用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 GBT 14863-1993.pdf

中华人民共和国国家标准用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中GB/T14863-93净载流子浓度的标准方法Standard test method for net carrier density in silicon epitaxiallayers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes1主题内客与适用范围本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录B)的相同或相反导电类型衬底上的型或P型外延层，也适用于体材料。2引用标准S】1550用三探针击穿电压法测定硅外延层的电阻率3术语3.1击穿电压被测二极管出现104A漏电流时的反向偏压。4方法原理4,1测量栅控或非栅控p-结或肖特基二极管的小讯号高频电容与反向偏压的函数关系，由所测电容和反向偏压值确定净载流子浓度与深度的函数关系。对于栅控二极管的测量，栅极加一恒定偏压。5仪器与材料5.1电容电桥或电容计量程满刻度为11000pF,以十倍增大或减小.测量频率范围为0.091.1MHz,每个量程精度优于满刻度的1.0%，重复性优于满刻度的0.25%。仪器应能承受土200V或更高的外加直流偏压，能补偿不低于5pF的外部探针架的杂散电容，内部交流测量讯号不大于0.05V(r.m.s)。5.2数字电压表或电位计其灵敏度优于1mV,精度优于满刻度的0.5%，重复性优于满刻度的0.25%，输入阻抗不小于100MQ,以及在50Hz时共模抑制比高于100dB。5.3直流电源连续可调，能提供0士200V(开路)，纹波低于1%的直流输出。5.4曲线图示仪能监控二极管的正反向V特性。该曲线图示仪在0.1mA时反向能加到200V,在正向1mA时国家技术监督局1993-12-30批准1994-10-01实1