688689_2020_银河微电_2020年年度报告_2021-04-19.pdf

2020 年年度报告 1/146 公司代码：688689 公司简称：银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司常州银河世纪微电子股份有限公司 20202020 年年度报告年年度报告 2020 年年度报告 2/146 重要提示重要提示 一、一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、二、重大风险提示重大风险提示 详情敬请参阅本报告第四节“经营情况讨论与分析”之“（二）风险因素”相关内容。三、三、公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议。董事会会议。四、四、立信会计师事务所（特殊普通合伙）立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了为本公司出具了标准无保留意见标准无保留意见的审计报告。的审计报告。五、五、公司负责人公司负责人杨森茂杨森茂、主管会计工作负责人、主管会计工作负责人关旭峰关旭峰及会计机构负责人（会计主管人员）及会计机构负责人（会计主管人员）李福承李福承声明：保证年度报声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。告中财务报告的真实、准确、完整。六、六、经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以分红方案实施时股权登记日登记的为基数，向登记在册全体股东每10股派现金红利人民币2.5元（含税），截至2021年3月31日，公司的总股本为12,840万股，预计支出分红资金3,210.00万元，占2020年度归属于母公司股东净利润的46.16%。2020年度公司不送红股，不进行公积金转增股本。该利润分配预案已获得公司第二届董事会第九次会议审议通过，尚需提交股东大会审议。七、七、是否是否存在存在公司治理特殊安排等重要事项公司治理特殊安排等重要事项 适用 不适用 八、八、前瞻性陈述的风险声明前瞻性陈述的风险声明 适用 不适用 本报告内容涉及的未来计划等前瞻性陈述因存在不确定性，不构成公司对投资者的实质性承诺，请投资者注意投资风险。九、九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、十一、是否存在半数是否存在半数以上以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、十二、其他其他 适用 不适用 2020 年年度报告 3/146 目录目录 第一节 释义.4 第二节 公司简介和主要财务指标.5 第三节 公司业务概要.8 第四节 经营情况讨论与分析.17 第五节 重要事项.26 第六节 股份变动及股东情况.47 第七节 优先股相关情况.51 第八节 董事、监事、高级管理人员和员工情况.52 第九节 公司治理.56 第十节 公司债券相关情况.58 第十一节 财务报告.59 第十二节 备查文件目录.146 2020 年年度报告 4/146 第一节第一节 释义释义 一、一、释义释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：常用词语释义 银河微电、公司、本公司 指 常州银河世纪微电子股份有限公司 银河有限 指 常州银河世纪微电子有限公司，本公司前身 银河星源 指 常州银河星源投资有限公司，本公司控股股东 恒星国际 指 恒星国际有限公司（ActionStarInternationalLimited），本公司股东 银江投资 指 常州银江投资管理中心（有限合伙），本公司股东 银冠投资 指 常州银冠投资管理中心（有限合伙），本公司股东 清源知本 指 常州清源知本创业投资合伙企业（有限合伙），本公司股东 聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙），本公司股东 银河电器 指 常州银河电器有限公司，本公司子公司 银河寰宇 指 泰州银河寰宇半导体有限公司，本公司孙公司 银微隆 指 常州银微隆电子有限公司，本公司子公司 银河科技 指 常州银河科技开发有限公司，本公司股东恒星国际曾经控制的企业，于 2016 年 12 月30 日注销 裕域有限 指 裕域有限公司（Opulent Field Limited），2010 年 1 月 8 日成立于英属维尔京群岛，实际控制人曾经控制的企业，已被恒星国际吸收合并 银河控股 