688711_2021_宏微科技_江苏宏微科技股份有限公司2021年年度报告（更正后）_2022-06-15.pdf

2021 年年度报告 1/198 公司代码：688711 公司简称：宏微科技 江苏宏微科技股份有限公司江苏宏微科技股份有限公司 20212021 年年度报告年年度报告 2021 年年度报告 2/198 重要提示重要提示 一、一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性性、准确、准确性性、完整完整性性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利公司上市时未盈利且尚未实现盈利 是 否 三、三、重大风险提示重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第四节“经营情况讨论与分析”。四、四、公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议。董事会会议。五、五、天衡会计师事务所（特殊普通合伙）天衡会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了为本公司出具了标准无保留意见标准无保留意见的审计报告。的审计报告。六、六、公司负责人公司负责人赵善麒赵善麒、主管会计工作负责人、主管会计工作负责人薛红霞薛红霞及会计机构负责人（会计主管人员）及会计机构负责人（会计主管人员）薛红霞薛红霞声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。七、七、董事会董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2021年利润分配及资本公积金转增股本方案：1.经公司2021年第五次临时股东大会审议通过关于的议案,同意派发现金红利19,994,146.80元（含税）。本公司已进行了2021年第三季度利润分配，截止2021年12月31日，公司实现归属于母公司所有者的净利润为68,829,391.15元，前三季度现金分红金额占2021年全年度归属于母公司股东净利润的比例为29.05%，本次不再进行现金分红。2.本次拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，向全体股东每10股转增4股，截至2021年12月31日公司总股本为98,493,334股，以此计算合计转增股本39,397,334股，转股后公司总股本为137,890,668股。（本次转增股数系公司根据实际计算四舍五入所得。公司总股本数以中国证券登记结算有限责任公司上海分公司最终登记结果为准，如有尾差，系取整所致）。本次利润分配及资本公积金转增股本方案已经公司第四届董事会第九次会议审议通过。尚需公司股东大会审议通过。八、八、是否是否存在存在公司治理特殊安排等重要事项公司治理特殊安排等重要事项 适用 不适用 九、九、前瞻性陈述的风险声明前瞻性陈述的风险声明 适用 不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。2021 年年度报告 3/198 十、十、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十一、十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、十二、是否存在半数是否存在半数以上以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、十三、其他其他 适用 不适用 2021 年年度报告 4/198 目录目录 第一节第一节 释义释义.5 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标.6 第三节第三节 管理层讨论与分析管理层讨论与分析.11 第四节第四节 公司治理公司治理.33 第五节第五节 环境、社会责任和其他公司治理环境、社会责任和其他公司治理.47 第六节第六节 重要事项重要事项.52 第七节第七节 股份变动及股东情况股份变动及股东情况.78 第八节第八节 优先股相关情况优先股相关情况.87 第九节第九节 公司债券相关情况公司债券相关情况.87 第十节第十节 财务报告财务报告.88 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及公告的原稿 2021 年年度报告 5/198 第一节第一节 释义释义 一、一、释义释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：常用词语释义 发行人、公司、本公司、宏微科技 指 江苏宏微科技股份有限公司，系由原江苏宏微科技有限公司于 2012 年 8 月 18 日整体变更设立 宏电节能 指 江苏宏电节能服务有限公司，公司全资子公司 启帆星 指 广州市启帆星电子产品有限公司，公司控股子公司 深圳分公司 指 江苏宏微科技股份有限公司深圳分公司 北京分公司 指 江苏宏微科技股份有限公司北京分公司 英飞凌 指 英飞凌科技公司（Infineon Technology AG）富士电机/富士 指 富 士 电 机 株 式 会 社（Fuji Electric）安森美 指 安 森 美 半 导 体 公 司（ON Semiconductor）华虹宏力 指 上海华虹宏力半导体制造有限公司 华润华晶 指 无锡华润华晶微电子有限公司 汇川技术 指 深圳市汇川技术股份有限公司（300124）苏州汇川 指 汇川技术全资子公司 台达集团 指 台达电子工业股份有限公司，台湾上市企业，全球领先的电源及零组件产品供应商 芯片 指 从晶圆上切割下来的内含基本功能元胞的晶粒。