公告编号：2019-0231天科合达NEEQ:870013北京天科合达半导体股份有限公司（TanKeBlueSemiconductorCo.,Ltd）年度报告2018公告编号：2019-0232公司年度大事记公司2018年11月30日取得授权发明专利1项。发明名称：一种在含氧气氛下生长高质量碳化硅晶体的方法。专利号：ZL201410758917.8公司2018年11月20日取得了计算机软件著作权1项。软件名称：碳化硅晶体控制生长系统。登记证号：2018SR928830公告编号：2019-0233目录第一节声明与提示........................................................5第二节公司概况..........................................................7第三节会计数据和财务指标摘要.............................................9第四节管理层讨论与分析.................................................11第五节股本变动及股东情况...............................................21第六节融资及利润分配情况...............................................22第七节董事、监事、高级管理人员及员工情况................................24第八节行业信息.........................................................26第九节公司治理及内部控.................................................30第十节财务报告.........................................................36公告编号：2019-0234释义释义项目释义天科合达、股份公司、公司指北京天科合达半导体股份有限公司三会指股份公司董事会、股东会、监事会《公司法》指《中华人民共和国公司法》《公司章程》指《北京天科合达半导体股份有限公司章程》新疆天科合达指新疆天科合达蓝光半导体有限公司苏州天科合达指苏州天科合达蓝光半导体有限公司江苏天科合达指江苏天科合达半导体有限公司天科合达新材料指北京天科合达新材料有限公司沈阳分公司指北京天科合达半导体股份有限公司沈阳分公司天富集团指新疆天富集团有限责任公司上海汇合达指上海汇合达投资管理有限公司报告期、本报告期、本报告年度指2018年1月1日至2018年12月31日高级管理人员指公司总经理、副总经理、财务负责人管理层指公司董事、监事、高级管理人员元、万元指人民币元、人民币万元SiC指碳化硅,由Si和C原子组成的二元化合物,是第三代半导体的主要材料SiC晶体指碳化硅晶体,采用物理气相传输法生长方法得到的碳化硅单晶柱晶片指也称衬底,沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光得到的片状单晶材料...