指 银河半导体控股有限公司，2005 年 6 月成立于开曼群岛，香港上市主体，股票代码00527.HK 银河（中国）控股 指 银河（中国）控股有限公司（Galaxy（China）Holdings Limited），2013 年 10 月 25日于香港成立，2018 年 6 月 15 日注销 华海诚科 指 江苏华海诚科新材料股份有限公司（836975.OC），公司供应商，曾为公司关联方 公司章程 指 常州银河世纪微电子股份有限公司章程 公司法 指 中华人民共和国公司法 证券法 指 中华人民共和国证券法 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所、交易所 指 上海证券交易所 保荐机构 指 中信建投证券股份有限公司 会计师、立信会计师 指 立信会计师事务所（特殊普通合伙）报告期 指 2020 年度 报告期末 指 2020 年末 元、万元、亿元 指 人民币元、万元、亿元 IDM 指 Integrated Device Manufacture 的缩写，又称纵向一体化经营，指半导体行业集产品设计、芯片制造、封装测试、销售服务一体化整合的经营模式，能够实现设计、制造环节的协同优化，充分挖掘技术潜力，有条件率先试验并推行新的半导体技术，为诸多领先分立器件厂商采用。半导体分立器件 指 以半导体材料为基础的，具有固定单一特性和功能的电子器件。集成电路 指 将一定数目的二极管、三极管、电阻、电容和电感等集成在一个芯片里，从而实现电路或者系统功能的电子器件。小信号器件 指 耗散功率小于 1W（或者额定电流小于 1A）的分立器件 功率器件 指 耗散功率不小于 1W（或者额定电流不小于 1A）的分立器件 光电器件 指 利用半导体光-电子（或电-光子）转换效应制成的各种功能器件。二极管 指 是一种具有正向导通、反向截止功能特性的半导体分立器件。三极管 指 全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等。MOSFET、MOS 管 指 是金属（metal）-氧化物（oxide）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，属于电压控制型器件。桥式整流器 指 用多只（四只、六只等）二极管芯片以桥式整流方式连接，并用绝缘模塑料封装成整体，具有将单相（三相）交流电转换成直流电功能的半导体分立器件。光电耦合器 指 是由发光二极管和光敏三极管合并使用，以光作为媒介传递信号的光电器件。轴向二极管 指 在同一轴线上两端引出引线的半导体二极管。2020 年年度报告 5/146 芯片 指 如无特殊说明，本文所述芯片专指半导体分立器件芯片，系通过在硅晶圆片上进行抛光、氧化、扩散、光刻等一系列的工艺加工后，在一个硅晶圆片上同时制成许多构造相同、功能相同的单元，再经过划片分离后便得到单独的晶粒，即为芯片。GPP 芯片 指 在晶圆片制作芯片流程阶段，进行腐蚀台面分隔 PN 结，涂覆玻璃进行终端保护制作出的芯片称为 GPP（玻璃钝化）芯片 OJ 芯片 指 将做过 PN 结的晶圆片直接分离开所形成的（开放结）芯片，需要进行引线焊接、台面腐蚀，涂覆硅橡胶保护层等才能形成稳定的电性。晶圆 指 是制造半导体芯片的硅单晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。整流 指 用二极管将周期变化的交流电变成单向脉动直流电的过程。开关 指 利用半导体分立器件模拟机械开关，起导通和截止的作用。稳压 指 利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程。脉冲 指 脉冲有短促的意思，凡是具有不连续波形的信号均可称为脉冲信号。从广义来说，各种非正弦信号都是脉冲信号。肖特基 指 肖特基势垒，是指具有整流特性的金属-半导体界面，和 PN 结具有类似的整流特性。肖特基势垒相较于 PN 结最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的（几乎不存在）耗尽层宽度。封装测试、封测 指 封装是把芯片按一定工艺方式加工成具有一定外形和功能的器件的过程。测试是把封装完的器件按一定的电性规格要求进行区分，把符合规格与不符合规格的产品分开的过程。塑封 指 用注塑、挤压等方法将热塑性或热固性树脂施加在制件上包覆成特定外形而作为保护或绝缘层的一种作业。固晶 指 固晶又称为 DieBond 或装片。固晶即通过将芯片粘结在引线支架的指定区域，形成良好的接触，从而形成热通路或电通路的过程。