功率半导体器件 指 用于电器设备中实现电能变换和控制的半导体器件（通常指电流为数安至数千安，电压为数百伏至数千伏的半导体器件）。第三代半导体 指 第三代半导体材料，主要包括SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等。光伏逆变器 指 可将光伏（PV）太阳能板产生的可变直流电压转换为市电频率交流电（AC）的逆变器。IGBT 指 Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写，绝缘栅双极型晶体管，是一种电压控制2021 年年度报告 6/198 开关型功率半导体器件，也是电能转换的核心器件。FRED 指 Fast-Recovery Epitaxial Diode 的缩写，快恢复外延二极管，是二极管的一种，也是一种功率半导体器件，既可以独立使用，也可以与 IGBT 配合做续流二极管使用。MOSFET 指 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物场效应晶体管，是一种高频的电压控制开关型功率半导体器件。SiC 指 碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等特性，是生产第三代功率半导体器件的主要材料。芯片代工 指 芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工企业通过采购硅片材料、光刻、刻烛、离子注入、扩散等环节制造出芯片。封装 指 将晶圆分割成单个的芯片后，将芯片安放、焊接引线和连接到一个封装体上。测试 指 封装后对半导体器件功能、电参数等进行测量，以检测产品的质量。保荐机构（主承销商）、保荐人、民生证券 指 民生证券股份有限公司 发行人律师、环球律师 指 北京市环球律师事务所 会计师、天衡会计师 指 天衡会计师事务所（特殊普通合伙）证监会 指 中国证券监督管理委员会 公司法 指 中华人民共和国公司法 证券法 指 中华人民共和国证券法 公司章程 指 江苏宏微科技股份有限公司章程 报告期 指 2021 年度 报告期期末 指 2021 年 12 月 31 日 元、万元 指 人民币元、万元 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标 一、一、公司基本情况公司基本情况 公司的中文名称 江苏宏微科技股份有限公司 2021 年年度报告 7/198 公司的中文简称 宏微科技 公司的外文名称 Macmic Science&Technology Co.,Ltd.公司的外文名称缩写 MACMIC 公司的法定代表人 赵善麒 公司注册地址 常州市新北区华山路18号 公司注册地址的历史变更情况 无 公司办公地址 常州市新北区华山路18号 公司办公地址的邮政编码 213022 公司网址 电子信箱 二、二、联系人和联系方式联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表 姓名 赵善麒（代行）戴超原 联系地址 江苏省常州市新北区华山中路 18 号 江苏省常州市新北区华山中路18 号 电话 0519-85166088 0519-85166088 传真 0519-85162297 0519-85162297 电子信箱 三、三、信息披露及备置地点信息披露及备置地点 公司披露年度报告的媒体名称及网址 上海证券报（）、中国证券报()、证券时报()、证券日报()公司披露年度报告的证券交易所网址 公司年度报告备置地点 公司董事会办公室 四、四、公司股票公司股票/存托凭证简况存托凭证简况(一一)公司股票简况公司股票简况 适用 不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 人民币普通股（A股）上海证券交易所科创板 宏微科技 688711 不适用 (二二)公司公司存托凭证存托凭证简简况况 适用 不适用 五、五、其他其他相相关资料关资料 公司聘请的会计师事务所（境内）名称 天衡会计师事务所（特殊普通合伙）办公地址 江苏省南京市建邺区江东中路106号1907室 签字会计师姓名 顾春华、吴杰 报告期内履行持续督导职责的保荐机构 名称 民生证券股份有限公司 办公地址 中国（上海）自由贸易试验区世纪大道 1168号 B 座 2101、2104A 室 签字的保荐代表梅明君、范信龙 2021 年年度报告 8/198 人姓名 持续督导的期间 2021 年 9 月 1 日至 2024 年 12 月 31 日 六、六、近三年主要会计数据和财务指标近三年主要会计数据和财务指标(一一)主要会计数据主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 2021年 2020年 本期比上年同期增减(%)2019年 营业收入 550,636,072.24 331,629,293.88 66.04 259,720,895.59 归属于上市公司股东的净利润 68,829,391.15 26,637,905.48 158.39 11,210,491.30 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 