砷化镓单晶位错密度的测试方法 GBT 8760-2020.pdf

GB/T8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法1范围本标准规定了砷化傢单晶位错密度的测试方法。本标准适用于(100、111面神化傢单品位错密度的测试，测试范围为0cm2100000cm-2。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于木文件。GB/T14264半导体材料术语3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件，4方法原理砷化稼单品中位错周围的品格会发生骑变，当用某些化学腐蚀剂腐使品体表面时，在品体表面上的位错露头处腐蚀速度较快，进而形成具有特定形状的腐蚀坑。在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有特定形状的腐蚀坑，单位视场面积内的腐蚀坑个数即为位错密度。5试剂除非另有说明，测试分析中仅使用确认为分析纯及以上的试剂，所用水的电阻率不小于12MQcm。5.1氢氧化钾(K0H),质量分数不小于85%.5.2硫酸(H2S0),质量分数为95%98%。5.3过氧化氢(H02),质量分数不小于30%。5.4抛光液：硫酸、过氧化氢、水的混合液，体积比为(23)：1：1，现用现配。6仪器设备6.1金相显微镜，放大倍数为100倍一500倍，能满足8.2规定的视场面积要求。6.2加热器，能将氢氧化钾加热至熔融澄清状态。6.3铂坩埚或银坩埚。7试样制备7.1定向切取对待测的神化镓单品定向后，垂直于砷化稼单品生长方向切取厚度不小于0.5mm的测试片试样，1