===================================DOI:10．13290/j．cnki．bdtjs．2023．07．001July2023SemiconductorTechnologyVol．48No．7541基金项目:国家自然科学基金资助项目(51967005);广西科技计划项目(桂科AD20297046)SiCMOSFET的温度特性及结温评估研究进展吴军科1，李辉1，魏云鹏1，魏向楠1，闫海东2(1．桂林电子科技大学机电工程学院，广西桂林541004;2．浙江大学杭州国际科创中心，杭州310017)摘要:与Si器件相比，SiC器件具有更加优异的电气性能，新特性给其结温评估带来了新挑战，许多适用于Si器件的结温评估方法可能不再适用于SiC器件。首先对SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的温度特性进行了分析，阐述了本征载流子浓度、载流子迁移率等参数受温度的影响机理，分析了器件阻断特性、输出特性、转移特性等参量，以便找到能够表征结温特性的电气参量;然后研究分析了功率器件结温测量的各类方法，并重点阐述了温敏电参数(TSEP)法在SiCMOSFET结温评估领域的应用前景，从线性度、灵敏度等6个方面对比分析了各方法的优缺点，并指出阈值电压和体二极管压降作为TSEP具有显著优势;最后分析了TSEP法在目前工程应用中面临的挑战，并对未来的研究工作进行了展望。关键词:功率器件;SiC;温度特性;结温评估;温敏电参数(TSEP)中图分类号:TN386.1;TN307文献标识码:A文章编号:1003－353X(2023)07－0541－16ＲesearchProgressofTemperatureCharacteristicsandJunctionTemperatureEvaluationofSiCMOSFETsWuJunke1，LiHui1，WeiYunpeng1，WeiXiangnan1，YanHaidong2(1．SchoolofMechanicalandElectricalEngineering，GuilinUniversityofElectronicTechnology，Guilin541004，China;2．ZJU-HangzhouGlobalScientificandTechnologicalInnovationCenter，ZhejiangUniversity，Hangzhou310017，China)Abstract:ComparedwithSidevices，SiCdeviceshavemoreexcellentelectricalproperties，andthenewcharacteristicshavebroughtnewchallengestothejunctiontemperatureevaluation．ManyjunctiontemperatureevaluationmethodssuitableforSidevicesmaynolongerbesuitableforSiCdevices．Firstly，thetemperaturecharacteristicsofSiCmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistors(MOSFETs)areanalyzed．Theinfluencemechanismsoftemperatureonintrinsiccarrierconcentration，carriermobilityandotherparametersareexpounded．Theblocking-upcharacteristics，outp...
