新型铁电薄膜在MFIS器件中的应用.pdf

2 0 2 3年河北大学学报(自然科学版)2 0 2 3第4 3卷 第4期J o u r n a l o f H e b e i U n i v e r s i t y(N a t u r a l S c i e n c e E d i t i o n)V o l.4 3 N o.4D O I:1 0.3 9 6 9/j.i s s n.1 0 0 0 1 5 6 5.2 0 2 3.0 4.0 0 4新型铁电薄膜在MF I S器件中的应用王树雨,芦春光,袁秋婷,仇加俊,付跃举,蔡淑珍,傅广生(河北大学 物理科学与技术学院,河北 保定 0 7 1 0 0 2)摘 要:利用新型铁电材料N a0.5Y0.5T i O3(N Y T O)薄膜高介电的特点,将其作为M F I S(m e t a l-f e r r o e l e c t r i c-i n s u l a t o r-s e m i c o n d u c t o r,M F I S)电容器的绝缘层,制备出P t/P b(Z r0.2T i0.8)O3/N Y T O/S i结构电容器,并对其进行X R D、S E M、C-V特性测试及I-V特性测试分析.分别对C-V存储窗口(记忆窗口,m e m o r y w i n d o w)与应用电压以及绝缘层膜厚的关系进行了研究,结果表明记忆窗口数值比较理想.绝缘层厚度为4 0 n m、电容器的应用电压为3 2 V时,记忆窗口可达1 3 V.对制备的M F I S电容器I-V特性进行了研究,结果表明器件具备较低的漏电流密度,为1.0 8 1 0-6 A/c m2,且其电流传导机制符合空间电荷限制电流导电机制.关键词:新型铁电薄膜;MF I S电容器;记忆窗口;C-V特性中图分类号:O 4 6 9 文献标志码:A 文章编号:1 0 0 0 1 5 6 5(2 0 2 3)0 4 0 3 6 4 0 5A p p l i c a t i o n o f n o v e l f e r r o e l e c t r i c t h i n f i l m s i n M F I S d e v i c e sWA N G S h u y u,L U C h u n g u a n g,Y U A N Q i u t i n g,Q I U J i a j u n,F U Y u e j u,C A I S h u z h e n,F U G u a n g s h e n g(C o l l e g e o f P h y s i c s S c i e n c e a n d T e c h n o l o g y,H e b e i U n i v e r s i t y,B a o d i n g 0 7 1 0 0 2,C h i n a)A b s t r a c t:F e r r o e l e c t r i c N a0.5Y0.5T i O3(NY TO)f i l m i s u s e d a s t h e i n s u l a t i n g l a y e r o f MF I S(M e t a l-F e r r o e l e c t r i c-I n s u l a t e-S e m i c o n d u c t o r)c a p a c i t o r s b y i t s h i g h d i e l e c t r i c p r o p e r t i e s.T h e P t/P b(Z r0.2T i0.8)O3/NY TO/S i s t r u c t u r e c a p a c i t o r s w e r e p r e p a r e d,a n d t h e i r X R D,S EM,C-V,a n d I-V c h a r a c t e r r i s t i c s w e r e t e s t e d a n d a n a l y z e d.T h e d e p e n d e n c e o f C-V s t o r a g e w i n d o w o n a p p l i c a t i o n v o l t a g e a n d i n s u l a t i o n l a y e r t h i c k n e s s w e r e s t u d i e d s e p a r a t e l y.T h e r e s u l t s s h o w t h a t t h e d e v i c e h a s a l a r g e m e m o r y w i n d o w w h e n t h e t h i c k n e s s o f t h e i n s u l a t i o n l a y e r i s 4 0 n m.T h e m e m o r y w i n d o w c a n r e a c h 1 3 V w i t h 3 2 V a p