碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 GBT 30867-2014.pdf
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碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GBT
30867-2014
碳化硅
晶片
厚度
变化
测试
方法
30867
2014
中华人民共和国国家标准碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T30867-2014中国标准出版社出版发行北京市初阳区和平里西街甲2号(100029)北京市西城区三里河北街16号(100045)网址：www.gb168.cm服务热线：400-168-0010010-685220062014年9月第一版书号：1550661-49958版权专有侵权必究GB/T30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法1范围本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm1mm的碳化硅单品片。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语GB/T25915.1一2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4方法提要4.1接触式测量接触式测量采用五点法。在碳化硅单品片中心点和距碳化硅单品片边缘D/10的圆周上4个对称点位置测量碳化硅单晶片厚度，如图1所示。单晶片中心点厚度为标称厚度，5个厚度测量值中的最大值和最小值的差值为碳化硅单晶片的总厚度变化。/10说明：图中D为碳化硅单品片直径图1接触式测量的测量点位置
