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纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法 GBT 37131-2018.pdf
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纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法 GBT 37131-2018 半导体 纳米 材料 紫外 可见 漫反射 光谱 测试 方法 37131 2018
GB/T37131-2018纳米技术半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法1范围本标准规定了半导体纳米粉体材料的紫外-可见漫反射光谱测试方法。本标准适用于不透光半导体纳米粉体材料漫反射光谱的测试。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。JJF1232反射率测定仪校淮规范J小G178紫外、可见、近红外分光光度计检定规程3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1半导体semiconductor电阻率介于导体与绝缘体之间,其范围为10-32cm1012cm的一种固体物质。电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传输实现的。GB/T14264-2009,定义3.2183.2纳米粉体nanopowder离散纳米颗粒的集合休。注:改写自GB/T19619-2004,定义3.2.1.1,3.3漫反射diffuse reflection在宏观尺度上不存在规则反射时,由反射造成的弥散过程。JJF1032-2005,定义4.53.4反射率reflectivity女材料层的厚度达到其反射比不随厚度的增加而变化时的反射比,无量纲。JJF1032-2005,定义4.423.5积分球integrating sphere作为辐射计、光度计或光谱光度计的部件使用的中空球,其内表面覆以在使用光谱区几乎没有光谱选择性的漫反射材料。JJF1032一2005,定义3.52

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