p l i e d v o l t a g e.T h e MF I S c a p a c i t o r h a s l o w l e a k a g e c u r r e n t d e n s i t y o f 1.0 81 0-6 A/c m2.T h e c o n d u c t i o n m e c h a n i s m o f l e a k a g e c u r r e n t c o n f o r m s t o s p a c e c h a r g e l i m i t e d c u r r e n t c o n d u c t i o n m e c h a n i s m.K e y w o r d s:n o v e l f e r r o e l e c t r i c f i l m;MF I S c a p a c i t o r s;m e m o r y w i n d o w;C-V c h a r a c t e r i s t i c s非挥发性铁电存储器具有高存储密度、较低功耗、随机读写和优良的工艺兼容性等诸多优点,特别是在断电后还能保留之前的数据,使其在存储系统中扮演着越来越重要的角色1.金属-铁电-半导体场效应晶体管(m e t a l/f e r r o e l e c t r i c/s e m i c o n d u c t o r)器件在半导体器件中被公认为第3代最理想的存储器件2.在该结构中,采用铁电薄膜取代传统MO S场效应晶体管中的栅极氧化层3,构成了新型的MF S结构.该结构利用铁电薄膜的不同极化方向来定义“0”和“1”2个逻辑状态,实现二进制数据的存储.在MF S结构中,由于铁电层和半导体层直接接触,导致其界面特性较差,如界面的陷阱密度较高、漏电流较大以及铁电薄膜与半导体基底之间易产生相互扩散等问题,这些问题会对器件的性能产生影响,从而限制了MF S结构的应用与发 收稿日期:2 0 2 2 0 5 2 7 基金项目:国家自然科学基金-应急管理项目(1 1 5 4 7 1 8 5);河北省自然科学基金资助项目(E 2 0 1 5 2 0 1 2 3 3)第一作者:王树雨(1 9 9 5),男,河南新乡人,河北大学在读硕士研究生,主要从事新型铁电薄膜的制备与研究.E-m a i l:1 9 7 0 1 1 9 3 4 8q q.c o m 通信作者:付跃举(1 9 8 0),男,河北沧州人,河北大学讲师,主要从事功能材料及薄膜研究.E-m a i l:y j f u h b u.e d u.c n第4期王树雨等:新型铁电薄膜在MF I S器件中的应用展.为了解决上述存在的问题,在MF S结构的铁电层与半导体层之间再增加一个绝缘层,从而改善界面出现的一系列问题,也就是金属-铁电-绝缘层-半导体(m e t a l-f e r r o e l e c t r i c-i n s u l a t o r-s e m i c o n d u c t o r,MF I S)结构4.在关于MF I S结构的研究中,MF I S结构的绝缘层选用最多的是单一的金属氧化物5-6,但根据目前研究,高介电材料比较适合充当MF I S结构的绝缘层7-8,因为高介电材料不仅可以在具备一定的厚度的情况下给铁电层施加适当的电压,还可以避免因电子隧穿对漏电流产生的影响7.1 新型铁电材料的应用在MF I S器件绝缘层的选取上,选择了具有高介电特点的新型铁电薄膜的N a0.5Y0.5T i O3(NY TO)薄膜,作为A位掺杂的钙钛矿型氧化物.将NY TO薄膜作为MF I S器件的绝缘层,是否会让MF I S器件拥有更好的性能成为一个值得探究的课题.本文选用具有较大剩余极化强度、较低工作电压的P b(Z r,T i)O3(P Z T)铁电薄膜材料9作为MF I S结构的铁电层材料,P Z T薄膜采用溶胶-凝胶法制备.本文在实验过程中:制备P t/P Z T/P t电容器利用铁电测试仪去测试其铁电性能;制备P t/NY TO/P t电容器以测量其介电特性;制备P t/P Z T/NY TO/S i电容器,通过X R D、S EM和L C R表等一系列表征和测试手段,重点研究以NY TO薄膜为绝缘层制备出的MF I S电容器是否具有较好的性能.2 实验步骤MF I S电容器的绝缘层NY TO薄膜是通过磁控溅射法制备的,NY TO的靶材是根据高温固相反应法,将药品N a2C O3、Y2O3和T i O2以化学计量比为114进行烧制而成的.MF I S电容的铁电层P b(Z r,T i)O3(P Z T)薄膜是采用溶胶-凝胶法制备的,整个工艺流程分为以下几个部分.2.1 基片准备选取P型S i(0 0 1)作为半导体衬底,将S i片切成5 mm5 mm的基片,分别用丙酮和无水乙醇在超声波清洗器中清洗1 0 m i n,清洗完成后放入体积分数1 0%H F酸缓冲液中浸泡1 0 m i n左右以去除附着在S i片表面的S i O2氧化层,然后使用去离子水将S i片清洗干净.2.2 绝缘层N Y T O的制备将清洗后的S i片粘在基片托上放入磁控溅射系统的腔体内,关闭腔体抽真空,真空度达4 1 0-4 P a时,充入氩气和氧气,流量比分别为7 5 2 5,控制腔体内压强为2.5 P a,溅射温度为6 3 0,溅射功率在9 0 W,预溅射后控制正式溅射时间为4 0 m i n,溅射结束在腔体内充入8.5 1 04 P a的氧气,使薄膜在氧气环境中降温.2.3 铁电层P Z T的制备制备P Z T薄膜时用到的P Z T前驱体溶液是P b(Z r0.2T i0.8)O3溶液,该溶液中P b元素过量1 5%.