第２９卷第３期功能材料与器件学报Ｖｏｌ.２９，Ｎｏ.３２０２３年６月ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＦＵＮＣＴＩＯＮＡＬＭＡＴＥＲＩＡＬＳＡＮＤＤＥＶＩＣＥＳＪｕｎ．，２０２３文章编号：１００７–４２５２（２０２３）０３–０００３–２２５ＤＯＩ：１０．２００２７／ｊ．ｇｎｃｑ．２０２３．００２０收稿日期：２０２３－０４－２０；修订日期：２０２３－０６－０１作者简介：李俊（１９９６—），男，河南工业大学理学院（Ｅ－ｍａｉｌ：２５７３３７８３８８＠ｑｑ．ｃｏｍ）．通信作者：马兴科（１９６３—），男，博士，教授，河南工业大学理学院（Ｅ－ｍａｉｌ：ｍａｘｉｎｇｋｅ＠ｈａｕｔ．ｅｄｕ．ｃｎ）．ＭｏＳ２／ＧａＡｓ异质结光电探测器的制备及性能研究李俊，马兴科∗（河南工业大学理学院，４５０００１）摘要：使用磁控溅射法在ＧａＡｓ衬底上制备ＭｏＳ２薄膜，形成ＧａＡｓ／ＭｏＳ２异质结，通过控制磁控溅射的时间来控制薄膜厚度，并对ＧａＡｓ／ＭｏＳ２异质结的光电性能进行了研究。结果表明：在溅射时间为２０ｍｉｎ薄膜厚度为３００ｎｍ时器件的性能最佳，光电探测器的响应度和比探测率分别为０．１０７ＡＷ－１和３．１３×１０１１Ｊｏｎｅｓ，器件对４０５ｎｍ到９８０ｎｍ波长的光都有良好的响应，所制备的器件适合用于近红外光探测。关键词：ＭｏＳ２薄膜；磁控溅射法；异质结；光电探测器中图分类号：Ｏ４７５文献标志码：ＡＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎａｎｄｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＭｏＳ２／ＧａＡｓｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓＬＩＪｕｎ，ＭＡＸｉｎｇ－ｋｅ∗（ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＳｃｉｅｎｃｅ，ＨｅｎａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｚｈｅｎｇｚｈｏｕ４５０００１，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＭｏＳ２ｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅｐｒｅｐａｒｅｄｏｎＧａＡｓｓｕｂｓｔｒａｔｅｂｙｍａｇｎｅｔｒｏｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｍｅｔｈｏｄｔｏｆｏｒｍＧａＡｓ／ＭｏＳ２ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ．Ｔｈｅｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆｔｈｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗａｓｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｂｙｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇｔｈｅｔｉｍｅｏｆｍａｇ⁃ｎｅｔｒｏｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ．ＴｈｅｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＧａＡｓ／ＭｏＳ２ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎａｒｅａｌｓｏｓｔｕｄｉｅｄ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓ...