42,975,123.52 22,953,100.37 87.23 7,610,989.40 经营活动产生的现金流量净额-74,074,929.28 4,370,517.75-1,794.88 6,268,716.82 2021年末 2020年末 本期末比上年同期末增减（%）2019年末 归属于上市公司股东的净资产 876,502,937.20 230,863,403.52 279.66 154,228,698.04 总资产 1,280,714,866.30 424,798,946.05 201.49 339,521,660.22 (二二)主要财务指标主要财务指标 主要财务指标 2021年 2020年 本期比上年同期增减(%)2019年 基本每股收益（元股）0.84 0.38 121.05 0.17 稀释每股收益（元股）扣除非经常性损益后的基本每股收益（元股）0.52 0.33 57.58 0.12 加权平均净资产收益率（%）14.83 13.83 增加1.00个百分点 6.71 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%）9.26 11.92 减少2.66个百分点 4.56 研发投入占营业收入的比例（%）6.88 6.94 减少0.06个百分点 9.46 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 适用 不适用 报告期内，公司实现营业收入 550,636,072.24 元，同比增加 66.04%；实现归属于母公司所有者的净利润 68,829,391.15 元，同比增加 158.39%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 42,975,123.52 元，同比增加 87.23%，主要系报告期内公司接受的订单饱满，整体产能提升，营业总收入和利润同比均有所增长。报告期末，公司财务状况良好，总资产 1,280,714,866.30 元，较报告期初增加 201.49%;归属于母公司的所有者权益 876,502,937.20 元，较报告期初增加 279.66%。主要系因公司首次公开募集资金及实现经营利润增长。2021 年年度报告 9/198 经营活动产生的现金流量净额-74,074,929.28 元，同比减少 1794.88%，主要系公司下游需求旺盛，为了生产和经营的需要，公司购买原材料支付的现金增加以及公司日常经营活动开支增加所导致。基本每股收益同比增长 121.05%，扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增长 57.58%，主要归属于公司所有者的净利润增长。七、七、境内外会计准则下会计境内外会计准则下会计数据差异数据差异(一一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况的净资产差异情况 适用 不适用 (二二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归归属于上市公司股东的属于上市公司股东的净资产差异情况净资产差异情况 适用 不适用 (三三)境内外会计准则差异的说明：境内外会计准则差异的说明：适用 不适用 八、八、2021 年分季度主要财务数据年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币 第一季度（1-3 月份）第二季度（4-6 月份）第三季度（7-9 月份）第四季度（10-12 月份）营业收入 104,337,184.40 130,051,457.72 135,553,769.46 180,693,660.66 归属于上市公司股东的净利润 16,539,963.02 15,247,626.97 14,780,633.07 22,261,168.09 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润 10,357,991.68 12,294,765.44 11,593,325.55 8,729,040.85 经营活动产生的现金流量净额-19,788,638.51 7,049,181.69 21,193,404.69-82,528,877.15 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 适用 不适用 九、九、非经常性损益项目和金额非经常性损益项目和金额 适用 不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 2021 年金额 附注（如适用）2020 年金额 2019 年金额 非流动资产处置损益 528,333.11 -53,479.74-1,989,233.75 越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外 28,221,715.62 4,403,730.70 6,067,100.60 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费 2021 年年度报告 10/198 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益 非货币性资产交换损益 委托他人投资或管理资产的损益 因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备 