碳化硅单晶位错密度的测试方法 GBT 41765-2022.pdf

GB/T41765-20225.3腐使结束后样品表面的离蚀残留物会影响位错的识別，应在腐蚀后充分洗净。5.4样品的表面粗糙度会影响样品的腐蚀效果，进而影响位错密度的测试结果，因此一般对样品进行抛光处理降低表面粗糙度。6试剂除非另有说明，本文件所用试剂均为符合国家标准或行业标准的分析纯及以上试剂，所用水的电阻率不小于12Mncm。6.1氢氧化钾(KOH)。6.2无水乙醇(CH3CH2OH)。7仪器设备7.1光学显微镜或带数字相机的显微镜：放大倍数为50倍500倍。7.2位错自动测试仪：放大倍数为50倍500倍，配备数据采集相机、自动运动平台以及具有扫描、统计功能的软件系统。7.3控温加热器：能将氢氧化钾加热为熔融态，并在设定温度下维持一定时间。7.4容器：材质耐高温且性能稳定，直径大于待测样品直径，如石墨坩埚。8样品8.1定向切取8.1.1对待测碳化硅单品用X射线衍射法定向出品体学硅面，即0001面。8.1.2按正交品向偏离角，即偏向1120)方向0一8，切取碳化硅品片作为测试样品。8.2研磨、抛光将切却好的碳化硅品片(8.1)粘接在载片盘上进行研磨、抛光，使其表面呈镜面状态、无划伤，之后用水清洗后干燥。8.3腐蚀警示：腐蚀操作前，应佩戴好头盔、护目镜以及耐热手套等防护用具。8.3.1腐蚀过程中外界环境温度应保持在24士5，相对湿度为40%70%，8.3.2将氢氧化钾(6.1)放入容器(7.4)中，用控温加热器(7.3)加热使氢氧化钾是熔融态，并保特在54030。将待腐蚀的样品(8.2)在260300预热1min2min,之后放入氢氧化钾熔融液中，使样品完全浸人并腐使10min一25min。8.3.3腐蚀结束后取出样品，冷却至室温后，先用流动水冲洗，再用无水乙醇(6.2)浸泡，去除样品表面的腐蚀残留物，并干燥。9试验步骤9.1观察样品肉眼观察样品是否有宏观缺陷及其分布情况，并做好记录。