薛醒，赵潇彤，徐丽娜，等．镉胁迫下硅对玉米生长的缓解效应［Ｊ］．江苏农业科学，２０２３，５１（１３）：２４６－２５１．ｄｏｉ：１０．１５８８９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００２－１３０２．２０２３．１３．０３６镉胁迫下硅对玉米生长的缓解效应薛醒，赵潇彤，徐丽娜，李丽杰，薛惠云，张志勇（河南科技学院生命科技学院，河南新乡４５３００３）摘要：为了探讨外源硅对镉胁迫下玉米幼苗的生长缓解效应，以豫单９９５３为试验材料，以浓度为３１８ｍｇ／ｋｇ的硅酸钠和浓度为３５ｍｇ／ｋｇ的氯化镉分别溶解于水后均匀混拌于土壤中，进行土壤盆栽试验。对玉米苗期地上部分株高、叶面积、ＳＰＡＤ值、光合速率、荧光参数和地下部的根系参数以及可溶性蛋白含量和电导率等指标进行测定。结果表明，硅能显著缓解玉米苗期镉的胁迫。与对照相比，镉处理组的玉米株高、叶面积、叶片和根系的干质量分别下降１８.７０％、３３．４０％、３９．１３％和４２．８６％，硅的施用改善了镉的抑制，与镉处理相比分别增加了７．６６％、１１．０５％和３３.３３％、２５．００％；硅的施用提高了镉胁迫下总根系长度、体积和表面积；玉米幼苗的光合特性受到镉的胁迫，硅的施用降低了镉对ＳＰＡＤ值和光合速率的胁迫，与镉处理相比分别提高了１５．６４％和３９．４９％，同时也改善了镉对玉米叶绿素荧光的抑制，增加了叶片可溶性蛋白含量，降低了叶片相对电导率。硅能显著改善镉对玉米幼苗地上部和地下部的抑制作用，促进根系生长，增强光合作用，调节生理代谢过程，降低地下根系对镉的吸收和转运，提高玉米对镉的耐受能力，为缓解镉对玉米幼苗的胁迫提供栽培技术及理论基础。关键词：玉米；镉胁迫；硅；植株形态；生理特性中图分类号：Ｓ５１３文献标志码：Ａ文章编号：１００２－１３０２（２０２３）１３－０２４６－０６收稿日期：２０２２－０９－０８基金项目：河南省科技攻关项目（编号２２２１０２１１０１８５）；河南省高校科技创新团队支持计划（编号：２１ＩＲＴＳＴＨＮ０２３）。作者简介：薛醒（２０００—），女，河南南阳人，硕士研究生，研究方向为作物高产高效栽培理论与技术。Ｅ－ｍａｉｌ：３２２０４９１５９０＠ｑｑ．ｃｏｍ。通信作者：徐丽娜，博士，讲师，主要从事作物高产高效栽培理论与技术研究。Ｅ－ｍａｉｌ：ｘｕｌｉｎａ＿１０２３＠１６３．ｃｏｍ。镉元素现已被联合国环境规划署（ＵＮＥＰ）列为全球性危害化学物质之一，同样...