氧化 指 在特定气体成分、压力、温度等条件下，（在高温氧化炉内）晶圆表面生长一定厚度的致密 SiO2 薄膜的过程。光刻 指 一种利用光照、感光剂（光刻胶）、掩膜版（其上有设计好的图形）配合 的复印技术，可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上。钝化 指 在半导体器件 PN 结表面覆盖保护介质膜，防止表面污染的工艺过程。LED 指 发光二极管 TVS 指 瞬态电压抑制二极管 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标 一、一、公司基本情况公司基本情况 公司的中文名称 常州银河世纪微电子股份有限公司 公司的中文简称 银河微电 公司的外文名称 Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.公司的法定代表人 杨森茂 公司注册地址 常州市新北区长江北路19号 公司注册地址的邮政编码 213022 公司办公地址 常州市新北区长江北路19号 公司办公地址的邮政编码 213022 公司网址 电子信箱 二、二、联系人和联系方式联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表 姓名 金银龙 徐涛 联系地址 常州市新北区长江北路19号 常州市新北区长江北路19号 电话 0519-68859335 0519-68859335 传真 0519-85120202 0519-85120202 电子信箱 2020 年年度报告 6/146 三、三、信息披露及备置地点信息披露及备置地点 公司选定的信息披露媒体名称 上海证券报中国证券报证券时报证券日报中国日报网 登载年度报告的中国证监会指定网站的网址 公司年度报告备置地点 公司证券事务部 四、四、公司股票公司股票/存托凭证简况存托凭证简况(一一)公司股票简况公司股票简况 适用 不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 银河微电 688689 不适用(二二)公司公司存托凭证存托凭证简简况况 适用 不适用 五、五、其他其他相相关资料关资料 公司聘请的会计师事务所（境内）名称 立信会计师事务所（特殊普通合伙）办公地址 上海市黄浦区南京东路 61 号四楼 签字会计师姓名 凌燕、陈思华 报告期内履行持续督导职责的保荐机构 名称 中信建投证券股份有限公司 办公地址 北京市朝阳区安立路 66 号 4 号楼 签字的保荐代表人姓名 梁宝升、王家海 持续督导的期间 2021 年 1 月 27 日至 2024 年 12 月 31 日 六、六、近三年主要会计数据和财务指标近三年主要会计数据和财务指标(一一)主要会计数据主要会计数据 单位：元币种：人民币 主要会计数据 2020年 2019年 本期比上年同期增减(%)2018年 营业收入 610,235,005.07 527,893,779.40 15.60 585,382,675.45 归属于上市公司股东的净利润 69,538,921.58 52,724,499.00 31.89 55,880,100.02 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 57,125,303.17 49,611,410.82 15.15 53,158,509.99 经营活动产生的现金流量净额 74,297,702.95 106,376,790.55-30.16 64,146,531.23 主要会计数据 2020年末 2019年末 本期末比上年同期末增减（%）2018年末 归属于上市公司股东的净资产 576,207,759.20 505,956,237.66 13.88 473,194,138.70 总资产 809,105,481.52 699,439,280.72 15.68 655,551,177.39(二二)主要财务指标主要财务指标 主要财务指标 2020年 2019年 本期比上年同期增减(%)2018年 基本每股收益（元股）0.72 0.56 28.57 0.58 稀释每股收益（元股）0.72 0.56 28.57 0.58 扣除非经常性损益后的基本每股收益（元股）0.59 0.52 13.46 0.55 加权平均净资产收益率（%）12.85 11.02 增加1.83个百分点 12.56 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%）10.56 10.37 增加0.19个百分点 11.95 研发投入占营业收入的比例（%）5.79 6.10 减少0.31个百分点 5.90 2020 年年度报告 7/146 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 适用 不适用 报告期内，公司实现营业收入 610,235,005.07 元，同比增加 15.60%；实现归属于母公司所有者的净利润69,538,921.58 元，同比增加 31.89%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 57,125,303.17，同比增加 15.15%。