砷化镓单晶AB微缺陷检验方法 GBT 18032-2000.pdf

中华人民共和国国家标准砷化镓单晶AB微缺陷检验方法GB/T18032-2000The inspecting method of AB microscopic defect ingallium arsenide single crystal1适用范围本标准规定了砷化惊单品AB微缺陷的检验方法。本标准适用于神化惊单品AB微缺陷密度(AB-EPD)的检验。检验面为(100)面，测量范用小于5105cm-2.2定义2.1AB腐蚀液AB etchantAB腐蚀液用于显示神化傢单品AB微缺陷及位错线的一种化学腐蚀剂。2.2AB微缺陷AB microdefect砷化惊单品片经AB腐蚀液腐使后，在(100)面上显示出的椭圆状腐蚀坑所表征的微缺陷。2.3AB微缺陷密度(AB-EPD)AB microdefect density用AB腐蚀液显示出砷化镓单品片(100)面上在单位表面积内AB微缺陷腐蚀坑的个数（个/cm2)。3方法原理采用择优化学腐蚀技术显示缺陷。由于单品中缺陷附近的原子排序被破坏，品格畸变，应变比较大，在某些化学腐蚀剂中晶体缺陷处与非缺陷处腐蚀速度不同，利用这种异常的物理化学效应，在表面处产生选择性的浸蚀，从而形成特定的腐蚀图形。4化学试剂4.1硫酸(HSO),分析纯。4.2过氧化氢(H,0),分析纯。4.3氢氟酸(HF),分析纯。4.4三氧化铬(CrO3),分析纯。4.5硝酸银(AgNO,),分析纯.4.6去离子水，电阻率大于5M2cm。5试样制备5.1定向切割从砷化像单晶锭的待测部分经定向切取厚度0.50.8mm单晶片，晶面为(100)。晶向偏离小于1度，5.2研磨与抛光国家质量技术监督局2000-04-03批准2000-09-01实施1