碳化硅单晶抛光片 GBT 30656-2023.pdf

Gb/T30656-20235.2几何参数碳化硅单晶抛光片的几何参数应符合表2的规定。表2几何参数不同直径碳化硅单品抛光片的几何参数要求项目50.8mm76.2mm100.0mm150.0mm直径及允许偏差50.80.276.2士0.2100.00.5150.00.5m加厚度及允许偏差导电型.35025导电型.350士25330土25350上25am半绝缘型：500土25半绝缘型：500土25总厚度变化(TTV)10101010am局部厚度变化(LTV)4444m翘曲度(Warp)25354045以m弯曲度（绝对值）(Bow)15252540m主参考面长度及允许偏差16.0士1.722.02.032.52.0导电型47.5士2.5mm副参考面长度及允许偏差8.01.711.01.518.02.0mm半绝缘型：V型切口，切口尺寸切口角度、深度按图1要求注：需方如对碳化硅单晶抛光片的儿何参数有特殊要求，由供需双方协商确定，局部厚度变化的测试面积为10mm10mm,S面切口基准轴切口角度90：中心线1120方向1i00方向品片边缘切口深度1mm一1,25mm图1V型切口示意图及切口角度，深度要求3