制备过程中使用匀胶机在提前准备好的基片上将P b(Z r0.2T i0.8)O3前驱体溶液涂抹均匀,操作过程如下:先将匀胶机的转速控制在5 0 0 r/m i n保持6 s,然后再将转速提高至4 0 0 0 r/m i n保持4 0 s.甩胶结束以后将基片置入温控炉中在3 5 0 烘烤5 m i n,此时的P Z T薄膜是无定形态,薄膜的厚度为4 0 n m左右,可根据需要对薄膜的厚度进行调整,在此需要将上述过程重复3次,就可得到所需的P Z T薄膜.在此之后,将得到的薄膜再放入退火炉中在氧气氛围下退火,退火温度为5 5 0,时间为6 0 m i n,最终就制备出性能良好的P Z T铁电薄膜.2.4 顶电极的制备先将掩膜板用丙酮和无水乙醇清洗1 0 m i n,之后将样品固定在掩膜板上,然后将P t靶和掩膜板放入磁控溅射腔体中,抽真空使真空度达到11 0-4 P a,充入氩气和氮气,V(A r)V(N2)=1 51,使腔体内压强稳定在0.2 P a,溅射功率为1 0 0 W,溅射时间2 m i n,可在薄膜表面生长了7 0 n m厚的金属P t作为顶电极.为了测量P Z T的铁电性质,在P t基片上制备P t/P Z T/P t电容器.为了测量绝缘层材料NY TO薄膜的介电特性,制备P t/NY TO/P t电容器测量其介电特性.3 结果分析与讨论3.1 P t/P Z T/P t电容器的铁电性能分析如图1 a所示,在1 k H z测试频率下,使用1 5 V测试电压测量得到的P Z T铁电薄膜的电滞回线,从图1 a563中可以看出:1 5 V测试电压下所制备 的P Z T铁电薄膜剩 余极化强度(Pr)和矫顽 电压(Uc)分别是:4 2.5 3 C/c m2和3.2 4 V.这表明上述所制备的P Z T薄膜具有优异的铁电性.3.2 P t/N Y T O/S i电容器的介电性能分析使用A g i l e n t E 4 9 8 0 L C R表对制备的P t/NY TO/S i电容器进行介电性能测试,测试结果如图1 b所示.通过计算得出所制备的NY TO薄膜的介电常数为3 0,表明NY TO薄膜具有良好的介电特性.图1 P t/P Z T/P t电容器的电滞回线(a)及P t/N Y T O/S i电容器的C-V曲线(b)F i g.1 H y s t e r e s i s l o o p o f P t/P Z T/P t c a p a c i t o r(a)a n d C-V c u r v e s o f P t/N Y T O/S i c a p a c i t o r s(b)3.3 X R D图和S EM图分析使用X线衍射仪,对制备的MF I S电容器样品进行X R D测试分析.控制X线衍射仪的扫描角度为1 0 5 5 .测试结果如图2 a所示.从图2 a可以看出,在扫描范围内,除了P t(1 1 1)的峰和绝缘层NY TO的衍射峰以外,X R D图谱中有5个P Z T衍射峰:(0 0 1)、(1 1 0)、(1 1 1)、(2 1 0)和(2 1 1),说明制备的P Z T薄膜结晶良好,且结构为钙钛矿结构.图2 P t/P Z T/N Y T O/S i电容器的X R D衍射图(a)及P t/P Z T/N Y T O/S i电容器的S EM截面(b)F i g.2 X R D p a t t e r n s o f P t/P Z T/N Y T O/S i c a p a c i t o r s(a)a n d S EM s e c t i o n o f P t/P Z T/N Y T O/S i c a p a c i t o r(b)使用扫描电子显微镜S EM对制备的MF I S器件的截面进行扫描,扫描结果如图2 b所示.从图2 b中可以看出,P Z T薄膜比较均匀,成膜质量较好,且与NY TO薄膜界限分明,2种薄膜材料之间并没有扩散或者反应活动的发生.3.4 C-V特性分析电容-电压(C-V)性能测试是评估电容器性能的重要手段.由于铁电层材料存在电滞特性,MF I S电容器的C-V曲线的形状是呈顺时针方向的回字形状1 0,其C-V特性曲线中存在3个区域:积累区、耗尽区以及反型区.在C-V测试过程中,当电压从不同方向上扫描时,由于铁电层的存在,会使测试的平带电压发生平移,这就使C-V曲线也发生平移1 1.平带电压的平移量称为记忆窗口(m e m o r y w i n d o w)1 2.