蚀刻型双列封装引线框架规范 GBT 15877-1995.pdf

中华人民共和国国家标准蚀刻型双列封装引线框架规范GB/T15877-1995Specification of DIP leadframes produced by etching1主题内容与适用范围1.1主题内容本规范规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求及检验规则。1.2适用范围本规范适用于半导体集成电路塑料双列封装引线框架，其他封装形式引线框架也可参照使用。2引用标准GB7092一93半导体集成电路外形尺寸GB/T14112一93半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14113-93.半导体集成电路封装术语SJ/Z9007一87计数检查抽样方案和程序3术语、符号、代号本规范所用术语、符号和代号应按GB/T14113的规定。4技术要求4.1设计引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求，4.1.1引线键合区的最小面积引线键合区应保证其宽度不小于0.2mm,长度不小于0.635mm,由于蚀刻工艺中的钻蚀是难以避免的，并将产生端头倒圆现象，因此在长度计量时应从距端部0.25mm处起进行计算。4.1.2金属间的间隔引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之间的距离不小于0.15mm。4.2引线框架形状和位置公差42.1引线框架的侧弯应小于标称条长的0.5%。4.2.2引线框架的卷曲应小于标称条长的0.3%。4.2.3引线框架的横弯引线框架的最大横弯尺寸应符合表1的规定。国家技术监督局1995-12-22批准1996-08-01实施