锗单晶 GBT 5238-1995.pdf
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锗单晶
GBT
5238-1995
5238
1995
GB/T5238-1995b,CzGe-p(Ga)-(111)表示晶向为(111)p型掺镓直拉储单晶。3.3规格储单晶的规格应符合表1规定。表1导电类型掺杂剂直径，mm直径允许偏差，%不大于长度，mmGa10500In10501040100Au+Ga(In)20nSb1050注：直径允许偏差指同一单品段的最大直径和最小直径之差与其平均直径的比值的百分数。4技术要求4.1物理参数4.1.1储单晶的电阻率参数应符合表2规定。表2电阻率范围电阻率允许偏差，%不大于断面电阻率不均导电类型摻杂剂ncmABc匀度，%，不大于Ga0.1-45In0.14515202510Au+Ga(ln）0.5-5nSb0.1454.1.2锗单晶的少数载流子寿命应符合表3规定，高速开关管和功率开关管用的渗金单晶，少数载流子寿命分别为不大于0.24s和0.20.5s。表3少数载流子寿命，s不小于电阻常范围，ncmn型P型0.1-0.9一0.92.5100802.54.01501204.08.02202008.0-1635030016456005004.2晶向4.2.1储单晶的晶向为(111)或由供需双方商定。4.2.2错单晶的晶向偏离应不大于2。4.3晶体完整性4.3.1错单晶的位错密度范围分成四类：1000、10003000、20004000和30005000cm.4.3.2储单晶不得有位错堆、星形结构、裂纹和气孔。小角晶界和位错排每根的长度不得大于3mm,总长度不得超过单晶直径的六分之一，