债务重组损益 404,139.53 企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等 交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益 1,211,709.69 单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回 561,195.27 对外委托贷款取得的损益 采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益 根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响 受托经营取得的托管费收入 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 38,059.42 25,467.44-26,667.07 其他符合非经常性损益定义的损益项目 减：所得税影响额 4,566,341.41 692,918.80 707,316.13 少数股东权益影响额（税后）140,404.07 -2,005.51 148,521.28 合计 25,854,267.63 3,684,805.11 3,599,501.90 将公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号非经常性损益中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明 适用 不适用 十、十、采用公允价值计量的项目采用公允价值计量的项目 适用 不适用 2021 年年度报告 11/198 单位：元 币种：人民币 项目名称 期初余额 期末余额 当期变动 对当期利润的影响金额 交易性金融资产-174,011,978.08 174,011,978.08 1,211,709.69 应收款项融资 20,329,780.00 38,433,768.52 18,103,988.52-合计 20,329,780.00 212,445,746.60 192,115,966.60 1,211,709.69 十一、十一、非企业会计准则业绩指标说明非企业会计准则业绩指标说明 适用 不适用 第三节第三节 管理层讨论与分析管理层讨论与分析 一、一、经营情况经营情况讨论与分析讨论与分析 2021 年，受国产替代、碳中和等多种因素的影响，国内半导体行业进入了快速发展期。公司紧紧围绕 2021 年提出“提升自我能力、增强企业实力、提高产品竞争力”工作方针，继续在三化一稳定管理建设、新技术新产品开发、与战略级大客户合作等方面加大投入，产品应用结构调整步伐进一步加快。（1）经营情况 在部分原材料供应紧张、价格上涨的情况下，公司通过技术创新、工艺改进和精细化管理，提高了生产效率和产品的良品率。通过加强上下游协同，深化产业链战略合作，核心竞争力持续提升。报告期内，公司实现营业收入 55,063.61 万元，归属于上市公司股东净利润 6,882.94 万元，同比分别增长 66.04%和 158.39%。（2）募投项目情况 2021 年，公司抓住市场需求旺盛和国产化替代的机遇，积极推进募投项目建设。一方面，加快引进先进的生产工艺设备，扩大产能，另一方面，加快净化厂房建设，缓解了产能缺口。截至报告期末，“新型电力半导体器件产业基地项目”及“研发中心建设项目”共计已投入12,655.24 万元。其中，报告期内，6000 平净化厂房项目已经投入使用，部分设备进场调试。（3）研发工作情况 2021 年，公司为加快产品开发速度、提高产品开发成功率、加强产品开发阶段质量管控，在产品研发阶段导入了项目管理。并在公司内部多场合、多频次宣贯“目标管理、进度管理、预算管理”的意识，强调“通过团队协作，加速新品和新技术开发、产品迭代”的理念，通过“产品需求管理、产品概念策划、项目目标和计划评审、项目立项评审、项目阶段评审、项目验收考核”等一系列措施的环环相扣，使得 2021 年度研发项目按时完成率和目标达成率较往年有较大的提升。聚焦公司主营业务方向、服务于中长期业务发展需求，公司在重点应用领域（如电动汽车、光伏）、重点客户、新市场积极布局新产品开发，通过市场调研、应用分析、联合下游客户合作，持续筛选出经济效益较好、市场竞争力较强、技术含量高，创新性高，填补市场空白的产品开发需求。为加强和提升产品开发阶段的设计开发质量、过程开发质量管理，公司以汽车产品质量管理IATF16949 体系中五大工具（APQP、FMEA、PPAP、MSA、SPC）为切入点，梳理了 APQP 五个阶段的输入与输出文件，使得项目开发过程中紧密围绕产品质量管理的主线，重点强化了 DFMEA、PFMEA、CP、SOP 的信息对齐与贯通，提高了产品开发阶段全过程质量意识及重要性。基于项目管理的产品开发模式，公司通过明确项目目标、进度管理、预算管理，明确了项目开发各个阶段的工作内容及输出物，设立了项目里程碑，在各个关键阶段组织评审，评审阶段目标&工作完成情况、问题点关闭情况是否达到预期要求，能否满足进入下个阶段工作的条件。实施项目管理以来，设计开发阶段的变更得到了有效的控制、产品质量先期策划（APQP）的深入度得到了加强、开发阶段的风险项和问题点识别愈发细致。项目团队人员专业化程度、职业化素养、人员的积极性得到较大的提升，“目标结果为导向、成本和经营意识、项目时间的紧迫性”逐步地深入到各个部门中，团队协作的意识得到加强。