报告期末，公司财务状况良好，总资产 809,105,481.52 元，较报告期初增加 15.68%；归属于母公司的所有者权益 576,207,759.20 元，较报告期初增加 13.88%。2020 年虽然受新冠肺炎疫情影响，公司一季度整体开工率同比有所下降，但公司积极应对，抓住半导体行业逐渐回暖的机遇，努力推进技术研发和技术改造，促进产品结构的优化升级。报告期公司业务保持稳步发展，业务利润也同比增长。七、七、境内外会计准则下会计数据差异境内外会计准则下会计数据差异(一一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况况 适用 不适用 (二二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归归属于上市公司股东的净资产差异情况属于上市公司股东的净资产差异情况 适用 不适用 (三三)境内外会计准则差异的说明：境内外会计准则差异的说明：适用 不适用 八、八、2020 年分季度主要财务数据年分季度主要财务数据 单位：元币种：人民币 第一季度（1-3 月份）第二季度（4-6 月份）第三季度（7-9 月份）第四季度（10-12 月份）营业收入 105,287,192.12 158,076,446.99 166,947,893.50 179,923,472.46 归属于上市公司股东的净利润 8,056,532.80 22,648,175.39 18,898,762.19 19,935,451.20 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润 6,712,804.56 17,522,664.97 15,816,496.92 17,073,336.72 经营活动产生的现金流量净额 9,170,673.34 22,626,617.82 12,635,208.55 29,865,203.24 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 适用 不适用 九、九、非经常性损益项目和金额非经常性损益项目和金额 适用 不适用 单位:元币种:人民币 非经常性损益项目 2020 年金额 附注（如适用）2019 年金额 2018 年金额 非流动资产处置损益-112,400.83 -95,473.54 14,675.89 越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免 8,534,773.64 -计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外 2,879,541.40 1,445,247.90 1,933,597.84 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益 非货币性资产交换损益 委托他人投资或管理资产的损益 1,557,819.04 1,091,180.55 531,275.75 因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备 债务重组损益 2020 年年度报告 8/146 企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等 交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益 1,403,930.52 870,069.43-单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回 对外委托贷款取得的损益 采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益 根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响 受托经营取得的托管费收入 