碳化硅单晶抛光片 GBT 30656-2014.pdf

ICS29.045H83B中华人民共和国国家标准GB/T30656一2014碳化硅单晶抛光片Polished monocrystalline silicon carbide wafers2014-12-31发布2015-09-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布GB/T306562014或重复方式不同时，而形成的结构上不同的变体。3.4表面取向surface orientation为满足不同要求，晶片表面与0001面平行或成特定的角度，用这一角度来表示品片的表面取向，即样品表面法线与样品c轴的夹角。3.5正交取向偏离orthogonal misorientation切片时有意偏离0001品面，品片表面法向矢量在0001面的投影与0001面上最近的1120)方向的夹角，定义为正交取向偏离（见图1）。轴一品片表面法向001面上偏角最近的方向正交取向偏离品面法向在(0001面的权影0001面图1晶片正交取向偏离示意图4要求4.1总则碳化硅单品抛光片的技术参数是指在固定优质区内的要求，且边缘去除区应符合表1的规定。表1边缘去除区单位为毫米直径边缘去除区50.8176.21004.2分类4.2.1碳化硅单品抛光片按品型分为4H和6H。4.22碳化硅单晶抛光片按导电能力分为导电型和半绝缘型。4.3牌号碳化硅单品抛光片的牌号应符合附录A的规定。