锗单晶位错密度的测试方法 GBT 5252-2020.pdf

GB/T5252-20206仪器设备6.1金相显微镜：放大倍数40倍200倍，能够满足8,2规定的视场面积要求。6.2游标卡尺：分度值为0.02mm。6.3切削、研磨单品的设备。6.4耐氢氟酸、硝酸等化学药品腐蚀的容器。7试样制备7.1定向切取对待则的储单品锭定向后，垂直于储单品的生长方向切取测试片试样，其品向偏离度应不大于2，厚度宜不小于5mm。7.2研磨用碳化硅磨料或白刚玉粉研磨试样，使其表面平整，自然光下无目视可见的机械划痕，然后用水清洗后干燥。7.3化学抛光用加热至5060的抛光液将研磨后的试样抛光30s,至无损伤的光亮表面。7.4腐蚀7.4.1111品面：将抛光后的试样置于腐蚀液A中煮沸5min10min至镜面，或不经7.3所述的化学抛光，直接在加热至7080的腐蚀液B中浸泡至镜面。7.4.2100品面：将抛光后的试样在冷却至105的腐蚀液C中浸泡5min10min至镜面，7.4.3113品面：将抛光后的试样在冷却至105的腐蚀液D中浸泡5min10min至镜面。7.5清洁处理用加热至4060流动的热水冲洗试样5s10s,将吸附在试样上的试剂充分洗净并干燥。8试验步骤8.1肉眼观察试样是否有宏观缺陷及其分布情况，并做好记录。8.2将试样置于金相显微镜载物台上，选择1m2左右的视场面积，扫视试样表面，估算位错密度N。根据位错密度N:选取视场面积，具体如下：a)N.5000cm-2时，选用视场面积S=1mm2:b)5000cm-210000cm-2时，选用视场面积S=0.1mm2。8.3按九点法确定测试点，如图1所示。具体根据锗单品（或锗单品内切圆）直径，按表1确定各测试点的位置。