再生硅料分类和技术条件 YST 840-2012.pdf

YS/T840-2012再生硅料分类和技术条件1范围本标准规定了再生硅料的技术条件及分类、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存、订货单等。本标准适用于从生产、加工、使用过程中产生的可回收利用的硅料，来源包括用于生产太阳能级硅品体的除过碳的碳极多品硅（碳头料）、品休硅头尾料、边皮料、埚底料、品体硅样块、原生型废硅片等。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551硅单品电阻率测定方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T14264半导体材料术语GB/T24574硅单品中-V族杂质的光致发光测试方法GB/T24579酸浸取原子吸收光谱法测定多品硅表面金属污染物GB/T24581低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单品中、V族杂质含量的测试方法GB/T24582酸浸取-电感耦合等高子质谱仪测定多品硅表面金属杂质SEMI PV1用高分辨率辉光放电光普测定法测定太阳能级硅中的痕量元素3术语和定义GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1碳极多晶硅（碳头料）carbon ends polysilicon在多晶硅生产过程中，包围在U型多晶硅棒的碳极周围，沾连有石墨的不规则形状多晶硅料。3.2单晶硅头尾料monocrystalline top and tail在拉制单品硅棒过程中形成的头尾圆推体。也包括拉制单品失收产生的多品硅棒和位错单品。3.3埚底料pot scrap在拉制单品硅棒的过程中，残留在石英坩埚中的硅料。3.4品体硅样块test silicon material在品体硅棒的检测和评估中作为测试用的样块。3.5原生型废硅片broken wafer在硅棒切割、研磨或抛光过程中产生的不合格硅片。1YS/T840-20124要求4.1技术条件及分类再生硅料可选择按电阻率或按杂质浓度进行分档，需经供需双方协商一致。每一档的产品应该同时满足本档的要求，若某项指标超出标准，则降为下一档。按电阻率分，各档不同导电类型的相关参数应符合表1的规定：按杂质浓度分，各档的相关参数应符合表2的规定。表1电阻率范田/(ncm)导电类型一档二档三档n型4024012p型101100.351表2项目一档二档三档受主杂质浓度/ppba203001000施主杂质浓度/ppba250100碳浓度/ppma0.524金属杂质(Ti,Cr,Fe,Ni,Cu,50100200Zn,Mo)总含量/ppba4.2尺寸范围再生硅料的线性尺寸不小于3mm。4.3外观特征再生硅料的外观应无色斑、氧化层以及其他的污染物等。5测试方法5.1再生硅料中碳浓度测量按照GB/T1558的规定进行。5.2再生硅料中、V族杂质含量按照GB/T24574或GB/T24581、SEM1PV1、GB/T24579、SIMS测试。5.3再生硅料中的金属杂质含量按照SEM1PV1或GB/T24579、GB/T24582、SIMS测试。5.4再生硅料的尺寸分布范围用筛网检验，或由供需双方商定的方法检验。5.5再生硅料的表面质量用目视或放大镜检查。5.6再生硅料的导电类型测试方法按照GB/T1550进行测试。5.7再生硅料的电阻率测定按照GB/T1551进行测试。