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 387,499.57 368,813.19 702,471.93 其他符合非经常性损益定义的损益项目 少数股东权益影响额 所得税影响额-2,237,544.93 -566,749.35-460,431.38 合计 12,413,618.41 3,113,088.18 2,721,590.03 十、十、采用公允价值计量的项目采用公允价值计量的项目 适用 不适用 单位：元币种：人民币 项目名称 期初余额 期末余额 当期变动 对当期利润的影响金额 交易性金融资产 -应收款项融资 8,931,441.72 8,592,245.39-339,196.33-合计 8,931,441.72 8,592,245.39-339,196.33-十一、十一、非企业会计准则业绩指标说明非企业会计准则业绩指标说明 适用 不适用 第三节第三节 公司业务概要公司业务概要 一、一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况研发情况说明说明 (一一)主要业务、主要产品或主要业务、主要产品或服务服务情况情况 1、主要业务 公司是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业，致力于成为半导体分立器件细分领域的专业供应商及电子器件封测行业的优质制造商。公司以客户应用需求为导向，以封装测试专业技术为基础，积极拓展二极管芯片制造技术，初步具备 IDM 模式下的一体化经营能力，可以为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案，满足客户一站式采购的需求。2、主要产品或服务情况 公司主营各类小信号器件（小信号二极管、小信号三极管）、功率器件（功率二极管、功率三极管、桥式整流器），同时还生产车用 LED 灯珠、光电耦合器等光电器件和少量三端稳压电路、线性恒流 IC 等其他电子器件。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域，并可以为客户进行封测定制加工。2020 年年度报告 9/146 (二二)主要经营模式主要经营模式 公司坚持以客户需求为导向，依托技术研发和品质管控能力，积极实施包括多门类系列化器件设计、部分品种芯片制造、多工艺平台封测生产以及销售服务的一体化整合（IDM），采用规模生产与柔性定制相结合的生产组织方式，以自主品牌产品直销为主满足客户的需求，从而实现盈利。1、采购模式 公司采用“集中管理、分散采购”的模式，将供应链管理的规范性和适应产销需求的采购快捷灵活性有效地结合起来，并通过计划订单拉动和安全库存管控相结合的方式，达到兼顾快速交付订单和有效管控存货风险的要求。2、生产模式 公司采用“以销定产，柔性组织”的生产模式。公司依据专业工艺构建产品事业部组织生产，以实现产能的规模效应和专业化管理。同时，公司以市场为导向，努力构造并不断优化适应客户需求的多品种、多批次、定制化、快捷交付的柔性化生产组织模式。3、营销模式 公司依托自主品牌和长期积累的客户资源，采用“直销为主、一站式配套”的营销模式。公司建有较强的营销团队和集客户要求识别、产品设计、应用服务、失效分析等为一体的技术服务团队，依托丰富的产品种类和专业化的技术支持，为客户提供一站式采购服务。4、研发模式 公司采用“自主研发、持续改善”的研发模式。公司技术研发中心统一组织管理新产品研发以及技术储备研发活动，涵盖需求识别、产品设计、新材料导入、芯片制造和封测、模拟试验和验证、应用服务等各个技术环节，构建相互支撑、持续改善的系统性创新体系。公司的主要经营模式在报告期内未发生重大变化，未来还将继续保持。公司将以技术创新为基础，积极整合各类资源，充分满足下游产业和客户对产品的需求，促进公司业务的持续健康发展。(三三)所处行业情况所处行业情况 1.1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 （1）行业的发展阶段 公司主要从事半导体分立器件的研发、生产和销售，属于新一代信息技术领域的半导体行业。半导体行业位于电子行业的中游，是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业。半导体产品按结构和功能可进一步细分为分立器件和集成电路，分立器件与集成电路共同构成半导体产业两大分支。近年来，分立器件占全球半导体市场规模的比例基本稳定维持在 18%-20%之间。与海外半导体产业进入成熟阶段不同，我国半导体处在奋起追赶的发展黄金窗口期，产业发展任重道远。