封面目录打印订阅技术动态专题业界访谈每月新品解决方案世界电子元器件2023年第7期27/59GaNHEMT器件性能的评估，一般包含静态参数测试（I-V测试）、频率特性（小信号S参数测试）、功率特性（Load-Pull测试）。静态参数，也被称作直流参数，是用来评估半导体器件性能的基础测试，也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs（th）为例，其值的大小对研发人员设计器件的驱动电路具有重要的指导意义。静态测试方法，一般是在器件对应的端子上加载电压或者电流，并测试其对应参数。与Si基器件不同的是，GaN器件的栅极阈值电压较低，甚至要加载负压。常见的静态测试参数有：阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻、跨导、电流坍塌效应测试等。图：GaN输出特性曲线(来源：Gansystems)图：GaN导通电阻曲线(来源：Gansystems)V(BL)DSS击穿电压测试击穿电压，即器件源漏两端所能承受的额定最大电压。对于电路设计者而言，在选择器件时，往往需要预留一定的余量，以保证器件能承受整个回路中可能出现的浪涌电压。其测试方法为，将器件的栅极-源极短接，在额定的漏电流条件下（对于GaN，一般为μ安级别）测试器件的电压值。Vgsth阈值电压测试阈值电压，是使器件源漏电流导通时，栅极所施加的最小开启电压。与硅基器件不同，GaN器件的阈值电压一般较低的正值，甚至为负值。因此，这就对器件的驱动设计提出了新的挑战。过去在硅基器件的驱动，并不能直接用于GaN器件。如何准确的获取手头上GaN器件的阈值电压，对于研发人员设计驱动电路，至关重要。IDS导通电流测试导通电流，指GaN器件在开启状态下，源漏两端所能通过的额定最大电流值。不过值得注意的是，电流在通过器件时，会产生热量。电流较小时，器件产生的热量小，通过自身散热或者外部散热，器件温度总体变化值较小，对测试结果的影响也可以基本忽略。但当通过大电流，器件产生的热量大，难以通过自身或者借助外部快速散热。此时，会导致器件温度的大幅上升，使得测试结果产生偏差，甚至烧毁器件。因此，在测试导通电流时，采用快速脉冲式电流的测试手段，正逐渐成为新的替代方法。GaNHEMT器件主要性能指标有哪些？宽禁带器件测试方案封面目录打印订阅技术动态专题业界访谈每月新品解决方案世界电子元器件2023年第7期28/59电流坍塌测试（导通电阻）电流崩塌效应，在器件具体参数上表现动态导通电阻。GaN器件在关断状态承受漏源J高电压，当切换到开通状态时，导通电阻暂时增加、最大漏极电流减小；在不同条件下...
