电子工艺技术ElectronicsProcessTechnology142023年1月第44卷第1期摘要：掩埋异质结结构的半导体激光器具有阈值低、光束质量好的优点。台面（Mesa）制作是掩埋结激光器加工过程中的一步关键工艺，采用传统的全湿法腐蚀工艺制作台面，3英寸圆片内腐蚀深度和器件输出功率水平差异较大。而采用干法刻蚀加湿法腐蚀工艺技术，制备出的台面表面光滑、侧壁连续，腐蚀深度差异为6%，最终器件输出功率水平的差异仅为2%。利用该掩埋结技术制备的1550nm大功率激光器均匀性有了较大提升，900μm腔长单管的阈值电流约12mA，300mA工作电流时功率输出100mW。关键词：Mesa；掩埋结；干法刻蚀；均匀性中图分类号：TN405文献标识码：Ａ文章编号：1001-3474（2023）01-0014-04Abstract:Buriedheterojunctionsemiconductorlasershavetheadvantagesoflowthresholdandgoodbeamquality.Mesafabricationisoneofthekeyprocessesintheprocessofburiedjunctionlasers.Usingthetraditionalwetetchingprocesstomakemesa,thedifferenceofthecorrosiondepthandoutputpowerinthe3-inchwaferisverybig.However,usingthedryetchingandwetcorrosiontomakemesa,thesurfaceissmoothandthesidewalliscontinuous.Thedifferenceofthedepthis6%,andthedifferenceofthedevice’soutputpowerlevelisonly2%.Theuniformityof1550nmhigh-powerlaserfabricatedbytheburiedjunctiontechniqueisimprovedgreatly,andthethresholdcurrentof900µmcavitysingletubeisabout12mA,andthepoweroutputis100mWat300mAoperatingcurrent.Keywords:Mesa;BH;dryetching;uniformityDocumentCode:AArticleID:1001-3474(2023)01-0014-04掩埋异质结激光器的Mesa制备工艺MesaPreparationProcessforBuriedHeterojunction张奇，武艳青，刘浩，商庆杰，宋洁晶ZHANGQi,WUYanqing,LIUHao,SHANGQingjie,SONGJiejing（中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050051）(The13thResearchInstituteofCETC,Shijiazhuang050051,China)0引言掩埋异质结结构的半导体激光器因其良好的载流子限制和光波导限制，使其具有低阈值电流、高效率、高可靠性，同时具有良好的光场模式特性和高的光纤耦合效率[1]。目前很多文献报道的掩埋结的制备多是选用全湿法腐蚀的方式[2]，湿法腐蚀虽然操作简单、成本低廉、散射损伤小，能够制备出相对平滑的波导，但是其腐蚀深度均匀性、波导宽度均匀性和重复性较差，从而可能导致器件的均匀性差，尤其是扩...