报告期内，公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作，根据项目要求配置先进设备，按项目特点和需求合理配置研发团队，加强对外合作，充分利用公司研发资源，2021 年年度报告 12/198 提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地位，取得了一定成效。报告期内，公司主要取得的研发成果如下：1.成功推出第五代微沟槽结构的 M5i650V 和 1200V 快速系列 IGBT 单管产品，性能可对标业界最先进水平，相比上一代整体性能提升约 15%，丰富了公司在光伏领域的产品组合，目前该系列产品已完成客户端的验证导入，并实现批量交付。2.第七代微沟槽 M7i IGBT 已完成芯片技术平台的开发和验证，同等规格的芯片性能可媲美业界最先进水平，对应的成品也已获得客户验证并正在进行系列化的拓展和生产。3.第六代 M6d FRD 芯片已完成技术平台的验证，相比上一代性能提升的同时,其鲁棒性更高，可靠性更好。目前正在系列化的导入、拓展和批量交付。4.第七代 M7d FRD 芯片配合 M7i IGBT 芯片的开发已完成配套的研发制样，整体性能逼近于业界先进水平。5.完成 2 款定制化商用电动车电控用 IGBT 模块的开发，顺利交付给客户端，获得客户 PSW回签，产品逐步上量交付。6.完成乘用电动车电控用 SiC 模块及封装技术的预研和样品制作，定制化车乘用电动车电控用 SiC 模块开发进度加快，完成样品的交付。7.完成 3 款定制化用于新能源领域的 SiC MOS 模块产品的开发，通过客户验证，产品逐步上量交付。8.与公司 A 在光伏领域 IGBT 产品方面开展深入合作，完成多款产品的开发，产品实现批量交付。9.完成 H2PAK 新型封装分立器件产品的开发，产品实现批量交付。10.完成 2 款定制化消费类 IGBT 模块开发，产品逐步上量交付。二、二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况研发情况说明说明 (一一)主要业务、主要产品或主要业务、主要产品或服务服务情况情况（1）公司主营业务概况 公司自设立以来一直从事 IGBT、FRED 为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案，IGBT、FRED 单管和模块的核心是 IGBT 和FRED 芯片，公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片，模块产品以自研芯片为主外购芯片为辅。IGBT、FRED 作为功率半导体器件的主要代表，是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。在当前复杂而严峻的国际形势下，积极推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义，而研发和生产自主可控的 IGBT、FRED 芯片及模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。（2）公司主要产品及服务 目前，公司产品已涵盖 IGBT、FRED、MOSFET 芯片及单管产品 100 余种，IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品 400 余种，公司产品应用于工业控制（变频器、电焊机、UPS 电源等），新能源发电（光伏逆变器和风能变流器）、电动汽车（电控系统、空调系统和充电桩）等多元化应用领域，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。(二二)主要经营模式主要经营模式 自设立以来，公司持续专注于功率半导体领域相关产品的研发及制造，在发展中建立了适合企业自身的经营模式。（1）研发模式 公司建立了以客户需求为导向的研发体系，制定了项目立项管理办法、产品质量先期策划控制程序、设计和开发控制程序等研发流程控制文件，研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段，各个研发项目均由产品质量先期策划（APQP）小组承接项目，每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。（2）采购模式 公司的原材料主要包括芯片、DBC 基板、铜底板、焊料、铝铜线、外壳及电源模组元器件等，其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工，以及向英飞凌等国外生产2021 年年度报告 13/198 厂商直接采购两种方式；其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的采购模式，对于生产中常用的直接物料，由计划部门根据销售订单或销售预测通过 ERP系统提交采购请求，由采购部根据供应商的交货周期进行下单；对于偶然所需的临时物料，由需求部门填写请购单提出请购需求，通过公司 OA 系统逐层提交至公司管理层审批，通过后由采购部负责统一采购。（3）生产模式 公司具备完善的生产运营体系，主要采取“以销定产”的生产模式，由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划，公司产品的生产具体可分为两种模式：自产模式和委托加工模式。