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硅片边缘轮廓检验方法
YST
26-2016
硅片
边缘
轮廓
检验
方法
26
2016
YS/T26-2016前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准代替YS/T26一1992硅片边缘轮廊检脸方法。与YS/T26一1992相比,本标准主要变动如下:一增加了规范性引用文件、术语和定义、干扰因素等:一增加了非破坏性检验方法B、方法C。本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。本标准起草单位:洛阳单品硅集团有限贵任公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司。本标准主要起草人:田素霞、李战国、苗利刚、焦二强、安瑞阳、那成波、王文卫。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:YS/T26-1992,Ys/T26-2016主机(含通像处理装置)显示屏主机(含面像处理装置)显示屏光测硅片CCD相机光找物台载物台硅片CCD相机a)检测边缘D)检测切口图1方法C测试原理示意图5干扰因素5.1光路上的外来物质、靠近已倒角硅片边缘的表面大颗粒、倒角边缘上的颗粒或其他异物都会给出错误的边缘轮廓,掩盖正确的轮廓形状。5.2硅片上不同点的测量,可能带来测试数据的差异。5.3对于方法C,设备的设置不同会带来测试数据的明显差异。6仪器设备6.1方法A测试所需的仪器设备如下:)光学比较仪或投影显微镜,放大倍数至少为100倍:b)用于固定待测硅片的夹具:)硅片边缘轮廓模板坐标图,如图2所示,由一个确定硅片边缘轮廓合格的透明区域和一个半透明的限制区域组成,其特征点坐标和基本尺寸应符合图3和表1的规定:)量块或精密棒,与待测硅片厚度相同,可确定设备放大倍数;c)150mm长直尺,最小刻度为0,5mm或更小。6.2方法B测试所需的仪器设备如下:)平行光源和可视系统,可视系统由投影仪、镜头和显示器组成。显示器应可以显示1mm1mm的区域,可视系统提供给显示器的放大倍数至少为100倍:b)用于固定待测硅片的夹具:)硅片边缘轮廓模板坐标图,如图2所示,由一个确定硅片边缘轮廓合格的透明区域和一个半透明的限制区域组成,其特征点坐标和基本尺寸应符合图3和表1的规定:)量块或精密棒,与待测硅片厚度相同,可确定设备放大倍数;2YS/T26-2016c)150mm长直尺,最小刻度为0.5mm或更小。正面允许区城背面图2硅片边缘轮廓模板坐标图0允许区域图3标准模板特征点坐标图表1标准模板特征点的坐标值单位为徽米特征点ABD76508510y001/3硅片厚度766.3方法C测试所需的仪器设备如下:)边缘轮廓仪,包括光源、CCD相机、载物台;b)控制单元,由计算机、显示器和打印机组成。7试样待测试片测试前应经倒角,且边缘清洁、干燥,而方法A需沿直径将硅片划开。3