《电子技术应用》2023年第49卷第3期MicroelectronicTechnology微电子技术一种快速瞬态响应片上LDO电路徐晴昊（中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡214035）摘要：基于双有源反馈米勒补偿结构设计了一种单极点系统的无电容片上低压差线性稳压器，该线性稳压器中误差放大器采用全差分结构，两个并联的前馈通路可在提升电路瞬态响应性能的同时额外在功率管栅端构成推挽驱动级，最终电路在轻重载时具有对称的瞬态响应特性。基于TSMC0.18µmBCD工艺仿真结果表明，在2V~4V电源电压下，输入输出最小压差为200mV，最大负载电流为120mA，瞬态响应恢复时间≤0.7µs，相位裕度≥60°。关键词：低压差线性稳压器；无片外电容；快速瞬态响应；频率补偿中图分类号：TN433文献标志码：ADOI:10.16157/j.issn.0258-7998.222997中文引用格式：徐晴昊.一种快速瞬态响应片上LDO电路[J].电子技术应用，2023，49(3)：67-71.英文引用格式：XuQinghao.Afasttransientresponseon-chiplow-dropoutregulator[J].ApplicationofElectronicTechnique，2023，49(3)：67-71.Afasttransientresponseon-chiplow-dropoutregulatorXuQinghao(No.58InstituteofChinaElectronicTechnologyGroupCorporation，Wuxi214035，China)Abstract：Basedondualactivefeedbackwithmillercapacitorcompensation(DAFMCC),anovelsinglepolesystemofcapacitor-lesson-chiplow-dropout(LDO)voltageregulatorcircuitispresented.TheLDOadoptsafullydifferentialamplifierasthefirstgainstage,twoparallelfeedforwardpathwayscanimprovethetransientresponseperformanceofthecircuitmeanwhileinsertapush-pullstageatthegateofthepowerMOSFETwhichresultsinasymmetricalslewingbehavior.TheproposedLDOregulatorisverifiedbyTSMC0.18µmBCDprocess.Thesimulationresultsshowthatwhensupplyvoltagechangesfrom2Vto4V,theminimumdropoutvoltageis200mV,themaximumloadcurrentis120mA.Thetransientresponserecoverytimeissmallerthan0.7µs,thephasemarginislargerthan60°.Keywords：LDO；capacitor-less；fasttransientresponse；frequencycompensation0引言一个典型的片上电源管理系统可能存在多个无片外电容型的LDO，对手持设备而言其所用片上LDO的功耗将决定其待机时间和最终寿命，因此如何设计低功耗和低压差的LDO为现代电子产品设计时的热点研究方向[1−3]。传统LDO通过在其输出端口增加一个大...