近年来，我国分立器件企业紧跟国际先进技术发展，通过持续的技术创新不断推动产品升级，在技术研发和先进装备方面进行了大量的投资，并积极向中高端市场渗透，与国际厂商展开竞争，已经在消费电子等细分应用领域取得了一定的竞争优势。（2）行业的基本特点 半导体行业需要持续的高投入，具有资金密集、技术密集的特点，导致明显的头部集中格局。以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额，2018 年度前十大分立器件公司均为国外企业，前十大半导体分立器件企业市场占有率合计达到 63.50%，市场集中度较高。半导体行业是研发最密集的行业，国际领先企业掌握着中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度高于国内企业，全球排名前三的半导体分立器件企业英飞凌、安森美及意法半导体在 2019 年度的研发费用分别占到营业收入的 11.77%、11.61%及 15.72%，高于国内同行业可比公司，在全球竞争中保持优势地位。半导体行业下游需求领域广泛，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。我国已经成为全球制造业第一大国和全球最大电子产品消费市场，根据 WSTS 的数据显示，2019 年度我国半导体市场销售额占到全球的 35%，而且仍在不断上升。根据中国半导体行业协会的数据显示，2013 年-2019 年我国半导体分立器件产业销售收入由 1,536 亿元增长至 2,772 亿元，年复合增长率为 10.34%，保持较高的增长速度。半导体分立器件技术研发的重点是提高效率、增加性能和减少体积，不断发展新的器件理论和结构，促进各种新型分立器件的发明和应用。未来技术发展将会呈现以下几个特点：新型功率半导体分立器件将不断出现，替代原有市场应用的同时，还将开拓出新的应用领域。如美国Gree 公司研发出用于移动 WiMAX 用途的新的高功率 GaN RF 功率晶体管，在 40v、3.3GHz 下峰值脉冲输出功率达到创记录的 400W。新材料、新技术不断得到发展和应用。为了使现有功率半导体分立器件能适应市场需求的快速变化，需要启用新技术，不断改进材料性能或研发新的应用材料，继续优化完善结构设计、制造工艺和封装技术等，提高器件的性能，如第三代半导体材料 SiC、GaN 等的应用。体积小型化、组装模块化、功能系统化趋势明显。电子信息产品的小型化、甚至微型化，必然要求其各部分零部件尽可能小型化、微型化、多功能。为适应整机装备效率和提高整机性能的可靠性、稳定性的需求，半导体分立器件将会趋向模块化、集成化。（3）行业的主要技术门槛 2020 年年度报告 10/146 半导体分立器件的研发及生产过程涉及半导体物理、微电子、材料学、机械工程、电子信息等众多学科，需要综合掌握和应用器件设计、芯片制造、封装测试、应用试验等专业技术，属于技术密集型行业。随着下游应用场景不断更新和拓展，电子产品的升级频率更加快速，对半导体分立器件产品的性能参数、可靠性、稳定性等都有持续提升的要求，下游应用对供应商快速满足其新需求的配套设计能力和技术服务支持能力的需求也越来越高。因此，本行业对新进入者具有较高的技术壁垒。2.2.公司所处的行业地位分析及其变化公司所处的行业地位分析及其变化情况情况 从全球市场来看，半导体分立器件市场集中度较高，且由于国外企业的技术领先优势，几乎垄断了汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。因此，总体而言，国内半导体分立器件企业与国际领先企业在规模及技术上都存在一定差距。我国半导体分立器件市场呈现金字塔格局，第一梯队为国际大型半导体公司，凭借先进技术占据优势地位；第二梯队为国内少数具备 IDM 经营能力的领先企业，通过长期技术积累形成了一定的自主创新能力，在部分优势领域逐步实现进口替代；第三梯队是从事特定环节生产制造的企业，如某种芯片设计制造、或几种规格封装测试。公司通过长期的行业深耕，在多门类系列化器件设计、部分品种芯片制造、多工艺封装测试等环节均掌握了一系列核心技术，具备较强的根据客户需求进行产品定制，并以多工艺制造平台制造生产来满足客户需求的能力，在国内属于具备一定技术优势的半导体分立器件厂商。小信号器件是公司的核心优势产品，布局较早、具备先发优势，在国内市场的占有率超过 5%。是该领域的知名自主品牌。公司在功率器件领域具有一定的市场影响力，多次被评为“中国半导体功率器件十强企业”，属于国内半导体分立器件行业中规模较大的领先企业。