1、自产模式 公司模块和电源模组产品均采用自产模式，通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试，最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品，公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格，设计生产出通用的不同系列的产品，并向客户销售；定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作，设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前，公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试，公司按照研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等为基础向客户收取技术服务费；量产后，公司按照客户的设计方案、技术指标要求，组织生产并批量提供产品。2、委托加工模式 公司采取 Fabless 模式，对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计，将设计好的芯片委托给芯片代工企业制造，目前公司已经与华虹宏力、华润华晶等芯片代工企业建立了长期稳定合作关系，其中华虹宏力负责 IGBT 芯片代工业务，华润华晶负责 FRD芯片代工业务。公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求，实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多，公司将单管产品的封装与测试环节委托给华羿微电子股份有限公司、天水华天电子集团股份有限公司、南通华达微电子集团股份有限公司、威海日月光、无锡市玉祁红光电子有限公司、无锡德力芯半导体科技有限公司等进行代工。（4）营销模式 公司销售采取了直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下，公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动；在经销模式下，公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作，利用经销商的渠道和经验拓展客户资源，扩大市场占有率。(三三)所处行业情况所处行业情况 1.1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 （1）发展阶段 功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分，更是发电、输电、变配电、用电、储电等领域的基础核心部件。功率半导体的下游应用领域十分广泛，且需求持续稳定增长。除了消费电子、通信、计算机、工业控制、汽车电子等传统领域，近年来，功率半导体器件在电动汽车/充电桩、新能源发电、智能电网、轨道交通、变频家电等诸多新兴应用领域中得到广泛的应用，随着“碳中和”战略的推进，功率半导体器件将迎来一个高速发展时期。（2）基本特点 半导体行业属于技术、资本和人才密集型行业，无论是技术研发还是产线建设都需要大量的资金投入。公司目前正面临电动汽车、新能源发电等下游新兴产业带来的市场机遇。公司在未来发展和争取市场机遇过程中需投入大量的资金来进行产品及工艺的研发、产能的提升和研发人才的引进。（3）主要技术门槛 自上世纪 80 年代 IGBT 产品开启工业化应用以来，一直为国外知名公司所垄断，国外知名公司的产品系列化很全，应用面很广，其中英飞凌已实现各种电压范围 IGBT 覆盖，三菱、富士电机、2021 年年度报告 14/198 安森美也涵盖了多个电压区间。近年来，IGBT 技术经历了丰富的演变，涌现出不同的 IGBT 技术方案，这些方案主要由英飞凌、三菱电机和富士电机等海外厂商主导推动。海外厂商 IGBT 的结构设计仍在不断突破和创新，先后推出了沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构、侧栅结构、鳍状基区结构等新技术，推动了 IGBT 应用和市场发展。同时 IGBT 的制造工艺也在持续创新，深沟槽、精准掺杂、深度扩散、超薄片以及质子注入等多种工艺的引入形成了较高的技术壁垒，制造技术也成为实现 IGBT 自主创新的关键。近几年来，国内 IGBT 无论是在芯片设计方面还是在芯片制造和封装方面虽有突破但与国外相比仍有不少差距。2.2.公司所处的行业地位分析及其变化公司所处的行业地位分析及其变化情况情况 公司致力于功率半导体芯片、单管、模块及电源模组研发与生产。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019 中国电动汽车用 IGBT最具发展潜力企业称号”和“中国电气节能 30 年杰出贡献企业”等荣誉称号。2011 年，公司的“75-100A/1200-1700V”高压大电流平面型“NPTIGBT”系列产品，经江苏省经信委、常州市科技局等组织专家鉴定达到国际同类产品的先进水平，其中 1200V 产品部分主要性能指标超过国际同类产品的先进水平；“2-200A/200-1200V”超快速软恢复外延二极管（FRED）芯片性能指标达到国际同类产品的先进水平。