电子与封装第23卷，第7期Vol.23,No.7材料65nm工艺SRAM中能质子单粒子效应研究总第243期ELECTRONICS&PACKAGING2023年7月艺陈锡鑫"，殷亚楠"，高熠"，郭刚²，陈启明²（1.中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡214035；2.中国原子能科学研究院抗辐射应用技术创新中心，北京102413）摘要：基于一款带错误检测与纠正（EDAC）功能的65nm体硅CMOSSRAM，开展了中能质子对纳米级集成电路单粒子效应影响的研究。在SRAM本征工作模式和EDAC模式下，得到了2组试验结果。分析试验数据发现：在重离子与中能质子试验中，采用商用6T设计规则的电路均未发生单粒子门锁现象，但都发生了单粒子多位翻转现象；质子单粒子效应引起的错误数已饱和，而重离子单粒子效应引起的错误数则随能量不断增加，该现象与2种粒子引起单粒子效应的机理有关。质子与重离子饱和截面的差异是由质子核反应的概率导致的，但空间错误率相近。此次试验很好地探索了中能质子对SRAM电路的影响，明确了质子与重离子导致单粒子错误的异同，为SRAM在航天上的应用奠定了基础。关键词：辐射效应；单粒子效应；中能质子；SRAM中图分类号：TN406D0I:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0094中文引用格式：陈锡鑫，殷亚楠，高熠，等.65nm工艺SRAM中能质子单粒子效应研究[].电子与封装，2023,23(7):070403.英文引用格式:CHENXixin,YINGYa'nan,GAOYi,etal.Researchofintermediateenergyprotoninducesingleeventeffectfor65nmSRAM[J.Electronics&Packaging,2023,23(7):070403.ResearchofIntermediateEnergyProtonInduceSingleEventEffectfor65nmSRAM(1.ChinaElectronicsTechnologyGroupCorporationNo.58ResearchInstitute,Wuxi214035,China;2.InnovativeCenterofRadiationHardeningAppliedTechnology,ChinaInstituteofAtomicEnergy,Beijing102413,China)Abstract:Basedona65nmbulksiliconCMOSSRAMwitherrordetectionandcorrection(EDAC),aresearchoftheeffectofintermediateenergyprotononsingleeventeffectofnanoscaleintegratedcircuitsisconducted.TwosetsofexperimentalresultsareobtainedinSRAMintrinsicoperationmodeandEDACmode.Analyzingtheexperimentaldata,itisfoundthatinboththeheavyionandmediumenergyprotontests,nosingleeventlatch-upoccurswiththe6Tcellincommercialdesignrules,butthesingle-particlemulti-bitflip-flopoccursinexperiments.Thenumberoferrorscausedbytheprotonsin...