客户认证是半导体分立器件行业的核心门槛之一，公司在计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域得到了诸多知名龙头客户的长期认可，并随着公司技术水平的不断提升，产品逐步进入工业控制、安防设备、汽车电子、医疗器械等应用领域，具备较强的客户认证优势。3.3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 虽然硅材料平台目前仍然是主流的半导体分立器件工艺平台，并将在未来相当一段时间内占据主要市场，但新的半导体材料，如 SiC、GaN 工艺平台正在逐步走向成熟，Diamond 材料也有很好的发展前景。公司针对 GaN、SiC 基半导体功率器件产品已有一些预研及技术储备，GSC 系列 650V/1200V SiC 肖特基产品也已小批量生产。在平面型、槽栅型 MOSFET 产品方面公司均有布局，而“采用 Clip 技术的功率 MOS 器件焊接技术”项目的实施，将进一步提升公司在 MOS 器件封装的功率密度和热性能方面的技术优势。半导体分立器件的封测逐步向尺寸更小、功率密度更高的方向发展，芯片逐步向高性能、高可靠性发展。目前在公司自主生产的产品中，封装形式主要集中在前三代，第四代封装已经实现量量产，第五代封装尚处于试样阶段，还未形成收入。由于各代封装固有的特性优势，预计在众多领域的需求还会持续共存。此外，公司从功率二极管芯片的工艺和结构两个方面着手，积极推进技术研发活动，以满足持续提升产品性能和可靠性的需求。半导体分立器件产业链主要包含器件及芯片设计、芯片制造、封装测试三大工艺环节，根据所涉及经营环节的不同，经营模式分为纵向一体化（IDM）以及垂直分工两种。由于分立器件在投资规模方面采用 IDM 模式具备经济效益上的可行性，同时分立器件的产品设计和生产工艺都会对产品性能产生较大的影响，对器件设计与制造工艺的整合能力要求较高，因此业内领先企业一般都沿着逐步完善 IDM 环节的模式发展。公司以封装测试专业技术为基础，逐步拓展部分功率二极管芯片的设计和制造能力，已经初步具备了 IDM 模式下的一体化经营能力。近年来，分立器件产品的国产化趋势日益明显，特别是“中兴事件”之后，半导体的进口替代被提升到国家战略层面。一方面国内厂商具备一定的效率和成本优势，并随着近年来国内半导体产业的发展，领先企业的产品结构不断升级，已经逐步具备了参与到中、高端市场竞争的能力。另一方面，为保证供应链的稳定性，之前主要依赖进口分立器件的诸多国内知名客户也纷纷转向寻找国内供应商。因此，借助于国家产业基金、金融和税收政策的支持，国内领先企业将成为进口替代和参与国际市场竞争的主力军。报告期内，新冠肺炎疫情爆发下的“宅经济”加速了全球数字化转型，云服务、服务器、笔记本电脑、游戏和健康医疗的需求不断上升，5G、物联网、汽车、人工智能和机器学习等技术的快速发展，也一起推动了市场对半导体产品的需求。其次，新冠肺炎疫情冲击了全球供应链，加剧了供需矛盾。相对来说，我国更早复工复产，管控有效，使得国内企业能够获得更多的市场机会。根据中国半导体行业协会（CSIA）的预测，我国半导体分立器件市场需求将从 2019 年 2,784.2 亿元增长至 2022 年的 3,447.8 亿元，保持持续增长势头。(四四)核心核心技术与研发技术与研发进展进展 1.1.核心技术核心技术及其及其先进性先进性以及报告期内以及报告期内的变化情况的变化情况 半导体分立器件技术经过长期发展，已经形成了较为成熟的行业标准和规范，产品技术一般与特定的设计和工艺环节相联系，一旦某个设计和工艺节点的技术获得突破或提升，则该技术可以广泛应用于相关的多系列产品。公司始终跟随行业最先进通用技术的发展路径，并结合自身工艺特点和终端需求进行技术研发，以实现核心技术的不断升级和工艺方法的持续优化。公司掌握半导体功率二极管部分品类芯片的设计和制造技术，建有业内主流的台面芯片产线和国内先进的平面高压芯片工艺平台。公司掌握行业主流的半导体分立器件封装测试通用技术，并在组装、成型、测试等环节积2020 年年度报告 11/146 累了一系列专有技术。公司依托于芯片和封测核心技术的支撑，具备将芯片设计及制造技术、丰富的封装专业工艺技术组合进行产品设计和生产的能力，是细分行业内半导体分立器件品种规格最为齐全的企业之一。公司主要的核心技术情况如下：核心技术核心技术 技术描述及特点技术描述及特点 使用该项核心技术的主使用该项核心技术的主要产品要产品 组装技术 高密度阵列式框架设计技术 框架设计多排化使每条框架产品数增加，同时提高单位面积内的产品数，提高生产效率及降低材料消耗。以 SOT-23为例，使用该技术使每平方厘米产品数从 4.75 颗提高至5.71 颗，密度提高 20%。