碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 GBT 30868-2014.pdf

GB/T30868-20147.1.2用粒径小于3m的磨料进行细磨。7.13用硅溶胶抛光液或其他化学抛光液进行化学抛光，使表面光亮。7.1.4将抛光好的碳化硅单品片用去离子水清洗干净，吹干。7.2微管腐蚀7.2.1将碳化硅单品片预热至适当温度。7.2.2将氢氧化钾放在镍坩埚中加热，待熔化后，使其温度保持在500土10，放入碳化硅单晶片，腐蚀15min25min。7.23取出碳化硅单品片，待其冷却后用去高子水清洗，吹干。8测试环境8.1温度：1828。8.2相对湿度应不大于75%。9测试程序9.1将腐蚀好的试样置于光学显微镜载物台上，根据微管孔洞大小选取不同放大倍率。9,2观察整个碳化硅单晶片表面，确认微管形貌，如图1（图1中较大的、不规则的六边形为微管腐蚀坑)和图2所示，记录观察视场内微管个数。记数视场的选择有两种，根据需要可选取：)依次观察记录整个碳化硅单品片每个观察视场内的微管个数：b)选取观察视场面积及测量点，观察视场面积S不小于1mm2,测量点位置如图3所示。记录每个视场的微管个数。注：)，b)两种测试方法中推荐优选方法)测试整个碳化硅单品片的微管缺陷。9.3计算平均微管密度。10m说明：图中较大的、不规则的六边形为微管腐蚀坑。图1微管的光学显微镜图(100)