34电子技术第52卷第6期（总第559期）2023年6月Electronics电子学用-5V电源供电，TTL电平控制的驱动电路，驱动电路输出一对互补的高低电平，分别控制两路开关的导通和关断。逻辑关系如表1所示。0引言无源器件在射频收发系统和通信领域的应用非常广泛，但是它们的体积一般较大，制约着组件系统的小型化和低成本[1,2]。滤波器作为非常重要的一种无源器件，无论是在接收还是发射系统中都必不可少。尤其是随着现代通信系统的发展，频谱资源拥挤，开发毫米波频段的滤波器并实现小型化、低成对整机系统的领先发展非常关键。1研究背景本文基于70μm厚的GaAs衬底，设计并实现了一款低插损、小体积、高性能的微波单片集成电路（MMIC）开关滤波器芯片，它的面积仅为2.2mm×1.9mm×0.07mm。由于采用高介电常数的GaAs材料，衬底厚度小等因素，它的电磁场束缚能力强，应用中的电磁抗干扰效果好，且内部集成驱动，非常方便使用。2开关滤波器设计2.1基本构成开关滤波器的设计电路由FET开关、滤波器、控制电路三部分组成，具体框图见图1所示。本设计中，FET开关部分采用FET管并联的结构实现，带通滤波器由梳状结构实现。控制部分采作者简介：韦雪真，中国电子科技集团公司第十三研究所；研究方向：电子器件设计。收稿日期：2023-02-06；修回日期：2023-06-12。摘要：阐述基于GaAs工艺，仿真设计了一款33～37GHz的两通道开关滤波器，其中开关由GaAsFET管并联实现，滤波器采用梳状结构。芯片内部集成驱动电路，采用-5V供电，TTL电平控制两通道的导通与关断。芯片尺寸为2.2mm×1.9mm×0.07mm。测试结果显示，带内插入损耗低于6dB，带外本底抑制大于40dB，带内回波损耗优于-15dB。关键词：电路设计，开关滤波器，GaAs工艺。中图分类号：TN713，TN402文章编号：1000-0755(2023)06-0034-02文献引用格式：韦雪真.基于GaAs工艺的毫米波开关滤波器设计[J].电子技术,2023,52(06):34-35.基于GaAs工艺的毫米波开关滤波器设计韦雪真（中国电子科技集团公司第十三研究所，河北050051）Abstract—Thispaperdescribesthesimulationdesignofa33~37GHztwochannelswitchingfilterbasedonGaAstechnology.TheswitchisrealizedbyparallelconnectionofGaAsFETtubes,andthefilterusesacombstructure.Theintegrateddrivingcircuitinsidethechipispoweredby-5V,andtheTTLlevelcontrolstheonandoffofthetwochannels.Chipsizeis2.2mm×1.9mm×0.07mm.Thetestresultsshowthattheinbandinsertionlos...
