求，具有成长空间 2 阻挡层抛光液系列产品 28-14nm用阻挡层化学机械抛光液 5,000.00 900.51 3,536.47 实现 14nm 技术节点的产品销售 优化用于 28nm 的铜阻挡层抛光液以满足 14nm 技术节点的要求 达到国际先进水平 产品满足先进制程的技术要求，具有成长空间 高去除速率阻挡层化学机械抛光液 实现成熟产品的替代 研发满足 40-28nm顶层铜阻挡层抛光所需的高去除速率低成本的抛光液 达到国际先进水平 替代现有供应商，扩大市场 10nm 以下用阻挡层抛光液 10nm-7nm技术节点的技术研发按照计划进行 研发用于 10nm 以下技术节点的阻挡层抛光液 达到国际先进水平 产品满足先进制程的技术要求，具有成长空间 2019 年年度报告 18/185 3 钨 化 学机 械 抛光液 高选择比的钨抛光液 6,000.00 1,195.49 1,941.23 钨抛光液技术日益成熟，在抛光速率，平坦化及缺陷率等各方面达标，应用到了 3D NAND 先进制程中，实现了高选择比的钨抛光液在存储器芯片厂的规模化销售 研发高倍稀释的、高生产率、高钨/氧化物选择比、高钨/磷硅玻璃（PSG）选择比的钨抛光液 达到国际先进水平 随着 3D NAND 市场的发展而扩