公司“超快软恢复外延型二极管（FRED）系列产品”、“一种新型的NPTIGBT 结构”分别于 2012 年和 2015 年荣获中国半导体行业协会等授予的“中国半导体创新产品和技术奖”。2015 年，公司“高压大电流高性能 IGBT 芯片及模块的产业化”项目获得江苏省人民政府“江苏省科学技术奖三等奖”，“一种新型的 NPTIGBT 芯片和模块的开发及产业化”项目获得中国电源学会科学技术奖一等奖。公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线，能够满足不同终端客户对产品的技术参数和性能多样性的需求，具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系，同时依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。在工业控制领域，公司目前已经成为台达集团、汇川技术、英威腾、合康新能等多家变频器行业知名企业，松下、佳士科技、奥太集团、上海沪工等多家电焊机行业知名企业。在新能源发电领域，公司主要客户有 A 公司、阳光电源、固德威、格瑞瓦特、禾望、盛弘股份、科士达、科华等多家知名企业，市场份额不断扩大。在电动汽车领域，公司产品主要用于电控系统和空调系统，主要客户有比亚迪、长城汽车、汇川、臻驱科技等多家知名企业。充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等知名企业。3.3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 公司所处细分行业为功率半导体行业，基于硅衬底的功率半导体器件目前仍然是主流，并将在未来相当一段时间内占据主要市场。公司 IGBT 产品在微细槽栅结构设计和工艺上得到了突破；FRD 产品在反向恢复速度和恢复软度的协调及可靠性方面得到了突破。所研发的 IGBT 和 FRD 产品成功批量应用于光伏逆变器和电动汽车电控系统中。随着第三代功率半导体器件，如 SiC 和 GaN 器件日益成熟并走向市场。功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大，芯片功率密度更高，损耗更低，集成度更高以及封装体积更紧凑，高可靠性更高的方向发展。在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下，国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中，除了 IGBT 器件得到了广泛的应用和拓展，SiC 器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点，也越来越多地得到了认可和应用。公司在 SiC 芯片和封装方面也进行了布局，SiC 模块已经批量应用于新能源行业。为了匹配这些应用场景的需求，功率器件的封装技术需要不断的改善和创新，以应对高结温、高开关频率、高可靠性的要求。因此，传统的钎焊加引线键合技术的工艺框架难以满足某些特殊使用要求。银烧结技术作为钎焊技术的替代方案，可以更好的发挥 SiC 器件的性能，提高其功率循环寿命，更适应于高温的工作环境。公司在此方面已掌握了相关技术，并在相关的模块封装产品中得以批量生产应用。2021 年年度报告 15/198 (四四)核心核心技术与研发技术与研发进展进展 1.1.核心技术核心技术及其及其先进性先进性以及报告期内以及报告期内的变化情况的变化情况 公司建立了健全的研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过 程管理，不断强化芯片设计、模块封装测试等工艺技术积累，在核心技术方面不 断突破，打造了自身在功率半导体芯片设计领域和模块封装领域的核心能力，并 形成了公司的主要核心技术，具体情况如下：核心技术核心技术 技术描述及特点技术描述及特点 使用该项核心技术使用该项核心技术的主要产品的主要产品 沟槽结构+场阻断技术 该技术覆盖诸多电压和电流规格，通过优化沟槽深度角度以及整体形貌，结合牺牲氧和栅氧工艺，保证良好的多晶填充的同时，实现可靠的沟槽结构，同时借助不同沟槽栅结构的设计，满足不同特性要求；另外 在场阻断技术上，通过优化芯片厚度，场阻断层深度和浓度以及激光退火的能量等工艺参数，在保证良好的开关速度和软度的同时实现器件的低通态压降。芯片、单管及模块 虚拟原胞技术 通过改变沟槽内多晶的电位连接方式或者调整发射极的注入区域，实现虚拟原胞可有效调整沟道电流密度及沟道电流分布，来改善了器件的输出特性、提高短路能力以及抗闩锁能力。芯片、单管及模块 逆导 IGBT 技术 该技术通过将传统的IGBT元胞与FRD元胞集成于同一芯片，在反向时由 FRD 实现 IGBT 的续流，提供了一个紧凑的电流泄放电路；该技术能够大幅降低热阻，降低器件内部的最高结温波动，从而提高器件的电流密度及工作寿命。芯片、单管及模块 微沟槽 IGBT 技术 微沟槽 IGBT 相对普通型沟槽 IGBT 将芯片关键尺寸大幅缩小，结构设计上创新性的引入虚拟沟槽和虚拟栅极，增强注入效率降低压降的同时有效调节 IGBT 的各类电容比例，实现 IGBT 的良好可控性和更宽的安全工作区，同时使得芯片的单位面积电流密度大幅提高。芯片、单管及模块 续流用软恢复二极管芯片技 术 该技术采用独特的正面和背面掺杂浓度分布来精准控制注入效率，加上特殊的基区少子寿命控制技术，使二极管芯片可以实现较低的正向压降，较软的反向恢复特性，完美契合 IGBT 续流的应用。芯片、单管及模块