而记忆窗口是663河北大学学报(自然科学版)第4 3卷第4期王树雨等:新型铁电薄膜在MF I S器件中的应用M F I S电容器至关重要的性能指标,记忆窗口的宽窄程度则直接关系到M F I S电容器性能的好坏1 3.图3 a是绝缘层厚度为4 0 n m时P t/P Z T/N Y T O/S i电容器在不同应用电压下的C-V特性曲线,从图中可以发现,M F I S电容器的C-V曲线的记忆窗口随应用电压的增大而增大,其中当P t/P Z T/N Y T O/S i电容器的应用电压为3 2 V时,样品的记忆窗口为1 3 V.这可以说明很好地实现了S i基N Y T O薄膜与P Z T薄膜的集成.关于记忆窗口的解释可通过铁电层的有效电场1 4Ef的概念说明,公式如下:Ef=ifdi+idf UG,(1)其中,UG为应用电压,df为铁电层的膜厚,di为绝缘层的膜厚,f为铁电层的相对介电常数,i为绝缘层的相对介电常数.从式(1)中可以推断出,有效电场Ef的值会随着应用电压的增大而增大,铁电层越来越达到饱和的状态,导致C-V特性曲线的记忆窗口变大.而有效电场Ef的值会随di的增加而减小,使铁电层的有效电场越来越小,铁电层越来越远离饱和的状态,导致C-V特性曲线的记忆窗口变小,这一点通过图3 b可以得到证明,从图3 b可以看出,当绝缘层NY TO的厚度从1 0 n m逐渐增加为4 0 n m,电容器的C-V特性曲线均变窄,其记忆窗口的数值变小,从4.5 5 V减小至2.8 6 V.这表明选择合适的绝缘层厚度是制备MF I S器件的关键.图3 不同应用电压下P t/P Z T/N Y T O/S i电容器的C-V曲线(a)及绝缘层不同厚度下P t/P Z T/N Y T O/S i电容器的C-V特性曲线(b)F i g.3 C-V c u r v e s o f P t/P Z T/N Y T O/S i c a p a c i t o r s a t d i f f e r e n t a p p l i c a t i o n v o l t a g e s(a)a n dC-V c h a r a c t e r i s t i c c u r v e s o f P t/P Z T/N Y T O/S i c a p a c i t o r s w i t h d i f f e r e n t t h i c k n e s s o f i n s u l a t i o n l a y e r(b)3.5 I-V特性分析电压-电流(I-V)测试是评测电容器电学性能优劣的重要指标,通过对电容器进行I-V测试及拟合,可以推断出其漏电特性1 5和导电机制.可以根据得到的导电机制来判断电容器的电流类型,去改善器件的性能.接下来使用K e i t h l e y 2 6 1 2 多功能表对P t/P Z T/NY TO/S i电容器的漏电特性进行测试.图4为对应测量的J-V特征曲线及拟合曲线,从图4 a中可以看出,制备的电容器的漏电流较小,在测试电压为8 V时漏电流密度为1.0 81 0-6 A/c m2.图4 b为电容器漏电流的正半支的拟合图,通过对漏电流的拟合发现,推断其电流传导机制符合陷阱控制的空间电荷限制电流导电机制.图4 P t/P Z T/N Y T O/S i电容器的J-V曲线(a)及拟合曲线(b)F i g.4 J-V d i a g r a m o f P t/P Z T/N Y T O/S i c a p a c i t o r s(a)a n d f i t t e d c u r v e(b)7634 总结通过将具备高介电特性的新型铁电薄膜NY TO薄膜作为MF I S器件的绝缘层,制备出P t/P Z T/NY-TO/S i电容器,通过对其进行X R D测试和S EM扫描,得出制备的MF I S器件结构完整,且各层之间界限分明无扩散情况的发生;通过对其进行C-V测试,得出P t/P Z T/NY TO/S i电容器的绝缘层厚度为4 0 n m时,其记忆窗口的数值比较理想,当应用电压为3 2 V时记忆窗口为1 3 V,实现了S i基NY TO薄膜与P Z T薄膜的集成;通过对其进行I-V测试,得出制备的MF I S器件具有较低的漏电流密度,为1.0 81 0-6 A/c m2,且其电流传导机制符合陷阱控制的空间电荷限制电流导电机制.P t/P Z T/NY TO/S i电容器的成功制备,对非挥发非破坏性铁电存储器MF I S器件的研究具有非常重要的意义,使其有望成为一种重要的存储器件;此外NY TO薄膜的成功应用,也为新型无铅铁电材料的研究与应用提供了重要的参考意义.