磁性材料及器件第54卷第3期2023年5月•72•结构参数对各向异性磁电阻(AMR)磁场传感器性能的影响王华昌1，罗科1，李秀霞1，余涛2，孙成3，冯伟1，张文旭3(1.四川永星电子有限公司，四川成都610500；2.贵州雅光电子股份有限公司，贵州贵阳550016；3.电子科技大学电子科学与工程学院，四川成都610054)摘要：采用磁控溅射工艺制备NiFe合金薄膜，通过电子束蒸发制备Barber电极，获得了各向异性磁电阻(AMR)线性磁场传感器。通过材料芯片技术，系统研究了图形化的NiFe薄膜宽度、厚度以及Barber电极角度、间距等因素对传感器性能的影响。测试结果表明，在设计的工艺条件下，NiFe薄膜宽度为36μm、厚度为28nm、Barber电极角度为40°以及电极间距为10μm时，该磁场传感器在磁场范围为±5G内灵敏度最大，达到1.17mV/(V·G)。研究工作为进一步发展基于AMR效应的角度及磁场传感器芯片提供参考。关键词：AMR磁场传感器；NiFe薄膜；Baber电极；输出电压；灵敏度中图分类号：TP212文献标识码：A文章编号：1001-3830(2023)03-0072-05DOI:10.19594/j.cnki.09.19701.2023.03.012著录格式：王华昌,罗科,李秀霞,等.结构参数对各向异性磁电阻(AMR)磁场传感器性能的影响[J].磁性材料及器件,2023,54(3):72-76.//WANGHua-chang,LUOKe,LIXiu-xia,etal.Effectsofstructuralparametersontheperformanceofanisotropicmagnetoresistivemagneticsensor[J].JournalofMagneticMaterialsandDevices,2023,54(3):72-76.EffectsofstructuralparametersontheperformanceofanisotropicmagnetoresistivemagneticsensorWANGHua-chang1,LUOKe1,LIXiu-xia1,YUTao2,SUNCheng3,FENGWei1,ZHANGWen-xu31.SichuanYongxingElectronicsCo,Ltd,Chengdu610500,China;2.GuizhouYaguangElectronicsCo,Ltd,Guiyang550016,China;3.SchoolofElectronicScienceandEngineering,UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054,ChinaAbstract:UsingNiFealloythinfilmpreparedbymagnetronsputteringprocessandBarber-polepreparedbyelectronbeamevaporationprocess,themagneticsensorbasedonanisotropicmagnetoresistance(AMR)effectwasrealized.Throughthematerialchiptechnology,theinfluenceofthewidthandthicknessofthepatternedNiFethinfilm,theangleanddistanceoftheBarber-poleontheoutputperformanceofthemagneticsensorweresystematicallyanalyzed.Theresultsshowthat,thesensorfeatur...