小信号二极管、光电耦合器、功率二极管、桥式整流器 芯片预焊技术 将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，在提升焊接工序效率，减少芯片沾污方面有明显效果，焊接气孔由5%减少到 3%以下。桥式整流器 绝缘膜装片技术 是多芯片堆叠封装的重要支撑技术，可以满足同种或不同芯片堆叠的需求，使芯片底部与基岛连接处不会有溢胶，并达到精准的装片效果。小信号二极管 超低弧度焊线技术 在通用技术的基础上通过焊线工艺参数的特别控制及焊线方法的改进，使小信号器件封装焊线线弧高度最低可以控制至 40um 以下，从而实现产品超薄型化，如 DFN0603 厚度达到 0.25 mm 以下。小信号二极管、小信号三极管 点胶量 CPK 自动测量控制技术 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都在受控范围。功率二极管、桥式整流器 功率芯片画锡焊接技术 是通过特殊的点胶针头在点胶范围内均匀行走，达到胶量更均匀位置更可控，从而达到焊锡均匀、焊接气孔减少的目的，可提升功率器件的性能和可靠性。功率二极管 光耦 CTR 控制技术 通过硅胶色膏配比调整硅胶透光率、控制点胶高度和控制芯片对照角度来进行精密调整控制技术来实现目标 CTR参数的调整，调整后的 CTR 一次对档率高。光电耦合器 低应力焊接封装技术 通过使用新型焊片、芯片自动填装、低应力封装料及后固化特殊处理工艺等措施及技术，降低封装应力，提高产品的抗热应力能力和可靠性。功率二极管 高温反向漏电控制技术 通过聚酰亚胺胶替代硅橡胶、引线结构优化排出胶体气泡，结合二次上胶降低聚酰亚胺胶体缺陷等技术，提高 OJ芯片产品的高温性能，使产品在高温下反向漏电更小。功率二极管 跳线焊接技术 在框架焊接工艺中采用跳线完成芯片上表面的电极与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产品潜在失效风险。功率二极管、桥式整流器 成型技术 MGP 模封装技术 采用多注射头封装模具，多料筒、多注射头封装形式，优势在于可均衡流道，实现近距离填充，树脂利用率高，封装工艺稳定。小信号二极管、功率二极管 变速注塑技术 使用注塑速度由快变慢再变更慢的控制技术，有效解决塑封过程对焊线冲弯问题及塑封体气孔问题。小信号二极管、小信号三极管、功率二极管 光电产品复合封装技术 将发光芯片（IR）及接收芯片（PT）进行集成复合封装时，通过利用白色胶体透光率和芯片对照角度的控制，实现光、电及光电传输参数的控制，并实现输入与输出端绝缘隔离效果。光电耦合器 测试技术 基于产品特性数据分析的测试技术 针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定测试方案，并用 PAT 方法筛选出产品性能离散及有潜在失效模式的产品。小信号二极管、小信号三极管、功率二极管、功率三极管、桥式整流器、光电耦合器 基于 FMEA 的测试技术 针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产品。全参数模拟寿命试验验证技术 通过器件电、热、环境、力全方位测试验证，器件芯片设计仿真能力，基础数据的长期大量积累，为器件研发设计的验证、生产制造质量保障、市场服务保障。广泛使用于公司能生产的封装外形及相应的产品类别。2020 年年度报告 12/146 芯片制造技术 平面结构芯片表面多层钝化技术 采用多层（至少 3 层）CVD 钝化膜技术，形成芯片表面所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具备 5um20um 的钝化介质层。多层 CVD 钝化膜起到固定可动电荷、稳定耐压，隔离水汽渗透，绝缘电介质等功能，从而形成芯片表面所需的综合钝化保护膜，相应产品性能稳定性优异。聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定性、可靠性。功率二极管 平面结构芯片无环高耐压终端技术 特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、CVD 等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提升产品稳定性、可靠性等目的。功率二极管 平面结构功率稳压二极管、TVS 芯片设计及制备技术 特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达到提升产品一致性、稳定性