参 考 文 献:1 B E Z R.I n n o v a t i v e t e c h n o l o g i e s f o r h i g h d e n s i t y n o n-v o l a t i l e s e m i c o n d u c t o r m e m o r i e sJ.M i c r o e l e c t r o n E n g,2 0 0 5,8 0:2 4 9-2 5 5.D O I:1 0.1 0 1 6/j.m e e.2 0 0 5.0 4.0 7 6.2 WU S Y.M e m o r y r e t e n t i o n a n d s w i t c h i n g b e h a v i o r o f m e t a l-f e r r o e l e c t r i c-s e m i c o n d u c t o r t r a n s i s t o r sJ.F e r r o e l e c t r i c s,1 9 7 6,1 1(1):3 7 9-3 8 3.D O I:1 0.1 0 8 0/0 0 1 5 0 1 9 7 6 0 8 2 3 6 5 8 4.3 WU S Y.A n e w f e r r o e l e c t r i c m e m o r y d e v i c e,m e t a l-f e r r o e l e c t r i c-s e m i c o n d u c t o r t r a n s i s t o rJ.I E E E T r a n s E l e c t r o n D e-v i c e s,1 9 7 4,2 1(8):4 9 9-5 0 4.D O I:1 0.1 1 0 9/T-E D.1 9 7 4.1 7 9 5 5.4 I S H I WA R A H.C u r r e n t s t a t u s a n d p r o s p e c t s o f F E T-t y p e f e r r o e l e c t r i c m e m o r i e sC/1 9 9 9 5 7 t h A n n u a l D e v i c e R e-s e a r c h C o n f e r e n c e D i g e s t(C a t.N o.9 9 TH 8 3 9 3),J u n e 2 3-2 3,1 9 9 9,S a n t a B a r b a r a,C A,U S A.I E E E,2 0 0 2:6-9.D O I:1 0.1 1 0 9/D R C.1 9 9 9.8 0 6 3 0 6.5 L U E H T,WU C J,T S E N G T Y.D e v i c e m o d e l i n g o f f e r r o e l e c t r i c m e m o r y f i e l d-e f f e c t t r a n s i s t o r f o r t h e a p p l i c a t i o n o f f e r r o e l e c t r i c r a n d o m a c c e s s m e m o r yJ.I E E E T r a n s U l t r a s o n F e r r o e l e c t r F r e q C o n t r o l,2 0 0 3,5 0(1):5-1 4.D O I:1 0.1 1 0 9/TU F F C.2 0 0 3.1 1 7 6 5 2 1.6 T S ANG C H,WONG C K,S H I N F G.M o d e l i n g s a t u r a t e d a n d u n s a t u r a t e d f e r r o e l e c t r i c h y s t e r e s i s l o o p s:a n a n a l y t i c a l a p p r o a c hJ.J A p p l P h y s,2 0 0 5,9 8(8):0 8 4 1 0 3.D O I:1 0.1 0 6 3/1.2 1 0 3 4 1 7.7 KOHL S T E D T H,MU S T A F A Y,G E R B E R A,e t a l.C u r r e n t s t a t u s a n d c h a l l e n g e s o f f e r r o e l e c t r i c m e m o r y d e v i c e sJ.M i c r o e l e c t r o n E n g,2 0 0 5,8 0:2 9 6-3 0 4.D O I:1 0.1 0 1 6/j.m e e.2 0 0 5.0 4.0 8 4.8 S C O T T J F.A p p l i c a t i o n s o f m o d e r n f e r r o e l e c t r i c sJ.S c i e n c e,2 0 0 7,3 1 5(5 8 1 4):9 5 4-9 5 9.D O I:1 0.1 1 2 6/s c i e n c e.1 1 2 9 5 6 4.9 C O P I E O,CHE VA L I E R N,L E RHUN G,e t a l.A d s o r b a t e s c r e e n i n g o f s u r f a c e c h a r g e o f m i c r o s c o p i c f e r r o e l e c t r i c d o-m a i n s i n S o l-g e l P b Z r0.2T i0.8O3 t h i n f i l m sJ.A C S A p p l M a t e r I n t e r f a c e s,2 0 1 7,9(3 4):2 9 3 1 1-2 9 3 1 7.D O I:1 0.1 0 2 1/a c s a m i.7 b 0 8 9 2 5.1 0 L U E H T,WU C J,T S E N G T Y.D e v i c e m o d e l i n g o f f e r r o e l e c t r i c m e m o r y f i e l d-e f f e c t t r a n s i s t o r(F e MF E T)J.I E E E T r a n s E l e c t r o n D e v i c e s,2 0 0 2,4 9(1 0):1 7 9 0-1 7 9 8.D O I:1 0.1 1 0 9/T E D.2 0 0 2.8 0 3 6 2 6.1 1 KUMA R I N,P A R U I J,VA RMA K B R,e t a l.C-V s t u d i e s o n m e t a l-f e r r o e l e c t r i c b i s m u t h v a n a d a t e(B i 2 VO 5.5)-s e m-i c o n d u c t o r s t r u c t u r eJ.S o l i d S t a t e C o mm u n,2 0 0 6,1 3 7(1 0):5 6 6-5 6 9.D O I:1 0.1 0 1 6/j.s s c.2 0 0 5.1 1.0 4 3.1 2 CHE N H Y,WU J M,HUANG H E,e t a l.C h a r a c t e r i s t i c s o f(P b,S r)T i O3/Z r O2 s t r u c t u r e s o n S i a n d S i ON/S i s u b-s t r a t e sJ.A p p l P h y s L e t t,2 0 0 7,9 0(1 1):1 1 2 9 0 7.D O I:1 0.1 0 6 3/1.2 7 1 2 8 0 7.1 3 TANG M H,Z HOU Y C,Z HE N G X J,e t a l.S t r u c t u r a l a n d e l e c t r i c a l p r o p e r t i e s o f m e t a l-f e r r o e l e c t r i c-i n s u l a t o r-s e m i-c o n d u c t o r t r a n s i s t o r s u s i n g a P t/B i3.2 5N d0.7 5T i3O1 2/Y2O3/S i s t r u c t u r eJ.S o l i d S t a t e E l e c t r o n,2 0 0 7,5 1(3):3 7 1-3 7 5.D O I:1 0.1 0 1 6/j.s s e.2 0 0 6.1 1.0 1 4.1 4 L E E S K,K I M Y T,K I M S I,e t a l.E f f e c t s o f c o e r c i v e v o l t a g e a n d c h a r g e i n j e c t i o n o n m e m o r y w i n d o w s o f m e t a l-f e r-r o e l e c t r i c-s e m i c o n d u c t o r a n d m e t a l-f e r r o e l e c t r i c-i n s u l a t o r-s e m i c o n d u c t o r g a t e s t r u c t u r e sJ.J A p p l P h y s,2 0 0 2,9 1(1 1):9 3 0 3-9 3 0 7.D O I:1 0.1 0 6 3/1.1 4 6 7 6 2 9.1 5 G RUV E RMAN A,WU D,L U H,e t a l.T u n n e l i n g e l e c t r o r e s i s t a n c e e f f e c t i n f e r r o e l e c t r i c t u n n e l j u n c t i o n s a t t h e n a n o s c a l eJ.N a n o L e t t,2 0 0 9,9(1 0):3 5 3 9-3 5 4 3.D O I:1 0.1 0 2 1/n l 9 0 1 7 5 4 t.(责任编辑:孟素兰)863河北大学学报(自然科学版)第4 3卷